公开(公告)号：CN1327507C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03807808.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大竹浩人 ,  多田宗弘 ,  原田惠充 ,  肱冈健一郎 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 一种技术，用于保护由有机低介电常数材料构成的中间层绝缘膜免受在半导体工艺中的任何损害，且用于在中间层绝缘膜中获得降低的漏电流，从而改善半导体器件的可靠性。根据本发明的半导体器件具有有开口的有机绝缘膜(5，26，28)。有机绝缘膜(5，26，28)具有面对开口的改进部分(5a，26a，28a)。改进部分(5a，26a，28a)包含氟原子和氮原子。在改进部分(5a，26a，28a)中的氟原子的浓度比氮原子的浓度低。上述改进部分(5a，26a，28a)在抑制埋入在开口中的导体的腐蚀同时，保护了半导体器件免受半导体工艺中的损害。

公开(公告)号：CN101217136A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810001917.8

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN1650417A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03807808.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大竹浩人 ,  多田宗弘 ,  原田惠充 ,  肱冈健一郎 ,  剂藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 一种技术，用于保护由有机低介电常数材料构成的中间层绝缘膜免受在半导体工艺中的任何损害，且用于在中间层绝缘膜中获得降低的漏电流，从而改善半导体器件的可靠性。根据本发明的半导体器件具有有开口的有机绝缘膜(5，26，28)。有机绝缘膜(5，26，28)具有面对开口的改进部分(5a，26a，28a)。改进部分(5a，26a，28a)包含氟原子和氮原子。在改进部分(5a，26a，28a)中的氟原子的浓度比氮原子的浓度低。上述改进部分(5a，26a，28a)在抑制埋入在开口中的导体的腐蚀同时，保护了半导体器件免受半导体工艺中的损害。

公开(公告)号：CN1826687A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480021252.7

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层413。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN101217136B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200810001917.8

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN100407400C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200480021252.7

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层413。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。