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公开(公告)号：CN104882455A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510296105.0
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器及微透镜阵列的制备方法。背照式紫外焦平面探测器由以下几个部分组成：紫外光敏元阵列芯片、读出电路、混成互连铟柱、微透镜阵列。微透镜阵列在紫外光敏元阵列芯片的宝石片衬底上采用光刻胶光刻、高温成型、等离子体刻蚀等步骤加工形成。本发明的优点是：集成微透镜阵列之后，紫外光敏元的面积可以大幅度减少，从而使紫外光敏元具有高的零偏压动态电阻R0和小的结电容，从而有利于减小读出电路的噪声以及提高紫外探测器的探测率。
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公开(公告)号：CN102201484B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110117457.7
申请日：2011-05-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件及制备方法，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆形；沉积p包裹型欧姆电极，该p包裹型欧姆电极为方形或圆形，将p型微台面包裹起来，边缘落于p型微台面下p型薄膜层表面；将p型薄膜层和本征薄膜层刻蚀形成器件台面，该器件台面为方形或圆形，边长或半径大于p型微台面边长或半径20-100μm；沉积环形或长条形n型欧姆电极。本器件的结构有利于提高器件的外量子效率、响应抑制比和灵敏度，器件暗电流也得到进一步的降低。
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公开(公告)号：CN101335308B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810041159.2
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的，整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及的探测器具有p-i-n结构，其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制备等。相对于普通GaN基紫外探测器，本发明所提供的器件具有内增益，暗电流小，性能稳定，制备工艺简单，探测信噪比高，可以对弱紫外信号进行探测等优点。
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公开(公告)号：CN102134491A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010565046.X
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法，氮化镓表面腐蚀液由浓度为1±0.1摩尔/升的氢氧化钾溶液加热到35摄氏度后溶解进浓度为2±0.2摩尔/升的碳酸钾配制而成，腐蚀液的优点在于：腐蚀工艺所需的温度低、腐蚀后氮化镓表面状态好。
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公开(公告)号：CN113054057A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110263201.0
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法。该工艺方法包括以硝酸、三氯化钌或硫化钠为钝化液，对洁净的氮化镓及氮化镓三元合金进行第一次钝化；第一次钝化清洗后外延生长二氧化硅或氮化硅薄膜进行第二次钝化；器件成型后以硝酸、三氯化钌或硫化钠为钝化液进行第三次钝化。使用本发明的钝化工艺有效降低氮化镓及氮化镓三元合金器件的表面漏电流和暗电流，提高器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102134491B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010565046.X
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法，氮化镓表面腐蚀液由浓度为1±0.1摩尔/升的氢氧化钾溶液加热到35摄氏度后溶解进浓度为2±0.2摩尔/升的碳酸钾配制而成，腐蚀液的优点在于：腐蚀工艺所需的温度低、腐蚀后氮化镓表面状态好。
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公开(公告)号：CN101866974B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010182345.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本专利的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN101866974A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010182345.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本发明的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN113013285A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110100754.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种矫正焦平面探测器倒焊工艺系统误差的工艺方法。本方法在高平整度透明材料上生长铟柱，剥离后得到试样，试样上同步制备了测量尺标记。两块试样倒焊互连后，利用测量尺标记，对倒焊的对准精度进行测量。然后同设备自带的标准件进行比较，来矫正系统误差，减小了铟柱倒焊时产生的偏移量。由于设备标准件是没用铟柱的，因此，制备铟柱测量尺试样，变得尤为重要，这将是矫正倒焊工艺系统误差的捷径。本方法避免了由于高密度铟柱间距小，互连过程中相邻铟柱的触碰，从而导致像元间短路的问题，有效提高大规模高密度焦平面探测器的连通率和倒焊成品率；本方法不受阵列规模和像元尺寸的限制，可以方便地应用于各种面阵器件。
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公开(公告)号：CN102593233A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210073695.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN结构紫外探测器件及制备方法，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本发明方法所制备的器件，生长材料质量较高，位错、缺陷密度小，器件的暗电流小，性能稳定，反偏电压下暗电流几乎不变，量子效率却得到大幅提高。
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