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公开(公告)号：CN119767805A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411961686.0
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种垂直型碲镉汞红外探测器及制作方法，垂直型碲镉汞红外探测器包括基板和设置于基板的上表面之上的具有阳极氧化层的碲镉汞材料层；碲镉汞材料层的下表面设置下电极，碲镉汞材料层的上表面设置上电极，基板的上表面设置有过渡电极层；其中过渡电极层与下电极通过铟柱阵列倒焊互连。本发明的垂直型碲镉汞光导器件结构，使得探测器内部的电场由水平分布改为垂直分布，大幅减小探测器电阻，在相同的偏置条件下可有效减小探测器的功耗。此外，垂直型碲镉汞探测器更容易偏置在恒压模式下，具有更好的响应线性度，对于傅里叶变换光谱仪应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116544294A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310027692.8
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/102 , H01L31/024 , H01L31/0296 , H01L31/02 , G05D23/24
Abstract: 本发明公开了一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件，其结构从下往上依次为三级半导体制冷器，环氧胶，锰钴镍氧热敏电阻，环氧胶，碲镉汞探测器；其中锰钴镍氧热敏电阻结构从下往上依次为蓝宝石衬底，锰钴镍氧薄膜，以及热敏薄膜表面两侧的镉/金复合电极；其中碲镉汞探测器结构从下往上依次为蓝宝石衬底，环氧胶，碲镉汞功能材料，阳极氧化层，ZnS增透层，以及碲镉汞材料表面两侧的铟/金复合电极。该探测器组件不仅能够准确测得探测器温度的实时变化，而且有效解决了常规工艺中将热敏电阻贴附在探测器侧壁上带来的温度漂移问题，使得碲镉汞探测器的精确控温成为可能，极大缓解了高精度应用场景中对探测器控温精度的要求。
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公开(公告)号：CN109148623A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810945383.8
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法，其结构为在双抛透明蓝宝石衬底上依次有缓冲层，非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层，n型Al0.45Ga0.55N层，倍增区非故意掺杂AlN层，p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区弱p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区p型Al0.45Ga0.55N层，p型GaN帽层；在p型GaN帽层与n型Al0.45Ga0.55N层上分别有p型与n型欧姆接触电极；一钝化层，覆盖在刻蚀到n型Al0.45Ga0.55N层的台面上，对刻蚀台面进行保护。该器件最大的优点是利用弱p型Al0.45Ga0.55N层作为吸收区，AlN作为倍增区，这能够有效降低AlGaN基雪崩二极管的过剩噪声，提高器件的信噪比，而且有助于提高器件的紫外抑制比。
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公开(公告)号：CN106449853A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610893991.X
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器。器件结构包括：蓝宝石衬底；在衬底上制作矩形敏感元和补偿元，补偿元在敏感元任一侧，敏感元剖面呈倒凹形，与衬底之间有空气夹层，补偿元直接制作在衬底上；敏感元与补偿元矩形短边的内外两侧各制作电极端；敏感元与补偿元之间临近的电极连通形成公共电极，作为信号引出端。该结构使得热敏探测器的响应率大大提高；“亮”补偿元的设计不仅满足了对环境温度波动的补偿，而且有效降低了工艺制作难度。
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公开(公告)号：CN102593233A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210073695.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN结构紫外探测器件及制备方法，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本发明方法所制备的器件，生长材料质量较高，位错、缺陷密度小，器件的暗电流小，性能稳定，反偏电压下暗电流几乎不变，量子效率却得到大幅提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102201484B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110117457.7
申请日：2011-05-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件及制备方法，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆形；沉积p包裹型欧姆电极，该p包裹型欧姆电极为方形或圆形，将p型微台面包裹起来，边缘落于p型微台面下p型薄膜层表面；将p型薄膜层和本征薄膜层刻蚀形成器件台面，该器件台面为方形或圆形，边长或半径大于p型微台面边长或半径20-100μm；沉积环形或长条形n型欧姆电极。本器件的结构有利于提高器件的外量子效率、响应抑制比和灵敏度，器件暗电流也得到进一步的降低。
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公开(公告)号：CN102134491A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010565046.X
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法，氮化镓表面腐蚀液由浓度为1±0.1摩尔/升的氢氧化钾溶液加热到35摄氏度后溶解进浓度为2±0.2摩尔/升的碳酸钾配制而成，腐蚀液的优点在于：腐蚀工艺所需的温度低、腐蚀后氮化镓表面状态好。
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公开(公告)号：CN109238475A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810945362.6
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种有弯曲支撑腿微桥结构的锰钴镍氧热敏电阻探测器及方法，包括一双抛蓝宝石衬底；磁控溅射法生长的SiO2桥墩；一锰钴镍氧薄膜材料；制作成弯曲腿结构的欧姆接触电极。弯曲腿与锰钴镍材料下方的牺牲层释放后，形成自支撑的悬空结构。该结构不仅降低了光敏面与下方衬底之间直接的热传导，而且有效降低了电极与衬底之间的热传导，使得热敏探测器的响应率大大提高。
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公开(公告)号：CN103165724A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310100349.8
申请日：2013-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/112 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器，其结构包括：衬底，此衬底为蓝宝石片；碲镉汞材料，该材料经双面粗、精抛处理后生长阳极氧化层；环氧树脂胶，此胶用作把碲镉汞材料与衬底粘结在一起；ZnS钝化层，该层起钝化材料表面和增透的双重作用；霍尔电极，此电极前后共四个，生长在碲镉汞材料上，用作霍尔测试和器件性能测试的信号引出电极；透明栅电极，该电极生长在ZnS钝化层上，通过此电极对器件施加栅压；加厚电极，此电极生长在透明栅电极上。该结构的探测器在器件性能测试和霍尔测试过程中均可施加栅压，获得器件性能最优时所需的栅压、材料载流子浓度、迁移率等电学参数条件，极大缩短器件的研制进程。
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公开(公告)号：CN102134491B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010565046.X
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法，氮化镓表面腐蚀液由浓度为1±0.1摩尔/升的氢氧化钾溶液加热到35摄氏度后溶解进浓度为2±0.2摩尔/升的碳酸钾配制而成，腐蚀液的优点在于：腐蚀工艺所需的温度低、腐蚀后氮化镓表面状态好。
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