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公开(公告)号：CN106435718A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611063662.9
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的石英套管，该石英套管由99.99999％的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭，一端开口的圆柱体结构，开口端与封闭门相连。石英限位管为圆柱体杯状结构，放置在石英外管内部，靠近封闭端。石英内管是一个一端封闭，一端带有椎度开口的圆柱体结构。石英塞也有带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，与石英内管匹配，石英塞与带弹簧的不锈钢管相连。石英内管和石英塞均放置在石英外管内部，靠近封闭门。石英内管内部放置可以进行气相外延的石墨舟。该石英套管用于碲镉汞气相外延生长，实现高密闭性、快速升降温的碲镉汞气相外延生长。
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公开(公告)号：CN102181922B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110063540.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/08
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器，该石英容器由用99.99999％的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，石英盒为圆柱体杯状结构，石英盒的底部放置晶体生长源材料，石英环放置在源材料的上方，晶体生长用衬底放置在石英环上，如果有多片衬底，则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒中，石英塞将石英盒口塞住密闭。这种石英容器可以解决碲镉汞等温气相外延中Hg损失的问题，从而提高材料的均匀性和外延面积，同时在一个石英容器里可以实现多片衬底的外延沉积。
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公开(公告)号：CN1885051A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610027355.5
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种基于多样品霍尔效应测试设备，系为多片样片霍尔效应测试设备，主要应用于批量半导体材料电学输运性能的测试。该设备主要由一个主系统和一个从系统及一只PC机组成。主系统主要负责测试信号的产生和接收，测试过程中被测样品的自动切换；从系统主要负责提供测试平台和测试磁场。设备电学参数的测量，并将测试结果显示在测试面板上。本设备的最大的优点是可以实现多片样品的连续测量，以及对于磁场的精确控制，从而提高了测试效率和测试精度。另外可以实现半导体材料测试电极的I－V曲线测试，变磁场霍尔效应测试，以及电子数据的存储，从而自动完成批量被测样品的测试及测试结果记录的整个过程。
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公开(公告)号：CN104630883A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410748474.4
申请日：2014-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延的多功能石墨舟，该石墨舟由石墨底座、石墨盖板、石墨掩片、石墨垫片四本部分组成，石墨掩片和石墨垫片可分别放入石墨底座内，石墨盖板置于石墨掩片和石墨垫片上部，对石墨底座进行密封。该石墨舟可以用于碲镉汞气相外延生长，可以实现多片(衬底尺寸可以控制在10mm*10mm～30mm*30mm)、异型形貌(如长方形、圆形、三角形、环形等)、异型尺寸(各种不规则尺寸衬底)的碲镉汞气相外延生长。为碲镉汞选择区域生长奠定了基础，该方法可以应用于短波、中波和长波碲镉汞等温气相外延领域。
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公开(公告)号：CN103849935A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020955.3
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲化锌晶体空间生长用石英安瓿。它是一种石英双层结构安瓿。内部是样品石英坩锅，依次装入材料、石英塞子，将其在真空下熔融封装，石英坩锅两头要求平坦。然后将石英坩锅及减振材料按顺序安装，填入石英安瓿外管内，抽真空后封装成双层安瓿。它的结构安全可靠，尤其适合应用在对力学环境要求严格的空间生长实验中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106435718B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201611063662.9
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的石英套管，该石英套管由99.99999％的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭，一端开口的圆柱体结构，开口端与封闭门相连。石英限位管为圆柱体杯状结构，放置在石英外管内部，靠近封闭端。石英内管是一个一端封闭，一端带有椎度开口的圆柱体结构。石英塞也有带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，与石英内管匹配，石英塞与带弹簧的不锈钢管相连。石英内管和石英塞均放置在石英外管内部，靠近封闭门。石英内管内部放置可以进行气相外延的石墨舟。该石英套管用于碲镉汞气相外延生长，实现高密闭性、快速升降温的碲镉汞气相外延生长。
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公开(公告)号：CN102181922A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110063540.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/08
Abstract: 本专利公开了一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器，该石英容器由用99.99999％的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，石英盒为圆柱体杯状结构，石英盒的底部放置晶体生长源材料，石英环放置在源材料的上方，晶体生长用衬底放置在石英环上，如果有多片衬底，则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒中，石英塞将石英盒口塞住密闭。这种石英容器可以解决碲镉汞等温气相外延中Hg损失的问题，从而提高材料的均匀性和外延面积，同时在一个石英容器里可以实现多片衬底的外延沉积。
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公开(公告)号：CN100460885C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610027355.5
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种基于多样品霍尔效应自动测试设备，系为多片样片霍尔效应自动测试设备，主要应用于批量半导体材料电学输运性能的测试。该设备主要由一个主系统和一个从系统及一只PC机组成。主系统主要负责测试信号的产生和接收，测试过程中被测样品的自动切换；从系统主要负责提供测试平台和测试磁场。设备电学参数的测量，并将测试结果显示在测试面板上。本设备的最大的优点是可以实现多片样品的连续测量，以及对于磁场的精确控制，从而提高了测试效率和测试精度。另外可以实现半导体材料测试电极的I-V曲线测试，变磁场霍尔效应测试，以及电子数据的存储，从而自动完成批量被测样品的测试及测试结果记录的整个过程。
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公开(公告)号：CN103668448A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310590963.7
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法，该方法进行金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延，材料在77k温度下，金掺杂外延材料的迁移率为1.39E+02cm2/Vs，载流子浓度可以达到2×1018cm-3，为典型的p型材料。而相同条件下不进行金掺杂的迁移率为6.42E+04cm2/Vs，载流子浓度为3×1015cm-3，为典型的n型材料。因此，该方法金掺杂的激活率非常高。本方法可以提高掺杂型长波p材料电学参数的稳定性，同时该掺杂在低成本的气相外延设备里即可以实现。
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公开(公告)号：CN1327047C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410066229.1
申请日：2004-09-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法，该方法的特征是：在已有的碲镉汞N型热处理方法前插入一种低汞压热处理方法，这种方法能有效消除与Hg、Cd过量相关的位错，使材料成品率和性能得到提高。本发明的最大优点在于对仪器设备没有作任何改变，只是在工艺上略作变动，却获得很好的效果。
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