公开(公告)号：CN1375876A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02107427.5

申请日：2002-03-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 筱原壮太 ,  竹村浩一 ,  辻田泰广 ,  森秀光

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法,是在PZT成膜中或者在其后的热处理时,能够抑制在插头上的区域的强电介质电容元件下部电极剥落的结构及其制造方法。是在强电介质电容元件下部电极的下面顺序叠层生长第1金属、金属氮化膜、第2金属,形成3层膜,该金属氮化膜由第1金属或者第2金属的氮化物构成。

公开(公告)号：CN1232294A

公开(公告)日：1999-10-20

申请号：CN99105008.8

申请日：1999-04-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 筱原壮太 ,  加藤有光 ,  天沼一志 ,  竹内常雄 ,  村尾幸信 ,  林喜宏

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/55

Abstract: 一种铁电存储器件包括通过绝缘薄膜(9)在半导体衬底(1)上形成的铁电电容元件。该铁电电容元件包括下电极(3)、在下电极上形成的铁电薄膜(4),以及在铁电薄膜上形成的上电极(5)。上电极具有叠层结构,后者含有与所述铁电薄膜连接的第一金属的导电氧化物层。

公开(公告)号：CN1202011A

公开(公告)日：1998-12-16

申请号：CN98102156.5

申请日：1998-05-19

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 筱原壮太

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/60

Abstract: 在一个保护膜9中形成一个与上置电极15相通的接触孔,在接触孔中形成一个材料与用于上置电极15的材料相同的导电体13,它连着上置电极15并延伸到接触孔之外。导电体13通过一个连线层14电连接于一存储单元晶体管。