公开(公告)号：CN1316590C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200380102372.5

申请日：2003-12-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 拉里·克莱温格 ,  蒂莫西·达尔顿 ,  马克·霍因克斯 ,  斯蒂芬斯·达尔多 ,  考施科·库玛 ,  小道格拉斯·拉图利普 ,  徐顺天 ,  安德鲁·西蒙 ,  王允愈 ,  杨智超 ,  杨海宁

IPC: H01L21/768

Abstract: 公开了一种在用于半导体晶片的互连结构上沉积金属层的方法。在该方法中，金属导体(14)被帽盖层(16)和介质层(18)覆盖。对介质层图案化以露出帽盖层。然后对帽盖层溅射蚀刻以去除帽盖层并露出金属导体(14)。在溅射蚀刻过程中，帽盖层被重新沉积(22)到图案的侧壁上。最后，至少一层被沉积到图案中并覆盖重新沉积的帽盖层。

公开(公告)号：CN1959976A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610136621.8

申请日：2006-10-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杰克·A·曼德尔曼 ,  许履尘 ,  杨智超 ,  威廉·汤蒂

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/942 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了同时包含高k和低k电介质区域的制造方法及后端(BEOL)金属化结构。互连结构包含第一层间电介质(ILD)层和第二ILD层，该第一ILD层位于第二ILD层下方。多个柱状空气间隙形成于第一ILD层内。由双相光致抗蚀剂材料产生该柱状空气间隙结构，其中该双相光致抗蚀剂材料用于提供在后续工艺中的不同蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN1779946A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510108395.8

申请日：2005-10-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小凯波勒 ,  L·A·克莱文格尔 ,  T·J·达尔顿 ,  P·W·德黑文 ,  C·T·迪兹奥布科沃斯基 ,  方隼飞 ,  T·A·斯普纳 ,  T-L·L·泰 ,  K·H·翁 ,  杨智超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76888

Abstract: 一种具有低接触电阻和改善的可靠性的新颖层间接触过孔结构，以及形成该接触过孔的方法。所述方法包括以下步骤：穿过层间介质层蚀刻开口，以露出下面的金属(铜)层表面；以及在所述露出的下面的金属中进行惰性气体(氮)的低能量离子注入；以及在所述过孔结构的侧壁和底部中沉积耐熔衬里，由于进行了惰性气体注入，所述耐熔衬里将具有较低的接触电阻。优选地，所述惰性氮气与所述下面露出的铜金属反应，以形成薄CuN层。

公开(公告)号：CN1708846A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102372.5

申请日：2003-12-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 拉里·克莱温格 ,  蒂莫西·达尔顿 ,  马克·霍因克斯 ,  斯蒂芬斯·达尔多 ,  考施科·库玛 ,  小道格拉斯·拉图利普 ,  徐顺天 ,  安德鲁·西蒙 ,  王允愈 ,  杨智超 ,  杨海宁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76865

Abstract: 公开了一种在用于半导体晶片的互连结构上沉积金属层的方法。在该方法中，金属导体(14)被帽盖层(16)和介质层(18)覆盖。对介质层图案化以露出帽盖层。然后对帽盖层溅射蚀刻以去除帽盖层并露出金属导体(14)。在溅射蚀刻过程中，帽盖层被重新沉积(22)到图案的侧壁上。最后，至少一层被沉积到图案中并覆盖重新沉积的帽盖层。

公开(公告)号：CN1601702A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410032489.7

申请日：2004-04-09

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 ,  国际商业机器公司 ,  联华电子股份有限公司

Inventor： K·川恩达 ,  L·柯利文格尔 ,  A·考利 ,  方隼飞 ,  S·格利高 ,  A·H·西蒙 ,  T·斯布恩尔 ,  王允愈 ,  杨智超

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/443

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865

Abstract: 本发明系提供一种在一单一沉积反应室中制造半导体装置之方法，而其中该半导体装置系具有一介电结构，而在该介电结构之上系为使用微影以及蚀刻技术而被选择性地图案化之互连结构。在溅镀蚀刻程序之前，该介电结构系可藉由扩散阻障材质而被选择性地加以覆盖。此溅镀蚀刻程序系用于移除在底下之金属导体表面的原生氧化物，并且包括同时执行之方向性气体轰击以及中性金属沉积。扩散阻障材质亦可以被沉积进入该图案之中。

