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公开(公告)号：CN106449853A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610893991.X
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器。器件结构包括：蓝宝石衬底；在衬底上制作矩形敏感元和补偿元，补偿元在敏感元任一侧，敏感元剖面呈倒凹形，与衬底之间有空气夹层，补偿元直接制作在衬底上；敏感元与补偿元矩形短边的内外两侧各制作电极端；敏感元与补偿元之间临近的电极连通形成公共电极，作为信号引出端。该结构使得热敏探测器的响应率大大提高；“亮”补偿元的设计不仅满足了对环境温度波动的补偿，而且有效降低了工艺制作难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102593233A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210073695.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN结构紫外探测器件及制备方法，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本发明方法所制备的器件，生长材料质量较高，位错、缺陷密度小，器件的暗电流小，性能稳定，反偏电压下暗电流几乎不变，量子效率却得到大幅提高。
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公开(公告)号：CN109148623A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810945383.8
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法，其结构为在双抛透明蓝宝石衬底上依次有缓冲层，非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层，n型Al0.45Ga0.55N层，倍增区非故意掺杂AlN层，p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区弱p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区p型Al0.45Ga0.55N层，p型GaN帽层；在p型GaN帽层与n型Al0.45Ga0.55N层上分别有p型与n型欧姆接触电极；一钝化层，覆盖在刻蚀到n型Al0.45Ga0.55N层的台面上，对刻蚀台面进行保护。该器件最大的优点是利用弱p型Al0.45Ga0.55N层作为吸收区，AlN作为倍增区，这能够有效降低AlGaN基雪崩二极管的过剩噪声，提高器件的信噪比，而且有助于提高器件的紫外抑制比。
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公开(公告)号：CN109148623B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810945383.8
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法，其结构为在双抛透明蓝宝石衬底上依次有缓冲层，非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层，n型Al0.45Ga0.55N层，倍增区非故意掺杂AlN层，p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区弱p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区p型Al0.45Ga0.55N层，p型GaN帽层；在p型GaN帽层与n型Al0.45Ga0.55N层上分别有p型与n型欧姆接触电极；一钝化层，覆盖在刻蚀到n型Al0.45Ga0.55N层的台面上，对刻蚀台面进行保护。该器件最大的优点是利用弱p型Al0.45Ga0.55N层作为吸收区，AlN作为倍增区，这能够有效降低AlGaN基雪崩二极管的过剩噪声，提高器件的信噪比，而且有助于提高器件的紫外抑制比。
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公开(公告)号：CN206282868U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621119950.7
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/02
Abstract: 本专利公开了一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器。器件结构包括：蓝宝石衬底；在衬底上制作矩形敏感元和补偿元，补偿元在敏感元任一侧，敏感元剖面呈倒凹形，与衬底之间有空气夹层，补偿元直接制作在衬底上；敏感元与补偿元矩形短边的内外两侧各制作电极端；敏感元与补偿元之间临近的电极连通形成公共电极，作为信号引出端。该结构使得热敏探测器的响应率大大提高；“亮”补偿元的设计不仅满足了对环境温度波动的补偿，而且有效降低了工艺制作难度。
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公开(公告)号：CN202534671U
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201220104052.X
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352
Abstract: 本实用新型公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本专利方法所制备的器件，生长材料质量较高，位错、缺陷密度小，器件的暗电流小，性能稳定，反偏电压下暗电流几乎不变，量子效率却得到大幅提高。
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