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公开(公告)号：CN101728450B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910225371.9
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该碲镉汞晶片双面精抛处理且长有阳极氧化膜，其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶，此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极，此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上，通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路，此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。
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公开(公告)号：CN101866974B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010182345.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本专利的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN101997052A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010276213.9
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器，其特征在于：该曲线延伸电极由内弧形结构区和电极延伸结构区组成，内弧形结构区和电极延伸结构区两者交界处为一个半椭圆曲线。采用该曲线延伸电极结构的碲镉汞芯片具有如下的优点：曲线延伸电极结构更加简单，延伸性更好，这种电极结构不仅可使用在大尺寸的光敏面器件上，而且可用于井伸电极所不能使用的小尺寸光敏面器件上；曲线延伸电极的电极可焊接区域面积更大，能够更加方便的进行电极引出操作；曲线延伸电极的电极引出可实行机械化操作，从而保证了焊点的一致性和稳定性，提高了产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN101866974A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010182345.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本发明的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN101211958A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710172703.2
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN－PZT焦平面探测器，它采用两种不同响应波段材料同相叠加集成结构。利用多层薄膜结构中不同层对于不同光子能量的光吸收的差别，实现了在紫外到红外的宽波段吸收和高分辨率的有机结合。外延层AlGaN作为紫外吸收层，吸收能量大于其禁带宽度的入射光子，并转化为光电流；同时作为窗口层，使能量小于其禁带宽度的入射光子透过。透过的光子被LaNiO3吸收转化为热量，传递给PZT材料，利用热释电性质，得到光信号。本发明的优点是：适应大规模焦平面应用，并且可以室温工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931516B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201911124447.9
申请日：2019-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , G01J5/28
Abstract: 本发明公开了一种用于红外宽光谱分光快速测温的碲镉汞光导器件，器件的探测器光敏元的数目与所需探测的光谱数相同，光敏元的尺寸位置与红外光谱成像系统的色散光点位置相对应。并增设了一元用于探测器定位的激光参考元，该参考元位于激光色散光谱位置处，本发明的优点在于：探测器像元尺寸在色散方向上根据色散光点分布图设计成不同的尺寸，来进行光谱采样；探测器可对探测位置进行定位。
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公开(公告)号：CN110931516A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911124447.9
申请日：2019-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , G01J5/28
Abstract: 本发明公开了一种用于红外宽光谱分光快速测温的碲镉汞光导器件，器件的探测器光敏元的数目与所需探测的光谱数相同，光敏元的尺寸位置与红外光谱成像系统的色散光点位置相对应。并增设了一元用于探测器定位的激光参考元，该参考元位于激光色散光谱位置处，本发明的优点在于：探测器像元尺寸在色散方向上根据色散光点分布图设计成不同的尺寸，来进行光谱采样；探测器可对探测位置进行定位。
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公开(公告)号：CN101728403B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200910226302.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , H01L21/60 , G01J1/02
CPC classification number: H01L2224/73204
Abstract: 本专利公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。
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公开(公告)号：CN101494244A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910046992.0
申请日：2009-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一AlN缓冲层；Si掺杂的n型AlxGa1－xN(0＜x≤0.8)层；一有源层，为本征或弱n掺杂的GaN层；一p型欧姆接触层，为Mg掺杂的p型GaN。通过Si离子注入工艺制备n+型的沟道，此n+型沟道连通n型AlxGa1－xN(0＜x≤0.8)层，有源层及p型欧姆接触层；一n型欧姆接触电极，该欧姆接触电极制作在n+沟道上；一p型欧姆接触电极，此电极制作在p型欧姆接触层上，构成背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器。
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公开(公告)号：CN1937233A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610031016.4
申请日：2006-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L31/09 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法，所述的抗反膜是置在光敏元列阵、信号引出电极区和公共电极区上的。置于光敏元列阵上的抗反膜是0.8－1.5微米厚的ZnS材料，置在信号引出电极区和公共电极区上的抗反膜是厚度在150～200的铟膜。所述制备方法的特征在于：在抗反膜铟膜形成后再对其进行氧等离子再处理，使铟膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的铟更为暗淡，反射系数达到此材料的低极限水平。本发明的优点是能最大限度接收入射光的信号，提高了器件的光电效率。本发明特别适合大面积电极区的器件，如带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器。
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