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公开(公告)号：CN1929125A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610008517.0
申请日：2006-02-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
Abstract: 一种保险丝包括：包含硅层的互连部分(14)；连接至该互连部分(14)的一端的接触部分(20b)；以及连接至该互连部分(14)的另一端并包含金属材料的接触部分(20a)。电流从接触部分(20b)流向接触部分(20a)，以使接触部分(20a)的金属材料迁移至该硅层，从而改变互连部分(14)与接触部分(20a)之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN107251248A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580076518.6
申请日：2015-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L35/30 , G01D11/245 , H01L35/32 , H04Q9/00
Abstract: 本发明涉及热电转换模块、传感器模块以及信息处理系统。热电转换模块(6)具备：热电转换元件(1)；第一容器(2)；翅片(3)，其与热电转换元件的一侧热连接，热传导率比第一容器高，并在第一容器内向远离热电转换元件的方向延伸；第一散热部件(4)，其与热电转换元件的一侧热连接，热传导率比翅片高，在第一容器内延伸到翅片的距热电转换元件较远的一侧；以及第一蓄热材料(5)，其设置于第一容器内，并与翅片以及第一散热部件热连接。
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公开(公告)号：CN104467626B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410557641.7
申请日：2010-07-05
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 铃木贵志
IPC: H02S10/10
CPC classification number: H01L31/05 , H01L31/02021 , H01L31/042 , H01L35/28 , H02S10/10 , H02S40/44 , Y02E10/50 , Y02E10/60
Abstract: 本发明的发电系统具有发电装置和控制所述发电装置的控制部，所述发电装置具有：多个pn层叠体，这些pn层叠体是通过层叠p型半导体层和n型半导体层而形成的；模式切换部，其用于对多个所述pn层叠体彼此的连接关系进行变更，使该发电装置在光发电模式和热发电模式之间进行切换。
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公开(公告)号：CN101341591A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200580052349.9
申请日：2005-12-19
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L21/76 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/76224 , H01L21/823878 , H01L29/7846
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有元件分离区域的半导体器件，该元件分离区域用于控制P型MOS晶体管或N型MOS晶体管的有源区域的变形，使其成为规定状态。本发明的半导体器件的特征在于，具有形成有MOS晶体管的有源区域、以包围有源区域周围的方式形成的槽，而且，使有源区域产生拉伸变形的第一材料以及产生压缩变形的第二材料的组合被填埋在所述槽内，从而能够解决上述问题。
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公开(公告)号：CN1231970C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN02157548.7
申请日：2002-12-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76811 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76813 , H01L21/76838 , H01L21/7684 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L2221/1036 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：第二绝缘膜，其形成在第一布线的表面与第一绝缘膜的表面构成的一个平整表面上，以覆盖第一布线；在第二绝缘膜中形成的布线沟槽；在第二绝缘膜中形成的连接孔，以从该布线沟槽延伸到该第一布线；在第二绝缘膜中形成的伪连接孔，以从布线沟槽延伸到不形成第一布线的区域；第二布线，其被埋在该连接孔和布线沟槽中，以电连接到第一布线，并且还被埋在伪连接孔中，并且被形成为使得第二布线的表面与第一绝缘膜的表面构成一个平整的表面，以及形成在所述第二布线上方并电连接至第二布线的上部布线。
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公开(公告)号：CN1428855A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157548.7
申请日：2002-12-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76811 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76813 , H01L21/76838 , H01L21/7684 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L2221/1036 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：第二绝缘膜，其形成在第一布线的表面与第二绝缘膜的表面相连续的一个基本上平整表面上，以覆盖第一布线；在第二绝缘膜中形成第一布线沟槽；在第二绝缘膜中形成的连接孔，以从该布线沟槽延伸到该第一布线；在第二绝缘膜中形成的伪连接孔，以从布线沟槽延伸到不形成第一布线的区域；以及第二布线，其被埋在该连接孔和布线沟槽中，以电连接到第一布线，并且还被埋在伪连接孔中，并且被形成为使得第二布线的表面与第一绝缘膜的表面构成一个基本上平整的表面。
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公开(公告)号：CN106062948B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201480075879.4
申请日：2014-07-08
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统。电子装置具备：主体部、散热材料以及覆盖部。主体部由第一材料形成，散热片由比第一材料热传导率高的第二材料形成。散热片设置于主体部，并具有翅片、与该翅片在与顶部不同的位置彼此进行了热连接的其他翅片、以及将翅片与电子部件进行热连接的被连接部。覆盖部由第一材料形成，并对翅片与其他翅片之间的槽的底部中的至少一部分进行覆盖。
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公开(公告)号：CN106062948A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480075879.4
申请日：2014-07-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K7/20436 , G08G1/042 , H01L21/4878 , H01L21/4882 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/373 , H01L23/4334 , H01L24/48 , H01L35/02 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73215 , H01L2924/00014 , H01L2924/1815 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统。电子装置具备：主体部、散热材料以及覆盖部。主体部由第一材料形成，散热片由比第一材料热传导率高的第二材料形成。散热片设置于主体部，并具有翅片、与该翅片在与顶部不同的位置彼此进行了热连接的其他翅片、以及将翅片与电子部件进行热连接的被连接部。覆盖部由第一材料形成，并对翅片与其他翅片之间的槽的底部中的至少一部分进行覆盖。
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