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公开(公告)号:CN101568999A
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN200880001355.5
申请日:2008-01-08
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有多层布线的半导体装置,该多层布线具有在绝缘膜中的预定区域形成的铜布线膜、衬层膜和高熔点金属膜。铜布线膜是多晶,构成多晶的晶粒中占据单位布线表面的40%以上面积的晶粒在基板厚度方向上向(111)方位取向,并具有与贵金属衬层膜的结晶匹配性。在高熔点金属膜是Ti,贵金属衬层膜是钌膜时,高熔点金属的钛固溶在钌中成为贵金属衬层,形成兼具抗铜扩散性和铜结晶匹配性的铜布线。
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公开(公告)号:CN101569003B
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN200780047805.X
申请日:2007-12-20
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/312 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31633 , C23C16/30 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L21/76867 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在抑制布线可靠性的劣化并降低布线的有效介电常数。具体公开了一种半导体装置,其中含铜布线覆盖有阻挡绝缘膜,所述阻挡绝缘膜包括含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅组分。即,所述含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖,所述阻挡绝缘膜具有含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅结构。因此,降低了布线间的电容而不会劣化所述含铜布线的可靠性,从而实现了具有低功率消耗的高速LSI。
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公开(公告)号:CN1278458C
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200410042681.4
申请日:2004-05-31
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01R13/502 , H01R13/52 , H01R13/748
Abstract: 本发明提供了一种防水模组连接器,其包括将被固定到设备上的插座和可拆卸地耦合到所述插座的插头。插座包括:插座体(1),具有分别朝向所述设备外部和内部的第一和第二插座开口;具有彼此朝向相反的第一和第二插孔开口的模组插孔单元;和固定器(18),其将所述模组插孔单元固定于所述插座体(1)中,使得第一和第二插孔开口分别朝向第一和第二插座开口。插头包括:通信电缆(23)穿过其的插头体(21);连接至该通信电缆的模组插头;第一定位单元,将模组插头固定于插头体内特定位置;帽(31),将所述插头体可拆卸地耦合至插座体(1),使得模组插头被插入第一插座开口中;和确保插座体和插头体之间的防水的防水单元(40)。
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公开(公告)号:CN1574486A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410042681.4
申请日:2004-05-31
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01R13/502 , H01R13/52 , H01R13/748
Abstract: 本发明提供了一种防水模组连接器,其包括将被固定到设备上的插座和可拆卸地耦合到所述插座的插头。插座包括:插座体(1),具有分别朝向所述设备外部和内部的第一和第二插座开口;具有彼此朝向相反的第一和第二插孔开口的模组插孔单元;和固定器(18),其将所述模组插孔单元固定于所述插座体(1)中,使得第一和第二插孔开口分别朝向第一和第二插座开口。插头包括:通信电缆(23)穿过其的插头体(21);连接至该通信电缆的模组插头;第一定位单元,将模组插头固定于插头体内特定位置;帽(31),将所述插头体可拆卸地耦合至插座体(1),使得模组插头被插入第一插座开口中;和确保插座体和插头体之间的防水的防水单元(40)。
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公开(公告)号:CN101569003A
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN200780047805.X
申请日:2007-12-20
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/312 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31633 , C23C16/30 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L21/76867 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在抑制布线可靠性的劣化并降低布线的有效介电常数。具体公开了一种半导体装置,其中含铜布线覆盖有阻挡绝缘膜,所述阻挡绝缘膜包括含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅组分。即,所述含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖,所述阻挡绝缘膜具有含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅结构。因此,降低了布线间的电容而不会劣化所述含铜布线的可靠性,从而实现了具有低功率消耗的高速LSI。
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