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公开(公告)号：CN103227104B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310022134.9
申请日：2013-01-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0245 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 本发明的一些实施例涉及改进的硅碳膜结构和方法。公开了一种改进的硅碳膜结构。该膜结构包括硅碳和硅的多个层。该多个层形成具有增加的代位碳含量的应力膜结构，并且用于诱发改善特定类型的场效应晶体管的载流子迁移率的应力。
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公开(公告)号：CN105810643A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610006801.8
申请日：2016-01-05
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/1211 , H01L21/02532 , H01L21/2251 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L21/845 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L29/1054 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/6653 , H01L29/66818
Abstract: 本发明涉及制造Si和SiGe鳍片、制造CMOS器件的方法以及CMOS器件。描述了一种制造硅(Si)和硅锗(SiGe)鳍片的方法。该方法包括：在布置在衬底上的掩埋氧化物(BOX)层上形成至少两个Si鳍片，至少一个Si鳍片形成在第一区域中，并且至少一个Si鳍片形成在第二区域中，在第二区域中的至少一个Si鳍片比在第一区域中的至少一个Si鳍片更薄。该方法同样包括在第一区域之上沉积氧化物掩模；在第二区域中的至少一个Si鳍片上外延生长SiGe层；以及执行热退火工艺以将Ge从SiGe层驱动到在第二区域中的至少一个Si鳍片中，以在第二区域中形成至少一个SiGe鳍片。
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公开(公告)号：CN107112217B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201680005203.7
申请日：2016-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 描述了一种制造晶体管器件中的替代金属栅极的方法、鳍型场效应晶体管(finFET)、以及一种制造具有替代金属栅极的finFET器件的方法。该制造替代金属栅极的方法包括：在衬底(110)之上形成伪栅极结构(140)，伪栅极结构(140)被绝缘层(120)包围；以及去除伪栅极结构(140)以在绝缘层(120)内暴露沟槽(121)。该方法还包括在绝缘层(120)之上和在沟槽(121)中保形地沉积电介质材料层(160)和功函数金属层(170)，并且从绝缘层(120)的顶表面去除电介质材料层(160)和功函数金属层(170)；使功函数金属层(170)凹陷到沟槽(121)的顶部下方；以及仅在功函数金属层(170)的暴露表面上选择性地形成栅极金属(190)。
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公开(公告)号：CN105870061B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610076671.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 描述了一种在包括p型场效应晶体管(pFET)装置和n型场效应晶体管(nFET)装置的双重隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)装置中形成鳍的方法以及具有双重隔离的CMOS装置。所述CMOS装置包括n型场效应晶体管(nFET)区域，所述nFET区域包括由应变硅构成的一个或多个鳍，所述nFET区域中的所述一个或多个鳍形成在绝缘体上。所述CMOS装置还包括p型场效应晶体管(pFET)区域，所述pFET区域包括在外延生长的硅上的、由硅(Si)或硅锗(SiGe)构成的一个或多个鳍，并且所述pFET区域包括浅沟道隔离(STI)填充以使所述pFET区域中的所述一个或多个鳍彼此隔离。
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公开(公告)号：CN104733322B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201410705261.3
申请日：2014-11-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/0338 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/32136 , H01L29/66545 , H01L29/66795
Abstract: 公开了用于制造多栅器件的鳍的方法和结构。根据一种方法，在半导体衬底之上的多个芯中或多个芯上形成多个侧壁，以便每个所述芯包括由第一材料构成的第一侧壁以及由不同于所述第一材料的第二材料构成的第二侧壁。选择性地去除所述多个芯中第一芯的所述第一侧壁。此外，将由所述多个侧壁中剩余的侧壁构成的图案转移到下伏层上以在所述下伏层中形成硬掩模。进一步地，通过采用所述硬掩模并且蚀刻所述衬底中的半导电材料来形成所述鳍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105742359A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510954140.7
申请日：2015-12-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/0653 , H01L29/7843 , H01L29/7849 , H01L29/785 , H01L29/66803 , H01L29/7848
Abstract: 各实施例针对一种富化和电隔离FinFET的鳍的方法。该方法包含形成至少一个鳍。该方法进一步包含在第一组条件下形成所述至少一个鳍的富化的上部。该方法进一步包含在第二组条件下从所述至少一个鳍的富化的下部形成电隔离区，其中，所述在第一组条件下的形成与所述在第二组条件下的形成是时间间隔的。该方法进一步包含与所述第二组条件分开来控制所述第一组条件。
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公开(公告)号：CN104733322A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410705261.3
申请日：2014-11-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/0338 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/32136 , H01L29/66545 , H01L29/66795
Abstract: 公开了用于制造多栅器件的鳍的方法和结构。根据一种方法，在半导体衬底之上的多个芯中或多个芯上形成多个侧壁，以便每个所述芯包括由第一材料构成的第一侧壁以及由不同于所述第一材料的第二材料构成的第二侧壁。选择性地去除所述多个芯中第一芯的所述第一侧壁。此外，将由所述多个侧壁中剩余的侧壁构成的图案转移到下伏层上以在所述下伏层中形成硬掩模。进一步地，通过采用所述硬掩模并且蚀刻所述衬底中的半导电材料来形成所述鳍。
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公开(公告)号：CN110603647A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880028471.X
申请日：2018-06-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/8238
Abstract: 提供了包括多层栅极隔离的FinFET器件，以及制造FinFET器件的方法，其中在形成栅极隔离时，利用多层栅极隔离来防止或最小化垂直半导体鳍的腐蚀。例如，一种用于制造半导体器件的方法，包括：在FinFET器件的垂直半导体鳍的一部分上形成伪栅极结构；以及在伪栅极结构上形成多层栅极隔离。多层栅极隔离包括第一电介质层和第二电介质层，其中第一电介质层相对于垂直半导体鳍和第二电介质层具有蚀刻选择性。在一个实施例中，第一电介质层包括碳氮氧化硅(SiOCN)，第二电介质层包括碳氮化硼硅(SiBCN)。
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公开(公告)号：CN105742359B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201510954140.7
申请日：2015-12-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/0653 , H01L29/7843 , H01L29/7849 , H01L29/785
Abstract: 各实施例针对一种富化和电隔离FinFET的鳍的方法。该方法包含形成至少一个鳍。该方法进一步包含在第一组条件下形成所述至少一个鳍的富化的上部。该方法进一步包含在第二组条件下从所述至少一个鳍的富化的下部形成电隔离区，其中，所述在第一组条件下的形成与所述在第二组条件下的形成是时间间隔的。该方法进一步包含与所述第二组条件分开来控制所述第一组条件。
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公开(公告)号：CN105870061A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610076671.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/1207 , H01L21/02532 , H01L21/3086 , H01L21/76283 , H01L21/8238 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795
Abstract: 描述了一种在包括p型场效应晶体管(pFET)装置和n型场效应晶体管(nFET)装置的双重隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)装置中形成鳍的方法以及具有双重隔离的CMOS装置。所述CMOS装置包括n型场效应晶体管(nFET)区域，所述nFET区域包括由应变硅构成的一个或多个鳍，所述nFET区域中的所述一个或多个鳍形成在绝缘体上。所述CMOS装置还包括p型场效应晶体管(pFET)区域，所述pFET区域包括在外延生长的硅上的、由硅(Si)或硅锗(SiGe)构成的一个或多个鳍，并且所述pFET区域包括浅沟道隔离(STI)填充以使所述pFET区域中的所述一个或多个鳍彼此隔离。
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