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公开(公告)号：CN1232294A
公开(公告)日：1999-10-20
申请号：CN99105008.8
申请日：1999-04-08
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/108 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/55
Abstract: 一种铁电存储器件包括通过绝缘薄膜(9)在半导体衬底(1)上形成的铁电电容元件。该铁电电容元件包括下电极(3)、在下电极上形成的铁电薄膜(4),以及在铁电薄膜上形成的上电极(5)。上电极具有叠层结构,后者含有与所述铁电薄膜连接的第一金属的导电氧化物层。
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