公开(公告)号：CN101523526A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036603.5

申请日：2007-08-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 肱冈健一郎 ,  田边昭 ,  林喜宏

IPC: H01F17/00 ,  H01F30/00 ,  H01F41/04

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/34 ,  H01F41/041 ,  H01F2017/002 ,  H01F2017/004 ,  H01F2017/0086 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49071

Abstract: 一种电感器元件，其以多层导线结构形成，所述多层导线结构包括导线、使上方和下方的导线绝缘的绝缘层以及提供在绝缘层中并且连接上方和下方的导线的通孔，其中导线层是多个层压的层，其特征在于：至少一对垂直邻近的导线的至少一部分是卷曲导线；所述卷曲导线通过提供在其端部的通孔串联连接并且形成串联电感，其中垂直邻近的卷曲导线的电流方向相同；以及垂直邻近的卷曲导线的导线间电容大于在同一导线层中形成的其他卷曲导线之间的导线间电容。

公开(公告)号：CN1650417A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03807808.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大竹浩人 ,  多田宗弘 ,  原田惠充 ,  肱冈健一郎 ,  剂藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 一种技术，用于保护由有机低介电常数材料构成的中间层绝缘膜免受在半导体工艺中的任何损害，且用于在中间层绝缘膜中获得降低的漏电流，从而改善半导体器件的可靠性。根据本发明的半导体器件具有有开口的有机绝缘膜(5，26，28)。有机绝缘膜(5，26，28)具有面对开口的改进部分(5a，26a，28a)。改进部分(5a，26a，28a)包含氟原子和氮原子。在改进部分(5a，26a，28a)中的氟原子的浓度比氮原子的浓度低。上述改进部分(5a，26a，28a)在抑制埋入在开口中的导体的腐蚀同时，保护了半导体器件免受半导体工艺中的损害。

公开(公告)号：CN1327507C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03807808.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大竹浩人 ,  多田宗弘 ,  原田惠充 ,  肱冈健一郎 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 一种技术，用于保护由有机低介电常数材料构成的中间层绝缘膜免受在半导体工艺中的任何损害，且用于在中间层绝缘膜中获得降低的漏电流，从而改善半导体器件的可靠性。根据本发明的半导体器件具有有开口的有机绝缘膜(5，26，28)。有机绝缘膜(5，26，28)具有面对开口的改进部分(5a，26a，28a)。改进部分(5a，26a，28a)包含氟原子和氮原子。在改进部分(5a，26a，28a)中的氟原子的浓度比氮原子的浓度低。上述改进部分(5a，26a，28a)在抑制埋入在开口中的导体的腐蚀同时，保护了半导体器件免受半导体工艺中的损害。