公开(公告)号：CN116601706A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180084132.5

申请日：2021-12-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·范德斯特拉滕 ,  本山幸一 ,  郑镇权 ,  J·马尼斯卡尔科 ,  杨智超

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种存储装置及其形成方法，包括在导电结构上方的底部电极，该导电结构被嵌入在互连电介质材料中。位于所述底部电极上方的磁性隧道结堆叠由所述底部电极上方的磁性参考层、所述磁性参考层上方的隧道势垒层、以及所述隧道势垒层上方的横向凹陷的磁性自由层形成。侧壁间隔物围绕所述横向凹陷的磁性自由层，以用于限制由所述横向凹陷的磁性自由层和所述隧道势垒层形成的有源区。

公开(公告)号：CN107112217B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201680005203.7

申请日：2016-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 何虹 ,  王俊利 ,  杨智超 ,  李俊涛

IPC: H01L21/28

Abstract: 描述了一种制造晶体管器件中的替代金属栅极的方法、鳍型场效应晶体管(finFET)、以及一种制造具有替代金属栅极的finFET器件的方法。该制造替代金属栅极的方法包括：在衬底(110)之上形成伪栅极结构(140)，伪栅极结构(140)被绝缘层(120)包围；以及去除伪栅极结构(140)以在绝缘层(120)内暴露沟槽(121)。该方法还包括在绝缘层(120)之上和在沟槽(121)中保形地沉积电介质材料层(160)和功函数金属层(170)，并且从绝缘层(120)的顶表面去除电介质材料层(160)和功函数金属层(170)；使功函数金属层(170)凹陷到沟槽(121)的顶部下方；以及仅在功函数金属层(170)的暴露表面上选择性地形成栅极金属(190)。

公开(公告)号：CN111295771A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201880071062.8

申请日：2018-11-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 ,  杨智超 ,  B·布里格斯 ,  M·里佐罗 ,  L·克莱文杰

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底之上沉积绝缘层，蚀刻绝缘层以形成用于接收第一导电材料的多个沟槽，在多个沟槽中的至少一个沟槽之上形成电阻切换存储器元件，电阻切换存储器元件具有形成在其上的导电盖，以及在沟槽之上沉积电介质盖。该方法还包括蚀刻绝缘层的部分以暴露形成在电阻切换存储器元件上方的电介质盖的一部分，蚀刻电介质盖的暴露部分以暴露电阻切换存储器元件的导电盖，以及形成与导电盖的暴露部分直接接触的阻挡层。

公开(公告)号：CN103563086B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201280025984.8

申请日：2012-03-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.波诺思 ,  D.V.霍拉克 ,  C.W.科伯格 ,  杨智超

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H04L45/58 ,  H04L49/15 ,  H04L49/45

Abstract: 本发明的实施例提供一种结构。该结构包括：多个场效应晶体管，这些场效应晶体管具有形成在半导体基板的顶部上的栅极堆叠，栅极堆叠具有形成在其侧壁的间隙壁；以及一个或多个导电接触，直接形成在半导体基板的顶部上，并且将多个场效应晶体管之一的至少一个源极/漏极互连到多个场效应晶体管的另一个的至少一个源极/漏极，其中一个或多个导电接触是低轮廓局部互连的一部分，低轮廓局部互连的高度低于栅极堆叠的高度。

公开(公告)号：CN103688349B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280018162.7

申请日：2012-04-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  S.M.盖茨 ,  李保振 ,  D.埃德尔斯坦

IPC: H01L21/82 ,  H01L23/62 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种改进的电熔丝（e?熔丝）装置（200）包括：具有第一顶面（108）的电介质层（102）；嵌入到电介质层（102）中的两个导电元件（104、106）；以及熔丝元件（122）。每个导电元件（104、106）均具有第二顶面（110、112）和直接位于第二顶面（110、112）上的金属覆盖物（114、116）。每个金属覆盖物（114、116）均具有位于电介质层（102）的第一顶面（108）上方的第三顶面（118、120）。熔丝元件（122）位于每个金属覆盖物（114、116）的第三顶面（118、120）以及所述电介质层（102）的第一顶面（108）上。还提供一种制造该e?熔丝装置（200）的方法。