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公开(公告)号：CN103117241A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310039849.5
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种物理刻蚀工艺中的贴片方法：其步骤为：(1)选取胶带：需要采用聚酰亚胺耐高温双面胶带；(2)裁剪双面胶：将聚酰亚胺双面胶带裁剪成比所需刻蚀样品稍大的尺寸；(3)固定胶带：将聚酰亚胺双面胶带的下表面保护膜剥离后牢固地粘在刻蚀机的样品台上，然后将胶带的上表面保护膜也除去；(4)粘贴样品：将需要刻蚀的样品放置在聚酰亚胺双面胶上，并加以一定的正压力将样品牢固地与聚酰亚胺胶带进行粘接；(5)剥离胶带：在物理刻蚀工艺完成后，一般的硬质刻蚀样品可以直接从聚酰亚胺双面胶带上取下，然后将胶带从样品台上剥离即可。该方法具有操作方便、导热性好、刻蚀图形佳和成本低等优点。
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公开(公告)号：CN102543791A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019073.6
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种以碲镉汞为基底的薄膜附着力定量测试方法：(1)光刻图形：用光刻的方法在碲镉汞基底上的薄膜表面形成方格图形；(2)形成方格：用刻蚀或浮胶的方法将薄膜分割形成若干方格；(3)粘贴胶带：将胶带粘在薄膜上，并施以一定的正压力；(4)剥离薄膜：将胶带折起沿与薄膜平行的方向，以恒定的速度施加拉力；(5)计算百分比：用最终薄膜表面方格的脱落百分比来定量评价以碲镉汞为基底的薄膜附着力。该方法具有操作方便、数据直观、成本低和非破坏性等优点，并且能对正式的碲镉汞样品进行在线检测。
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公开(公告)号：CN113013026A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110100756.3
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/265 , H01L31/18 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种用于提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法。本发明利用碲镉汞半导体材料中Te‑Hg键结合能低的特点，通过氩离子束刻蚀在n型碲镉汞体内产生大量的汞填隙原子，在表面形成汞原子的稳态扩散源，汞填隙原子在体内扩散的同时，对材料内部的汞空位进行填充，实现对n型碲镉汞载流子浓度的有效调整；刻蚀过程中，汞填隙原子在氩离子的碰撞中获得能量，扩散过程中能量的释放也会改善材料内部可能存在的应力和缺陷，从而提高n型碲镉汞载流子迁移率。本方法操作简单，工艺周期短，采用该方法处理后的n型材料载流子输运参数得到明显改善，大大提高了材料的成品率。
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公开(公告)号：CN106449853A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610893991.X
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器。器件结构包括：蓝宝石衬底；在衬底上制作矩形敏感元和补偿元，补偿元在敏感元任一侧，敏感元剖面呈倒凹形，与衬底之间有空气夹层，补偿元直接制作在衬底上；敏感元与补偿元矩形短边的内外两侧各制作电极端；敏感元与补偿元之间临近的电极连通形成公共电极，作为信号引出端。该结构使得热敏探测器的响应率大大提高；“亮”补偿元的设计不仅满足了对环境温度波动的补偿，而且有效降低了工艺制作难度。
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公开(公告)号：CN103849843A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020952.X
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种具有五靶头的磁控共溅射设备，本发明磁控溅射设备在腔体内设置有三个溅射靶、基片台、基片台支架、基片台挡板。所述的三个溅射靶包括两个单靶头溅射靶和一个三靶头溅射靶，可通过旋转安装于所述的腔体外侧的转轮把手选择溅射靶材。所述的基片台支架用于支撑基片台，所述的基片台挡板安装在基片台上方。本发明提供的磁控溅射设备，可实现五种溅射靶材料单独溅射或三靶共聚焦溅射功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101728403B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200910226302.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , H01L21/60 , G01J1/02
CPC classification number: H01L2224/73204
Abstract: 本专利公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。
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公开(公告)号：CN103187424B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310039941.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本发明的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。
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公开(公告)号：CN103187424A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310039941.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本发明的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。
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公开(公告)号：CN101226971A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810033428.0
申请日：2008-02-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法。该方法是对离子注入后的碲镉汞样品进行光刻定义出氢离子处理区域，然后将样品置于氢离子氛围中进行处理；氢离子处理区域大小的确定是通过变面积方法来确定，自初始定义的离子注入区域大小开始逐渐扩大氢离子处理区域，对经过不同区域氢离子处理的碲镉汞样品进行电流－电压曲线测量，通过观察反向偏压下暗电流的增大现象来确定氢离子处理区域的大小。
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公开(公告)号：CN109238475A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810945362.6
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种有弯曲支撑腿微桥结构的锰钴镍氧热敏电阻探测器及方法，包括一双抛蓝宝石衬底；磁控溅射法生长的SiO2桥墩；一锰钴镍氧薄膜材料；制作成弯曲腿结构的欧姆接触电极。弯曲腿与锰钴镍材料下方的牺牲层释放后，形成自支撑的悬空结构。该结构不仅降低了光敏面与下方衬底之间直接的热传导，而且有效降低了电极与衬底之间的热传导，使得热敏探测器的响应率大大提高。
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