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公开(公告)号：CN1327507C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN03807808.2
申请日：2003-03-31
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76831 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/76813
Abstract: 一种技术，用于保护由有机低介电常数材料构成的中间层绝缘膜免受在半导体工艺中的任何损害，且用于在中间层绝缘膜中获得降低的漏电流，从而改善半导体器件的可靠性。根据本发明的半导体器件具有有开口的有机绝缘膜(5，26，28)。有机绝缘膜(5，26，28)具有面对开口的改进部分(5a，26a，28a)。改进部分(5a，26a，28a)包含氟原子和氮原子。在改进部分(5a，26a，28a)中的氟原子的浓度比氮原子的浓度低。上述改进部分(5a，26a，28a)在抑制埋入在开口中的导体的腐蚀同时，保护了半导体器件免受半导体工艺中的损害。
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公开(公告)号：CN101217136A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810001917.8
申请日：2004-05-28
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。
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公开(公告)号：CN1650417A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03807808.2
申请日：2003-03-31
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/76831 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/76813
Abstract: 一种技术，用于保护由有机低介电常数材料构成的中间层绝缘膜免受在半导体工艺中的任何损害，且用于在中间层绝缘膜中获得降低的漏电流，从而改善半导体器件的可靠性。根据本发明的半导体器件具有有开口的有机绝缘膜(5，26，28)。有机绝缘膜(5，26，28)具有面对开口的改进部分(5a，26a，28a)。改进部分(5a，26a，28a)包含氟原子和氮原子。在改进部分(5a，26a，28a)中的氟原子的浓度比氮原子的浓度低。上述改进部分(5a，26a，28a)在抑制埋入在开口中的导体的腐蚀同时，保护了半导体器件免受半导体工艺中的损害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101495674A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780027766.7
申请日：2007-07-23
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 一种形成多孔质绝缘膜的方法，使用具有3元SiO环状结构以及4元SiO环状结构的有机硅石的原料气体、或者具有3元SiO环状结构以及直链状有机硅石结构的有机硅石的原料气体，通过等离子体反应成膜。能够获得具有高强度、高粘合性的多孔质的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1826687A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480021252.7
申请日：2004-05-28
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层413。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。
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公开(公告)号：CN101217136B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200810001917.8
申请日：2004-05-28
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。
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公开(公告)号：CN101568999A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001355.5
申请日：2008-01-08
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有多层布线的半导体装置，该多层布线具有在绝缘膜中的预定区域形成的铜布线膜、衬层膜和高熔点金属膜。铜布线膜是多晶，构成多晶的晶粒中占据单位布线表面的40％以上面积的晶粒在基板厚度方向上向(111)方位取向，并具有与贵金属衬层膜的结晶匹配性。在高熔点金属膜是Ti，贵金属衬层膜是钌膜时，高熔点金属的钛固溶在钌中成为贵金属衬层，形成兼具抗铜扩散性和铜结晶匹配性的铜布线。
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公开(公告)号：CN100407400C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480021252.7
申请日：2004-05-28
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层413。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。
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