公开(公告)号：CN1650417A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03807808.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大竹浩人 ,  多田宗弘 ,  原田惠充 ,  肱冈健一郎 ,  剂藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 一种技术，用于保护由有机低介电常数材料构成的中间层绝缘膜免受在半导体工艺中的任何损害，且用于在中间层绝缘膜中获得降低的漏电流，从而改善半导体器件的可靠性。根据本发明的半导体器件具有有开口的有机绝缘膜(5，26，28)。有机绝缘膜(5，26，28)具有面对开口的改进部分(5a，26a，28a)。改进部分(5a，26a，28a)包含氟原子和氮原子。在改进部分(5a，26a，28a)中的氟原子的浓度比氮原子的浓度低。上述改进部分(5a，26a，28a)在抑制埋入在开口中的导体的腐蚀同时，保护了半导体器件免受半导体工艺中的损害。