公开(公告)号：CN100407400C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200480021252.7

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层413。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN1489610A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02804213.1

申请日：2002-07-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林喜宏 ,  川原润

IPC: C08G61/12 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76835 ,  C08G61/12 ,  C09D4/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76829 ,  Y10S428/901 ,  Y10S428/938 ,  Y10T428/31663 ,  C08G77/00

Abstract: 本发明提供当用作构成半导体装置的层间绝缘膜时，在与与其下表面、上表面接触的其它半导体材料的界面上具有高附着性，另外膜整体的有效介电常数可以进一步降低的有机聚合物膜的制作方法。具体地，将气体的多种有机单体穿过在反应室内生成的等离子后喷射到加热的衬底表面上，形成含有由多种有机单体单元构成的骨架的共聚物膜。在该方法中，通过在膜生长的进程中变化各有机单体的相对供给量，从而连续生长层间绝缘膜，其中具有优良的机械强度及附着性、富含硅氧烷结构的膜设置在界面附近(91a、c，92a、c或93a、c)，并且具有低堆积密度的膜设置在它们中间作为中间层(91b、92b或93b)。

公开(公告)号：CN101569003B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200780047805.X

申请日：2007-12-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 植木诚 ,  山本博规 ,  林喜宏 ,  伊藤文则 ,  福本能之

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明旨在抑制布线可靠性的劣化并降低布线的有效介电常数。具体公开了一种半导体装置，其中含铜布线覆盖有阻挡绝缘膜，所述阻挡绝缘膜包括含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅组分。即，所述含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖，所述阻挡绝缘膜具有含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅结构。因此，降低了布线间的电容而不会劣化所述含铜布线的可靠性，从而实现了具有低功率消耗的高速LSI。

公开(公告)号：CN1154158C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN98101004.0

申请日：1998-03-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小野寺贵弘 ,  林喜宏

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 制备半导体器件的方法，第一膜形成在第二膜上，在第一膜上形成第一光刻胶膜，使在第一光刻胶膜中有第一开口部分。此时，如果提供防反射膜，用提供在第二膜上的金属塞的反射，可以使第一开口部分制备得宽一些。通过第一开口部分暴露部分第一膜。随后，用能腐蚀第一光刻胶膜和第一膜的腐蚀气体，同时对二者进行干法腐蚀。在该过程中，监测第一膜与腐蚀气体的反应所产生的反应产物所发光的光谱强度。根据所说光谱强度的变化停止干法腐蚀。

公开(公告)号：CN1232294A

公开(公告)日：1999-10-20

申请号：CN99105008.8

申请日：1999-04-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 筱原壮太 ,  加藤有光 ,  天沼一志 ,  竹内常雄 ,  村尾幸信 ,  林喜宏

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/55

Abstract: 一种铁电存储器件包括通过绝缘薄膜(9)在半导体衬底(1)上形成的铁电电容元件。该铁电电容元件包括下电极(3)、在下电极上形成的铁电薄膜(4),以及在铁电薄膜上形成的上电极(5)。上电极具有叠层结构,后者含有与所述铁电薄膜连接的第一金属的导电氧化物层。

公开(公告)号：CN1202728A

公开(公告)日：1998-12-23

申请号：CN98102508.0

申请日：1998-06-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林喜宏 ,  井上尚也 ,  小林壮太

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制作半导体器件的方法,能在不损坏电容器的金属氧化物电介质的情况下可靠地连接MOS晶体管。在半导体基片上形成具有源/漏区和栅极的晶体管,在基片上形成一个电容器,该电容器具有电容器上置、下置电极和置于电容器上置与下置电极间的金属氧化物电介质膜。一个绝缘膜形成于电容器上将电容器覆盖,形成一个贯穿该绝缘膜的晶体管接触孔。形成一个电容器接触孔提供与电容器的电连接。本发明还提供了用上述方法制作的器件。

公开(公告)号：CN101217136A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810001917.8

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN1682356A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03821732.5

申请日：2003-07-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林喜宏

IPC: H01L21/312 ,  C08F230/08 ,  C08F236/22 ,  C08G61/12 ,  C23C14/12 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76801 ,  C08G77/06 ,  C09D4/00 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  Y10T428/31663 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供适用于分离半导体装置的多层铜布线的、在与基底或者上层的无机绝缘膜连接的界面上机械强度和密合性优良并且作为整个膜的实际相对介电常数较低的绝缘性有机聚合物膜，该绝缘性有机聚合物膜是以环状硅氧烷和直链状硅氧烷为原料，通过等离子体激发使两者聚合而成的有机硅氧烷共聚物膜，其中在与无机绝缘膜连接的界面上其膜组成以直链状硅氧烷成分为主要成分，从而设置致密并且密合性优良的膜质的界面层，在膜内部，内部具有被环状硅氧烷骨架包围的空穴的环状硅氧烷成分和直链状硅氧烷成分混合存在，具有密度较低的网状结构的层，在上述的膜厚方向上具有组成变化的共聚物膜上形成有埋入铜薄膜的多层布线。

公开(公告)号：CN1650417A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03807808.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大竹浩人 ,  多田宗弘 ,  原田惠充 ,  肱冈健一郎 ,  剂藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 一种技术，用于保护由有机低介电常数材料构成的中间层绝缘膜免受在半导体工艺中的任何损害，且用于在中间层绝缘膜中获得降低的漏电流，从而改善半导体器件的可靠性。根据本发明的半导体器件具有有开口的有机绝缘膜(5，26，28)。有机绝缘膜(5，26，28)具有面对开口的改进部分(5a，26a，28a)。改进部分(5a，26a，28a)包含氟原子和氮原子。在改进部分(5a，26a，28a)中的氟原子的浓度比氮原子的浓度低。上述改进部分(5a，26a，28a)在抑制埋入在开口中的导体的腐蚀同时，保护了半导体器件免受半导体工艺中的损害。

公开(公告)号：CN1089947C

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN98115026.8

申请日：1998-05-23

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 川原润 ,  斋藤忍 ,  林喜宏 ,  前岛幸彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明提供一种带电容的半导体器件的制造方法，该方法可防止形成绝缘膜覆盖电容的CVD或干法腐蚀工艺期间漏电流增加和耐介质击穿性降低。在该方法中，在第一绝缘膜上形成电容的下电极。第一绝缘膜一般形成在半导体衬底上或其上方。在下电极上与之重叠地形成电容的介质或铁电膜。在介质或铁电膜上与之重叠地形成电容的上电极。在不含等离子体的气氛中，在可防止氢因加热而活化的衬底温度下，通过热CVD工艺形成第二绝缘膜覆盖电容。第二绝缘膜的原材料具有在热CVD工艺期间分解原材料过程中不产生氢的性质。