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公开(公告)号：CN115513315A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211112869.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法，碲镉汞探测器芯片包括衬底、环氧树脂胶、p型光敏层、n型离子注入层、钝化层、n型电极层和p型电极层，p型光敏层是Hg1‑xCdxTe组分渐变层，沿背离衬底方向依次包括Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层和Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层，Cd组分x从高到低由Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层的上表面渐变至Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层的下表面。本发明芯片的n型离子注入层形成在Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层内，渐变带隙引入的较强内建电场通过提高空穴的漂移速度，减少空穴在空间电荷区的堆积，同时抑制p区载流子的扩散运动，降低pn结对p区光生电子的收集效率，降低空间电荷区的载流子浓度，提高芯片饱和阈值，实现室温零偏置电压下工作。
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公开(公告)号：CN103855251A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020943.0
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02327 , H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法，该方法工艺上采用光刻套刻结合ICP干法刻蚀的手段，然后采用化学湿法腐蚀制备出曲率半径均匀的微透镜线列。本方法为优化单片集成红外微透镜列阵的聚光能力提供了依据，对于提高器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN102376824A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110317200.6
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。
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公开(公告)号：CN101777424A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010101878.6
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于步骤如下：在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层；光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层，形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔；制备PVDF有机聚合物薄膜；在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极；光刻腐蚀金属上电极；氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶；在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极；光刻腐蚀去除多余包裹电极，完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。本发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性，使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
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公开(公告)号：CN101752087A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010101879.0
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF有机聚合物薄膜电容器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一金属底电极，该金属底电极生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，将部分金属底电极包裹起来；一有机聚合物薄膜，该有机聚合物薄膜生长在介电绝缘层开孔处，面积略大于开孔面积；一金属上电极，该金属上电极生长在有机聚合物薄膜上；一包裹电极，该包裹电极生长在金属上电极上，将有机聚合物薄膜与金属上电极包裹起来。本发明的器件结构利用介电层隔离上下电极，并利用上电极作为PVDF薄膜光刻掩膜，最终利用包裹电极将PVDF有机聚合物薄膜侧面保护起来，方便后续传统工艺的实施，使其可与其他器件集成制备，不受传统工艺的限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100541834C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710170718.5
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法，该方法采用湿法腐蚀剥离离子注入表面严重损伤层，腐蚀液用1‰的溴/乙醇或1‰的溴/氢溴酸，腐蚀液温度为冰水点。剥层厚度的确定是基于反偏条件下PN结的I-V曲线给出的暗电流大小或R-V曲线的形状和峰值可以反映器件表面漏电和产生-复合中心密度的大小。通过监测腐蚀过程中PN结的I-V曲线或R-V曲线的变化来确定腐蚀剥层的截止点。本发明的优点是：方法简便有效、重复件好。
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公开(公告)号：CN116544294A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310027692.8
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/102 , H01L31/024 , H01L31/0296 , H01L31/02 , G05D23/24
Abstract: 本发明公开了一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件，其结构从下往上依次为三级半导体制冷器，环氧胶，锰钴镍氧热敏电阻，环氧胶，碲镉汞探测器；其中锰钴镍氧热敏电阻结构从下往上依次为蓝宝石衬底，锰钴镍氧薄膜，以及热敏薄膜表面两侧的镉/金复合电极；其中碲镉汞探测器结构从下往上依次为蓝宝石衬底，环氧胶，碲镉汞功能材料，阳极氧化层，ZnS增透层，以及碲镉汞材料表面两侧的铟/金复合电极。该探测器组件不仅能够准确测得探测器温度的实时变化，而且有效解决了常规工艺中将热敏电阻贴附在探测器侧壁上带来的温度漂移问题，使得碲镉汞探测器的精确控温成为可能，极大缓解了高精度应用场景中对探测器控温精度的要求。
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公开(公告)号：CN102376824B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110317200.6
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。
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公开(公告)号：CN103117241A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310039849.5
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种物理刻蚀工艺中的贴片方法：其步骤为：(1)选取胶带：需要采用聚酰亚胺耐高温双面胶带；(2)裁剪双面胶：将聚酰亚胺双面胶带裁剪成比所需刻蚀样品稍大的尺寸；(3)固定胶带：将聚酰亚胺双面胶带的下表面保护膜剥离后牢固地粘在刻蚀机的样品台上，然后将胶带的上表面保护膜也除去；(4)粘贴样品：将需要刻蚀的样品放置在聚酰亚胺双面胶上，并加以一定的正压力将样品牢固地与聚酰亚胺胶带进行粘接；(5)剥离胶带：在物理刻蚀工艺完成后，一般的硬质刻蚀样品可以直接从聚酰亚胺双面胶带上取下，然后将胶带从样品台上剥离即可。该方法具有操作方便、导热性好、刻蚀图形佳和成本低等优点。
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公开(公告)号：CN102543791A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019073.6
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种以碲镉汞为基底的薄膜附着力定量测试方法：(1)光刻图形：用光刻的方法在碲镉汞基底上的薄膜表面形成方格图形；(2)形成方格：用刻蚀或浮胶的方法将薄膜分割形成若干方格；(3)粘贴胶带：将胶带粘在薄膜上，并施以一定的正压力；(4)剥离薄膜：将胶带折起沿与薄膜平行的方向，以恒定的速度施加拉力；(5)计算百分比：用最终薄膜表面方格的脱落百分比来定量评价以碲镉汞为基底的薄膜附着力。该方法具有操作方便、数据直观、成本低和非破坏性等优点，并且能对正式的碲镉汞样品进行在线检测。
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