公开(公告)号：CN101364546B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200810145597.3

申请日：2008-08-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·W·科佩尔 ,  王允愈 ,  V·纳拉亚南 ,  B·B·多里斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及具有稳定的阈值修改材料的FET器件及其方法。公开了一种用于制造FET器件的方法。所述FET器件具有栅极绝缘体和阈值修改材料，所述栅极绝缘体具有高k介质部分。所述方法将稳定材料引入到栅极绝缘体中以阻止一种或多种金属从所述阈值修改材料穿过所述栅极绝缘体的所述高k部分。引进所述稳定材料包括在包含所述一种或多种金属的氧化物的层上设置稳定剂。还将稳定材料并入到所述高k介质中。应用本方法会产生具有独特的栅极绝缘体结构的FET器件。

公开(公告)号：CN101449364A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018340.5

申请日：2007-03-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 梁大源 ,  李佑炯 ,  速泰祺 ,  王允愈

IPC: H01L21/31 ,  B05D3/00

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/345 ,  C23C16/505 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明的实施例提供了一种通过高密度等离子体沉积工艺形成压应力氮化物膜的方法，该膜覆盖在衬底上制作的多个p型场效应晶体管栅极结构上。实施例包括使用至少硅烷、氩和氮气的源气体产生填充高密度等离子体的环境；偏置所述衬底到不同密度的高频率功率，其范围从0.8W/cm2到5.0W/cm2；并且沉积高密度等离子体到多个栅极结构，从而形成压应力氮化物膜。

公开(公告)号：CN101034695A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710086073.7

申请日：2007-03-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 黄洸汉 ,  王允愈 ,  H·S·怀尔德曼 ,  C·C·帕克斯 ,  杨智超

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，它包括含Co的衬垫，布置在吸氧层与含金属的导电材料之间。含Co的衬垫、吸氧层和含金属的导电材料形成MOL金属化层，其中含Co的衬垫取代了传统的TiN衬垫。“含Co”意指衬垫单独地包括元素Co，或包括元素Co和P或B中的至少一个。为了在高深宽比的接触开口之内提供本发明的含Co的衬垫的更好阶梯覆盖，通过无电镀淀积工艺形成该含Co的衬垫。

公开(公告)号：CN1263109C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN01821902.0

申请日：2001-12-13

Applicant: 国际商业机器公司 ,  英芬能技术北美公司

Inventor： 布雷特·H·恩格尔 ,  马克·霍因基斯 ,  约翰·A·米勒 ,  徐顺天 ,  王允愈 ,  黄洸汉

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

Abstract: 在具有铜互连(30，50)和低k层间介质(40)的集成电路中，发现热处理后的断路问题，通过Cr第一衬层(42)、随后CVD TiN保形衬层(46)、依次随后的Ta或TaN最终衬层(48)解决该问题，从而提高通孔(50)和下层的铜层(30)之间的粘附力，同时保持低电阻。

公开(公告)号：CN1790740A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510115145.7

申请日：2005-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·H·恩格尔 ,  S·M·卢卡里尼 ,  J·D·西尔韦斯特里 ,  王允愈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括栅极介质，在半导体衬底顶部，所述半导体衬底包括邻近所述栅极介质的源极和漏极区域；栅极导体，在所述栅极介质顶部；保形介质钝化叠层，设置在至少所述栅极导体侧壁上，所述保形介质钝化叠层包括多个保形介质层，其中没有电路径延伸穿过整个所述叠层；以及接触，至所述源极和漏极区域，其中穿过所述保形介质钝化叠层的不连续裂缝基本消除所述接触和所述栅极导体之间的短路。本发明还提供了一种用于制造上述半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1790740B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200510115145.7

申请日：2005-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·H·恩格尔 ,  S·M·卢卡里尼 ,  J·D·西尔韦斯特里 ,  王允愈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括栅极介质，在半导体衬底顶部，所述半导体衬底包括邻近所述栅极介质的源极和漏极区域；栅极导体，在所述栅极介质顶部；保形介质钝化叠层，设置在至少所述栅极导体侧壁上，所述保形介质钝化叠层包括多个保形介质层，其中没有电路径延伸穿过整个所述叠层；以及接触，至所述源极和漏极区域，其中穿过所述保形介质钝化叠层的不连续裂缝基本消除所述接触和所述栅极导体之间的短路。本发明还提供了一种用于制造上述半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN101989542A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201010238002.6

申请日：2010-07-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·G·多曼尼库奇 ,  T·L·凯恩 ,  S·纳拉辛哈 ,  K·A·纳米 ,  V·昂塔路斯 ,  王允愈

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7847

Abstract: 本发明涉及制造器件的方法。提供了一种使用一系列退火处理制造器件的方法。更具体地，示出并描述了使用低温退火以消除位错缺陷而制造的逻辑NFET器件、制造NFET器件和设计结构的方法。所述方法包括在栅极结构之上形成应力衬里和对所述栅极结构和应力衬里进行低温退火处理，以在所述栅极结构附近的单晶硅中形成堆垛力作为记忆应力效应的手段。所述方法还包括从所述栅极结构剥离所述应力衬里和对器件进行高温下的激活退火。

公开(公告)号：CN100583427C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200680034290.5

申请日：2006-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  K·占达 ,  L·克莱文格 ,  王允愈 ,  D·杨

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构以及制造所述互连结构的方法。所述互连结构包括具有构图的开口的介质层、在所述构图的开口中设置的金属特征、以及覆盖所述金属特征的介质帽。所述介质帽具有内部拉伸应力，所述应力有助于避免产生沿离开所述金属线路的方向的电迁徙，特别是当所述金属线路具有拉伸应力时。

公开(公告)号：CN100461352C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN02827172.6

申请日：2002-11-22

Applicant: 国际商业机器公司 ,  因菲尼奥恩技术股份公司

Inventor： 陈自强 ,  布雷特·H·恩格尔 ,  约翰·A·菲茨西蒙斯 ,  特伦斯·凯恩 ,  内夫塔利·E·勒斯蒂格 ,  安·麦克唐纳 ,  文森特·麦加海 ,  徐顺天 ,  安东尼·K·斯坦珀 ,  王允愈 ,  厄尔德姆·卡尔塔利奥格鲁

IPC: H01L21/44 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种改进的后端连线(BEOL)金属化结构。该结构包括双层扩散阻挡层或帽层，其中优选用高密度等离子体化学汽相淀积(HDP CVD)工艺淀积的介电材料形成第一帽层(116，123)，并且优选用等离子体增强化学汽相淀积(PE CVD)工艺淀积的介电材料形成第二帽层(117，124)。还公开了一种用于形成BEOL金属化结构的方法。本发明特别有利于含有用于层间介电(ILD)的低-k介电材料和用于导体的铜的互连结构。

公开(公告)号：CN101268549A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034290.5

申请日：2006-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  K·占达 ,  L·克莱文格 ,  王允愈 ,  D·杨

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构以及制造所述互连结构的方法。所述互连结构包括具有构图的开口的介质层、在所述构图的开口中设置的金属特征、以及覆盖所述金属特征的介质帽。所述介质帽具有内部拉伸应力，所述应力有助于避免产生沿离开所述金属线路的方向的电迁徙，特别是当所述金属线路具有拉伸应力时。