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公开(公告)号：CN101496220B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN200680038047.0
申请日：2006-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01P1/10
CPC classification number: H01H50/005 , H01H2050/007 , Y10T29/4902 , Y10T29/49105 , Y10T29/49147
Abstract: 本发明提供一种MEM开关，具有在微腔(40)内自由移动的元件(140)，并被至少一个电感元件所引导。开关包括：上电感线圈(170)；非必需的下电感线圈(190)，每个电感线圈都具有优选地由透磁合金制成的磁芯(180，200)；微腔(40)；和自由移动的开关元件(140)，该开关元件也由磁性材料制成。通过使电流流过上线圈，在线圈元件中感应出磁场来实现开关。磁场向上吸引自由移动的磁性元件，将两根开路的导线(M_l，M_r)短路，从而闭合开关。当电流停止或反向时，自由移动的磁性元件由于重力而落到微腔的底部，并且将导线开路。当无法利用重力时，就必需有下线圈，以拉回自由移动的开关元件并将它保持在其原来位置。
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公开(公告)号：CN101160655B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680012051.X
申请日：2006-04-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8242 , H01L21/20
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种镶嵌MIM电容器以及制造所述MIM电容器的方法。所述MIM电容器包括具有顶和底表面的介质层；所述介质层中的沟槽，所述沟槽从所述顶表面延伸到所述介质层的所述底表面；包括沿所述沟槽的底延伸并在所有侧壁上形成的保形导电衬里的MIM电容器的第一板，所述沟槽的所述底与所述介质层的所述底表面共面；在所述保形导电衬里的顶表面之上形成的绝缘层；以及包括与所述绝缘层直接物理接触的芯导体的MIM电容器的第二板，所述芯导体填充所述沟槽中未被所述保形导电衬里和所述绝缘层填充的空间。所述方法包括与镶嵌互连布线同时地形成所述MIM电容器的各部分。
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公开(公告)号：CN101939253A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104087.4
申请日：2009-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L21/0338 , B81B2203/0369 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , H01L21/0337 , H01L51/0017 , Y10S977/882 , Y10S977/887 , Y10S977/888 , Y10T428/24479 , Y10T428/2457 , Y10T428/24612 , Y10T428/24736 , Y10T428/24802
Abstract: 在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。
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公开(公告)号：CN101490842A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780001659.7
申请日：2007-01-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/01
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/28114 , H01L21/823456 , H01L21/84 , H01L29/42376 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶体管器件及其形成方法，所述晶体管器件包括：衬底；在所述衬底之上的第一栅极电极；在所述衬底之上的第二栅极电极；以及接合衬垫，其包括一对凸缘端部覆盖所述第二栅极电极，其中所述第二栅极电极的结构与所述接合衬垫的结构是不连续的。
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公开(公告)号：CN101160655A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012051.X
申请日：2006-04-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8242 , H01L21/20
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种镶嵌MIM电容器以及制造所述MIM电容器的方法。所述MIM电容器包括具有顶和底表面的介质层；所述介质层中的沟槽，所述沟槽从所述顶表面延伸到所述介质层的所述底表面；包括沿所述沟槽的底延伸并在所有侧壁上形成的保形导电衬里的MIM电容器的第一板，所述沟槽的所述底与所述介质层的所述底表面共面；在所述保形导电衬里的顶表面之上形成的绝缘层；以及包括与所述绝缘层直接物理接触的芯导体的MIM电容器的第二板，所述芯导体填充所述沟槽中未被所述保形导电衬里和所述绝缘层填充的空间。所述方法包括与镶嵌互连布线同时地形成所述MIM电容器的各部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101099235A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200580046544.0
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763
CPC classification number: H01L21/76852 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/76885 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造互连的方法包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进介质材料，以使互连结构的一部分在介质的上表面上延伸；以及在互连结构的延伸部分上沉积包覆层。
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公开(公告)号：CN101939253B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200980104087.4
申请日：2009-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L21/0338 , B81B2203/0369 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , H01L21/0337 , H01L51/0017 , Y10S977/882 , Y10S977/887 , Y10S977/888 , Y10T428/24479 , Y10T428/2457 , Y10T428/24612 , Y10T428/24736 , Y10T428/24802
Abstract: 在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。
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公开(公告)号：CN100378953C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510108395.8
申请日：2005-10-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： C·小凯波勒 , L·A·克莱文格尔 , T·J·达尔顿 , P·W·德黑文 , C·T·迪兹奥布科沃斯基 , 方隼飞 , T·A·斯普纳 , T-L·L·泰 , K·H·翁 , 杨智超
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76888
Abstract: 一种具有低接触电阻和改善的可靠性的新颖层间接触过孔结构，以及形成该接触过孔的方法。所述方法包括以下步骤：穿过层间介质层蚀刻开口，以露出下面的金属(铜)层表面；以及在所述露出的下面的金属中进行惰性气体(氮)的低能量离子注入；以及在所述过孔结构的侧壁和底部中沉积耐熔衬里，由于进行了惰性气体注入，所述耐熔衬里将具有较低的接触电阻。优选地，所述惰性氮气与所述下面露出的铜金属反应，以形成薄CuN 层。
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公开(公告)号：CN1779946A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510108395.8
申请日：2005-10-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： C·小凯波勒 , L·A·克莱文格尔 , T·J·达尔顿 , P·W·德黑文 , C·T·迪兹奥布科沃斯基 , 方隼飞 , T·A·斯普纳 , T-L·L·泰 , K·H·翁 , 杨智超
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76888
Abstract: 一种具有低接触电阻和改善的可靠性的新颖层间接触过孔结构，以及形成该接触过孔的方法。所述方法包括以下步骤：穿过层间介质层蚀刻开口，以露出下面的金属(铜)层表面；以及在所述露出的下面的金属中进行惰性气体(氮)的低能量离子注入；以及在所述过孔结构的侧壁和底部中沉积耐熔衬里，由于进行了惰性气体注入，所述耐熔衬里将具有较低的接触电阻。优选地，所述惰性氮气与所述下面露出的铜金属反应，以形成薄CuN层。
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公开(公告)号：CN1574285A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048972.4
申请日：2004-06-12
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 , 国际商业机器公司
Inventor： L·克莱文格 , A·考利 , T·J·达尔顿 , M·霍恩基斯 , S·卡尔多 , E·凯塔里奥格鲁 , J·沙奇特 , K·库马 , D·C·拉图利佩 , 杨志昭 , A·H·西蒙
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , C23F1/02
CPC classification number: H01L21/76832 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L2221/1036 , Y10T428/12576 , Y10T428/12806 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
Abstract: 与双镶嵌制程一起使用的金属硬屏蔽，系被用于半导体装置的制造。该金属硬屏蔽系具有有利的半透明特征，以于制造一半导体装置的同时，能帮助在层间的对准，并且避免金属氧化剩余沉积的形成。该金属硬屏蔽系包括一TiN第一或主要(氮化钛)层以及一TaN(氮化钽)第二或帽盖层。
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