公开(公告)号：CN100460885C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610027355.5

申请日：2006-06-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 杨晓阳 ,  陈新禹 ,  林杏潮 ,  陆荣 ,  邵秀华 ,  张莉萍 ,  龚海梅

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/00 ,  G01R33/12

Abstract: 一种基于多样品霍尔效应自动测试设备，系为多片样片霍尔效应自动测试设备，主要应用于批量半导体材料电学输运性能的测试。该设备主要由一个主系统和一个从系统及一只PC机组成。主系统主要负责测试信号的产生和接收，测试过程中被测样品的自动切换；从系统主要负责提供测试平台和测试磁场。设备电学参数的测量，并将测试结果显示在测试面板上。本设备的最大的优点是可以实现多片样品的连续测量，以及对于磁场的精确控制，从而提高了测试效率和测试精度。另外可以实现半导体材料测试电极的I-V曲线测试，变磁场霍尔效应测试，以及电子数据的存储，从而自动完成批量被测样品的测试及测试结果记录的整个过程。

公开(公告)号：CN1075831A

公开(公告)日：1993-09-01

申请号：CN92113809.1

申请日：1992-12-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 袁诗鑫 ,  李杰 ,  彭中灵 ,  陈新禹 ,  俞锦陛 ,  郭世平 ,  乔怡敏 ,  于梅芳 ,  谢钦熙

IPC: H01S3/18 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所造成的失配位错，提高晶体结构完整性，提高了半导体激光器性能。在n区夹一层50纳米的Zn1-xCdzSySc1-y，在激光器的正向偏压下就可以提高空穴的阻挡作用，增加激光器量子效率。并用原子层掺杂，改善了P型区的欧姆接触性质。

公开(公告)号：CN1885051A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610027355.5

申请日：2006-06-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 杨晓阳 ,  陈新禹 ,  林杏潮 ,  陆荣 ,  邵秀华 ,  张莉萍

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/00 ,  G01R33/12

Abstract: 一种基于多样品霍尔效应测试设备，系为多片样片霍尔效应测试设备，主要应用于批量半导体材料电学输运性能的测试。该设备主要由一个主系统和一个从系统及一只PC机组成。主系统主要负责测试信号的产生和接收，测试过程中被测样品的自动切换；从系统主要负责提供测试平台和测试磁场。设备电学参数的测量，并将测试结果显示在测试面板上。本设备的最大的优点是可以实现多片样品的连续测量，以及对于磁场的精确控制，从而提高了测试效率和测试精度。另外可以实现半导体材料测试电极的I－V曲线测试，变磁场霍尔效应测试，以及电子数据的存储，从而自动完成批量被测样品的测试及测试结果记录的整个过程。

公开(公告)号：CN1025526C

公开(公告)日：1994-07-20

申请号：CN92113809.1

申请日：1992-12-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 袁诗鑫 ,  李杰 ,  彭中灵 ,  陈新禹 ,  俞锦陛 ,  郭世平 ,  乔怡敏 ,  于梅芳 ,  谢钦熙

IPC: H01S3/18 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所造成的失配位错，提高晶体结构完整性，提高了半导体激光器性能。在n区夹一层50纳米的Zn1-xCdxSySe1-y，在激光器的正向偏压下就可以提高空穴的阻挡作用，增加激光器量子效率。并用原子层掺杂，改善了P型区的欧姆接触性质。

公开(公告)号：CN2327963Y

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98223019.2

申请日：1998-01-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 康荔学 ,  方家熊 ,  李言谨 ,  邱惠国 ,  唐军 ,  陈新禹 ,  严静

IPC: F25D3/10

Abstract: 本实用新型提供了一种在真空腔内可以安装低温前放电路组件且可控温的多工位工作的多元红外探测器低温前放组件杜瓦。包括杜瓦内胆外结构、温控机构、冷屏、杜瓦内胆的内结构、窗口、电极引线、杜瓦外壳;可确保六块低温电路模块工作在其最佳工作温度120—140K,而红外探测器仍工作在液氮温度78K。

公开(公告)号：CN2322100Y

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98223020.6

申请日：1998-01-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 康荔学 ,  方家熊 ,  李言谨 ,  邱惠国 ,  唐军 ,  陈新禹

IPC: F25D3/10

Abstract: 本焦平面器件用液氮金属灶瓦具有液氮温度冷背景、全屏蔽引线抗干扰、探测器和双层平面引线环的金丝引线可单独在操作台上进行超声压焊,然后安装到杜瓦内胆的冷头平台上即可,装拆十分方便,可以竖、侧工位工作,并且只要一次输满液氮就可进行长时间实验。

公开(公告)号：CN2529386Y

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN01255189.9

申请日：2001-12-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王平 ,  朱龙源 ,  刘诗嘉 ,  陈新禹 ,  李向阳

IPC: H01L31/00 ,  G01J1/02

Abstract: 本实用新型公开了一种碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片，芯片由白宝石衬底上固定的碲镉汞材料，在碲镉汞材料表面依次生成氧化层和二氧化硅层，再在二氧化硅层上方，在微小光敏元以外的区域蒸镀一层金属膜组成。所说的微小光敏元的大小根据需要而定。本实用新型的特点是通过增加绝缘层并使电极区域延伸到少数载流子扩散长度之外，来延长光生载流子在碲镉汞材料体内的维持时间，增加其有效寿命，从而提高了器件的性能。该器件特别适用于高空间分辨率的航天红外遥感仪器。