聚二烷基硅烷的制造方法

    公开(公告)号:CN104136501B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201380011211.9

    申请日:2013-02-27

    CPC classification number: C08G77/06 C08G77/00 C08G77/60

    Abstract: 本发明提供一种聚二烷基硅烷的制造方法和聚二烷基硅烷,该聚二烷基硅烷的制造方法的特征在于,包括在含有碱金属的有机溶剂中,添加由式〔I〕(式中,R1和R2独立地表示烷基,X1和X2独立地表示卤素原子)表示的化合物〔I〕的工序,0.010[hr?1]≤化合物〔I〕的平均添加速度[摩尔·hr?1]/碱金属的量[摩尔]≤0.055[hr?1]。

    可由双聚合获得的低K电介质

    公开(公告)号:CN102017015A

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN200980114788.6

    申请日:2009-04-28

    CPC classification number: H01B3/441 C08G77/00 C08J9/26 C08J2383/00

    Abstract: 本发明涉及一种具有3.5或更小的介电常数的介电层,其包含可由至少一种双单体聚合得到的电介质,所述至少一种双单体包含:a)包含金属或半金属的第一单体单元,以及b)通过化学键连接至该第一单体单元的第二单体单元,其中所述聚合包括通过使该化学键断裂并形成包含该第一单体单元的第一聚合物及包含该第二单体单元的第二聚合物而使该双单体聚合,且其中该第一单体单元及该第二单体单元通过相同机理聚合。

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