公开(公告)号：CN108231736A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710761479.4

申请日：2017-08-30

Applicant: 格芯公司

Inventor： S·艾哈迈德 ,  B·G·莫泽 ,  V·K·卡米内尼 ,  D·科里 ,  V·沙巴拉

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53209 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/528 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1052

Abstract: 本公开内容涉及半导体结构，更具体地，涉及用于触点和互连金属化集成结构的腐蚀和/或蚀刻保护层和制造方法。所述结构包括在基材的沟道内形成的金属化结构和在所述金属化结构上的钴磷(CoP)层。所述CoP层经结构化以防止在蚀刻过程中金属从所述金属化结构迁移出和所述金属化结构的腐蚀。

公开(公告)号：CN104221132B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201380019857.1

申请日：2013-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 汤静 ,  李哲峰 ,  马伯方 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文描述含锰膜以及用于提供含锰膜的方法。将含锰膜掺杂Co、Mn、Ru、Ta、Al、Mg、Cr、Nb、Ti或V允许含锰膜的铜阻挡性质增强。本文还描述提供具有包括硅酸锰的第一层和包括含锰膜的第二层的膜的方法。

公开(公告)号：CN104009018A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410067968.6

申请日：2014-02-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 亨苏克·A·尹 ,  威廉·T·李

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有自形成阻挡物的互连件，具体而言，本发明提供了一种使用包含铜或铜合金的填充物填充双镶嵌结构内的通孔和沟槽的方法。提供了使用包含铜或铜合金的通孔填充物来对所述通孔进行无电沉积填充。使用包括Mn或Al的沟槽阻挡层在所述通孔填充物之上形成沟槽阻挡层。在使所述沟槽阻挡层的组分进入所述通孔填充物的温度下对所述沟槽阻挡层进行退火处理。用包含铜或铜合金的沟槽填充物填充所述沟槽。

公开(公告)号：CN101944504B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200910169586.3

申请日：2009-09-10

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 林江宏

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867

Abstract: 本发明提供一种集成电路阻挡层和集成电路结构的制备方法，该集成电路结构的制备方法包含形成第一介电层于包含第一导电层的基板上，形成第二介电层于第一介电层上，形成孔洞于第二介电层中且孔洞暴露第一导电层，形成阻挡层于孔洞内，以及形成第二金属层于阻挡层上。形成阻挡层的一实施例包含形成金属层于孔洞内，以及在包含等离子体的环境中进行处理工艺以形成氧化金属层于金属层上，其中等离子体由包含氧化剂的气体形成。形成阻挡层的另一实施例包含形成金属层及氮化金属层于孔洞内，以及在包含等离子体的环境中进行处理工艺以形成氧化金属层于金属层及氮化金属层上，其中等离子体由包含氧化剂的气体形成。本发明可提供有效的铜扩散阻障能力。

公开(公告)号：CN103137597A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210474509.0

申请日：2012-11-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.克里茨 ,  N.乌尔班斯基

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/53233 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05

Abstract: 本发明涉及半导体结构以及用于制造半导体结构的方法。实施例涉及用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：形成与介电材料直接接触的种子层；在种子层之上形成掩蔽层；对掩蔽层进行图案化，以暴露种子层；在被暴露的种子层之上形成填充层；以及致使种子层与介电层起反应，以在填充层与介电层之间形成阻挡层。

公开(公告)号：CN1567078B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200410056020.7

申请日：2000-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  小野幸治

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 布线及其制造方法、包括所说布线的半导体器件及干法腐蚀方法，提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。

公开(公告)号：CN101687896B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880016689.X

申请日：2008-04-09

Applicant: 哈佛学院院长等

Inventor： R·G·高登 ,  H·伯罕达里 ,  金勋

IPC: C07F15/06 ,  H01L23/48

CPC classification number: C23C16/34 ,  C07C211/65 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于集成电路的互连结构，其包括有助于铜线的成核、生长和附着的氮化钴层。可将氮化钴沉积在难熔金属氮化物或碳化物例如氮化钨或氮化钽的层上，所述层充当铜的扩散阻挡层并且还提高氮化钴和下方的绝缘体之间的附着。可以由新型脒基钴前体通过化学气相沉积形成氮化钴。沉积在氮化钴上的铜层显示出高的电导率并且可充当微电子用铜导体的电化学沉积的籽晶层。

公开(公告)号：CN101548030B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780032492.0

申请日：2007-08-15

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 普拉文·纳拉 ,  威廉·蒂 ,  约翰·博伊德 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  衡石·亚历山大·尹 ,  弗里茨·C·雷德克 ,  耶兹迪·多尔迪

IPC: C23C16/34

CPC classification number: H01L21/7685 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1844 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明的实施方式满足了在铜互连内沉积薄的和保形的阻挡层、以及铜层，使之具有良好的电子迁移性能并减小铜互连的应力诱发成孔的风险的需要。电子迁移和应力诱发成孔受阻挡层和铜层之间粘结的影响。功能化层沉积在阻挡层上，以使铜层沉积于该铜互连内。该功能化层与阻挡层和铜形成强键，以增强该两层之间的粘结属性。提供了一种示例性的制备基片的基片表面的方法，用于在铜互连的金属阻挡层上沉积功能化层，以帮助铜互连内铜层的沉积，从而提高铜互连的电子迁移性能。该方法包括沉积该金属阻挡层，以在该集成系统中内衬该铜互连结构，并氧化该金属阻挡层的表面。该方法还包括在该金属阻挡层的该氧化表面上沉积该功能化层，并在该功能化层在该金属阻挡层上被沉积后，在该铜互连结构内沉积该铜层。

公开(公告)号：CN102683270A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210068463.2

申请日：2012-03-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 古谷晃

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件制造方法以及半导体器件。其中半导体器件制造方法包括：在形成在层间绝缘膜上的开口部的底表面和侧壁上以及位于除开口部之外的层间绝缘膜上的场部上形成包括第一金属的籽晶膜；在籽晶膜上形成抗蚀剂并用该抗蚀剂填充开口部；移除一部分抗蚀剂，同时保留在开口部的底表面上形成的籽晶膜上的抗蚀剂；暴露形成在开口部的侧壁的上部以及场部上的籽晶膜；在位于开口部的侧壁的上部上以及场部上的籽晶膜上形成包括第二金属的覆盖膜，该第二金属的电阻率高于第一金属的电阻率；通过移除抗蚀剂而暴露籽晶膜；以及在暴露的籽晶膜上形成包括第一金属的镀膜。

公开(公告)号：CN102388161A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080015738.5

申请日：2010-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 根石浩司 ,  小池淳一 ,  松本贤治

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/406 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种能够使氧化锰膜与Cu的密合性良好的氧化锰膜的形成方法、半导体装置的制造方法及半导体装置。在该氧化锰膜的形成方法中，将含有锰的气体供给到氧化物上，在氧化物上形成氧化锰膜。将此时的氧化锰膜的成膜温度设为100℃以上且小于400℃。