一种基于激光纳米加工技术的垂直互连基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN111163582A

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN202010002827.1

    申请日:2020-01-02

    Abstract: 本发明公开了一种基于激光纳米加工技术的垂直互连基板制造方法,首先通过介质层光刻、腐蚀、去胶,在基板的一侧形成第一电路布线层,再采用激光纳米加工技术在基板上的相应位置处开设盲孔,再将基板置于电沉积液中进行电沉积,填充盲孔,最后再通过介质层光刻、腐蚀、去胶,在基板的另一侧形成第二电路布线层,本制造方法流程简洁,激光纳米加工技术精度高,通孔内部无空洞,互连可靠,提高了LCP柔性基板三维封装的密度和可靠性,同时,采用金属化通孔,实现LCP双面电路布线层之间的垂直互连,可有效缩短互连距离,降低信号延时,减小了寄生电感和电容,改善高频特性,从而提高系统集成性能。

    一种LCP多层电路板高精密定位层压装置及方法

    公开(公告)号:CN110290652A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910681043.3

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 本发明提供了一种LCP多层电路板高精密定位层压装置及方法,所述装置方法包括:一压台工装、一压头、一LCP定位母板、若干层LCP电路板;压台工装与压头上下对应设置;LCP定位母板和若干层LCP电路板位于压台工装和压头之间;所述LCP定位母板位于压头下方,且位于若干层LCP电路板上方;所述若干层LCP电路板位于压台工装的上方;压台工装上设置有若干个销钉盲孔,对应相同数量的销钉;所述销钉的一端设置于压台工装的销钉盲孔内,所述销钉盲孔直径比销钉直径大0.05~0.1mm;对应上述销钉盲孔位置,LCP定位母板设置有销孔;在若干层LCP电路板上分别设置定位孔;所述销孔和定位孔的尺寸与销钉尺寸相匹配。

    基于激光纳米加工技术的埋置芯片互连方法

    公开(公告)号:CN106409690B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201610873911.4

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 本发明提供了一种基于激光纳米加工技术的埋置芯片互连方法,包括以下步骤:S1:选择一基板;S2:在所述基板上通过介质层光刻及金属化布线实现多层电路的连接形成布线层,在形成布线层时,根据芯片在所述布线层中的预设位置,采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设埋置槽,并将芯片安装于所述埋置槽中;S3:将芯片与布线层进行互连。并根据芯片位于布线层的位置具体分为芯片先置型埋入、芯片中置型埋入及芯片后置型埋入三种情况。本发明基于激光纳米加工技术,为芯片埋置提供了高效率与高精度的加工方法,解决了化学方法周期长程序繁琐的问题,实现芯片在基板或布线层埋置及互连的方法。

    一种基于铝硅合金的BGA互连载体及其制备方法

    公开(公告)号:CN112928099B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202110175993.6

    申请日:2021-02-09

    Abstract: 本发明提供了一种基于铝硅合金的BGA互连载体,包括铝硅基板、金属层和锡层,铝硅基板于电气互连处加工有若干通柱,通柱与铝硅基板之间具有将通柱与铝硅基板隔离的环形通槽,环形通槽内填充有绝缘浆料,金属层包括上金属层和下金属层,上金属层从下至上依次包括第一镍层、第一金层,下金属层从上至下依次包括第二镍层、第二金层,锡层覆于上金属层和/或下金属层上,锡层和第一金层和/或第二金层形成阵列式的金锡焊料焊盘,金锡焊料焊盘上用于贴装元器件,以铝硅合金作为基板,具有与芯片热膨胀系数匹配、热传导率高和密度低的优点,预制金锡焊盘的BGA互连载体提高了芯片的封装效率,可广泛用于铝硅封装的微波组件。

    一种LCP柔性基板无源阻容元件的制备方法

    公开(公告)号:CN110400741B

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN201910681247.7

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 本发明提出了一种LCP柔性基板无源阻容元件的制备方法,在干净的LCP基板覆铜面电镀Ni/Pd/Au层,无覆铜表面溅射薄膜电阻层和导带层,进行电镀、光刻、湿法刻蚀,制备出电阻和导带,然后采用lift‑off工艺,在LCP基板上制作出电容层,最后表面溅射薄膜导带层,并进行电镀、光刻、湿法刻蚀,制作出电容上电极和导带,完成LCP柔性基板无源阻容元件的制备。该制作方法利用薄膜溅射工艺,可一次性在LCP基板上同时制作出薄膜电阻和薄膜电容,并可制作薄膜阻容网络,实现阻容元件的薄膜集成化、高精度控制,应用在高频器件LCP系统级封装中进行无源阻容元件的埋置,可大大节约LCP柔性基板表面空间,提高基板组装密度。

    基于硅铝合金垂直互连封装基板和LCP重布线的三维封装结构及制备方法

    公开(公告)号:CN112802820B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202110055167.8

    申请日:2021-01-15

    Abstract: 本发明公开了基于硅铝合金垂直互连封装基板和LCP重布线的三维封装结构及制备方法,该三维封装结构包括三维封装结构包含硅铝合金垂直互连封装基板、LCP气密键合层、LCP重布线层,硅铝合金垂直互连封装基板至少包括第一硅铝合金垂直互连封装基板、第二硅铝合金垂直互连封装基板;第一硅铝合金垂直互连封装基板和第二硅铝合金垂直互连封装基板之间通过LCP气密键合层热压键合形成互连及气密腔体,气密腔体内的第一、第二硅铝合金垂直互连封装基板表面通过热压键合LCP重布线层;三维封装结构的上表面和底部分别热压键合LCP重布线层。采用热压键合的方法将硅铝合金和LCP材料结合在一起,制备了三维封装结构,可满足微电子封装小型化、高性能、多功能的需求。

    一种LCP多层电路板平坦化层压方法及装置

    公开(公告)号:CN114025517A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111441061.8

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种LCP多层电路板平坦化层压方法及装置,层压方法包括以下步骤:S1、将压头与层压平台上下对应设置,层压平台上设置有多个真空吸附孔,层压平台上端面上铺设有第一多孔铝箔;S2、多层LCP基板的下端面放置于第一多孔铝箔上,在多层LCP基板的上端面上铺设有第二多孔铝箔,聚酰亚胺膜包覆于多层LCP基板、第一多孔铝箔及第二多孔铝箔所组成的整体结构外;S3、通过抽真空装置降低真空吸附孔内的气压,使多层LCP基板密封于一密闭空间内;S4、压头内设有加热装置,压头下压接触在第二多孔铝箔上的聚酰亚胺膜上,压头开始加压加热使多层LCP基板发生键合,完成层压。

    一种LCP柔性基板曲面成形装置及方法

    公开(公告)号:CN113939177A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111445518.2

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种LCP柔性基板曲面成形装置及方法,LCP柔性基板曲面成形装置包括:成形底座,成形底座上端面开设有安装槽;正反丝杠,正反丝杠转动安装于安装槽内;角度滑块,角度滑块设有两个,一个角度滑块的一侧与正向螺纹段通过第一传动螺纹连接、相对的另一侧与成形底座上端面转动连接,另一个角度滑块的一侧与反向螺纹段通过第二传动螺纹连接、相对的另一侧与成形底座上端面转动连接;平移滑块,每个角度滑块上均滑动设有一个平移滑块。本发明中的LCP柔性基板曲面成形装置,结构简单可靠,使用方便,不仅能够实现LCP基板的曲面成形,而且对LCP基板曲面成形进行了参数量化,提高了批量生产的一致性。

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