公开(公告)号：CN100378953C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510108395.8

申请日：2005-10-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小凯波勒 ,  L·A·克莱文格尔 ,  T·J·达尔顿 ,  P·W·德黑文 ,  C·T·迪兹奥布科沃斯基 ,  方隼飞 ,  T·A·斯普纳 ,  T-L·L·泰 ,  K·H·翁 ,  杨智超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76888

Abstract: 一种具有低接触电阻和改善的可靠性的新颖层间接触过孔结构，以及形成该接触过孔的方法。所述方法包括以下步骤：穿过层间介质层蚀刻开口，以露出下面的金属(铜)层表面；以及在所述露出的下面的金属中进行惰性气体(氮)的低能量离子注入；以及在所述过孔结构的侧壁和底部中沉积耐熔衬里，由于进行了惰性气体注入，所述耐熔衬里将具有较低的接触电阻。优选地，所述惰性氮气与所述下面露出的铜金属反应，以形成薄CuN 层。

公开(公告)号：CN1779946A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510108395.8

申请日：2005-10-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小凯波勒 ,  L·A·克莱文格尔 ,  T·J·达尔顿 ,  P·W·德黑文 ,  C·T·迪兹奥布科沃斯基 ,  方隼飞 ,  T·A·斯普纳 ,  T-L·L·泰 ,  K·H·翁 ,  杨智超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76888

Abstract: 一种具有低接触电阻和改善的可靠性的新颖层间接触过孔结构，以及形成该接触过孔的方法。所述方法包括以下步骤：穿过层间介质层蚀刻开口，以露出下面的金属(铜)层表面；以及在所述露出的下面的金属中进行惰性气体(氮)的低能量离子注入；以及在所述过孔结构的侧壁和底部中沉积耐熔衬里，由于进行了惰性气体注入，所述耐熔衬里将具有较低的接触电阻。优选地，所述惰性氮气与所述下面露出的铜金属反应，以形成薄CuN层。