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公开(公告)号：CN100541808C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810036256.2
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区，其特征是：信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置，在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、SiO2层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法，主要包括复合绝缘介质的置备。本发明的优点是：电极区采用多层立交布置，增大了光敏面的有效使用面积，提高了器件的成像性能。本发明特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件，尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。
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公开(公告)号：CN115513315A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211112869.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法，碲镉汞探测器芯片包括衬底、环氧树脂胶、p型光敏层、n型离子注入层、钝化层、n型电极层和p型电极层，p型光敏层是Hg1‑xCdxTe组分渐变层，沿背离衬底方向依次包括Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层和Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层，Cd组分x从高到低由Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层的上表面渐变至Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层的下表面。本发明芯片的n型离子注入层形成在Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层内，渐变带隙引入的较强内建电场通过提高空穴的漂移速度，减少空穴在空间电荷区的堆积，同时抑制p区载流子的扩散运动，降低pn结对p区光生电子的收集效率，降低空间电荷区的载流子浓度，提高芯片饱和阈值，实现室温零偏置电压下工作。
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公开(公告)号：CN101494244A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910046992.0
申请日：2009-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一AlN缓冲层；Si掺杂的n型AlxGa1－xN(0＜x≤0.8)层；一有源层，为本征或弱n掺杂的GaN层；一p型欧姆接触层，为Mg掺杂的p型GaN。通过Si离子注入工艺制备n+型的沟道，此n+型沟道连通n型AlxGa1－xN(0＜x≤0.8)层，有源层及p型欧姆接触层；一n型欧姆接触电极，该欧姆接触电极制作在n+沟道上；一p型欧姆接触电极，此电极制作在p型欧姆接触层上，构成背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器。
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公开(公告)号：CN103187424B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310039941.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本发明的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。
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公开(公告)号：CN103187424A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310039941.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本发明的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579406A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310469889.3
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/022408
Abstract: 本发明公开了一种改善响应光谱平整度的红外探测器结构，它包括金属电极、衬底、光敏感区和其它介质，金属电极位于矩形光敏感区的左右两边，其它介质位于矩形光敏感区的上下两边；所述的其它介质采用与光敏感区相同的材料，电学上与金属电极和光敏感区隔离。本发明的器件结构简单且有效，消除了响应光谱谱形的非线形，提高了光谱的平整度。
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公开(公告)号：CN101707215B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910226314.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AlN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。
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公开(公告)号：CN101707215A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910226314.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。
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公开(公告)号：CN101261998A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036256.2
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区，其特征是：信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置，在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、SiO2层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法，主要包括复合绝缘介质的置备。本发明的优点是：电极区采用多层立交布置，增大了光敏面的有效使用面积，提高了器件的成像性能。本发明特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件，尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。
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公开(公告)号：CN203134797U
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201320057160.0
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本实用新型的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。
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