公开(公告)号：CN101483144B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200910006680.7

申请日：2003-04-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 水越正孝 ,  石月义克 ,  中川香苗 ,  冈本圭史郎 ,  手代木和雄 ,  酒井泰治

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/749 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099

Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。

公开(公告)号：CN102044413B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010526085.9

申请日：2003-04-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 水越正孝 ,  石月义克 ,  中川香苗 ,  冈本圭史郎 ,  手代木和雄 ,  酒井泰治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/749 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099

Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。

公开(公告)号：CN109564965A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201680088138.9

申请日：2016-07-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中川香苗 ,  铃木贵志

IPC: H01L35/30 ,  F28D20/02 ,  H02N11/00

Abstract: 将热电转换模块(5)作成具备如下部件的结构：热电转换元件(1)、容器(2)、设置于容器内的储热材料(3)、以及与热电转换元件的一侧热连接并且与储热材料热连接的第一导热部件(4)，并使第一导热部件包含由热传导率高于储热材料，并且，具有与储热材料不同的转移温度的固相－固相相转移系统储热材料构成的部分。

公开(公告)号：CN101483144A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910006680.7

申请日：2003-04-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 水越正孝 ,  石月义克 ,  中川香苗 ,  冈本圭史郎 ,  手代木和雄 ,  酒井泰治

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/749 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099

Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。本发明涉及一种半导体器件及其制法、基板处理装置和半导体制造装置。

公开(公告)号：CN1685489A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822757.6

申请日：2003-04-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 水越正孝 ,  石月义克 ,  中川香苗 ,  冈本圭史郎 ,  手代木和雄 ,  酒井泰治

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/749 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099

Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。

公开(公告)号：CN112486693B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202010928271.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中川香苗 ,  新井正树 ,  富田安基

IPC: G06F9/52

Abstract: 在实施方式中描述了屏障同步系统、并行信息处理设备等。在示例中，提供了用于在屏障同步中减少等待时间并且提高处理速度的解决方案。并行信息处理设备包括：完成信息存储装置，其被配置成存储完成信息，其中，完成信息包括与自身设备的处理的完成有关的信息以及与位于树结构中的下级信息处理设备的处理的完成有关的信息；以及控制电路，其被配置成：响应于指示当前状态达到给定条件的确定结果，指示所指定的信息处理设备强制中止处理，所指定的信息处理设备是在多个信息处理设备中的所有信息处理设备均已经完成处理之前尚未完成处理的设备。

公开(公告)号：CN107251248A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201580076518.6

申请日：2015-02-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中川香苗 ,  铃木贵志

IPC: H01L35/30 ,  H01L35/32

CPC classification number: H01L35/30 ,  G01D11/245 ,  H01L35/32 ,  H04Q9/00

Abstract: 本发明涉及热电转换模块、传感器模块以及信息处理系统。热电转换模块(6)具备：热电转换元件(1)；第一容器(2)；翅片(3)，其与热电转换元件的一侧热连接，热传导率比第一容器高，并在第一容器内向远离热电转换元件的方向延伸；第一散热部件(4)，其与热电转换元件的一侧热连接，热传导率比翅片高，在第一容器内延伸到翅片的距热电转换元件较远的一侧；以及第一蓄热材料(5)，其设置于第一容器内，并与翅片以及第一散热部件热连接。

公开(公告)号：CN100547741C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200380102282.6

申请日：2003-12-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中川香苗 ,  水越正孝 ,  手代木和雄

IPC: H01L21/304

Abstract: 准备已经使支承面(201a)平坦了的衬底支座(201)，用例如真空吸附把布线形成面(1a)吸附在该支承面(201a)上，从而把半导体衬底(1)固定在衬底支座(201)上。这时，向支承面(201a)的吸附就使布线形成面(1a)强制性的平坦化，这样，布线形成面(1a)成为背面(1b)的平坦化基准面。在该状态下，对背面(1b)进行机械研磨，将背面(1b)的凸部(12)研磨除去来进行平坦化处理。这样，就能够使衬底(特别是半导体衬底)的厚度离散均一化，不会发生凹凸扭曲等不适当的情况，能够容易且廉价地实现无布线设计约束的高速平坦化。

公开(公告)号：CN1708835A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102282.6

申请日：2003-12-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中川香苗 ,  水越正孝 ,  手代木和雄

IPC: H01L21/304

Abstract: 准备已经使支承面(201a)平坦了的衬底支座(201)，用例如真空吸附把布线形成面(1a)吸附在该支承面(201a)上，从而把半导体衬底(1)固定在衬底支座(201)上。这时，向支承面(201a)的吸附就使布线形成面(1a)强制性的平坦化，这样，布线形成面(1a)成为背面(1b)的平坦化基准面。在该状态下，对背面(1b)进行机械研磨，将背面(1b)的凸部(12)研磨除去来进行平坦化处理。这样，就能够使衬底(特别是半导体衬底)的厚度离散均一化，不会发生凹凸扭曲等不适当的情况，能够容易且廉价地实现无布线设计约束的高速平坦化。

公开(公告)号：CN112486693A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202010928271.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中川香苗 ,  新井正树 ,  富田安基

IPC: G06F9/52

Abstract: 在实施方式中描述了屏障同步系统、并行信息处理设备等。在示例中，提供了用于在屏障同步中减少等待时间并且提高处理速度的解决方案。并行信息处理设备包括：完成信息存储装置，其被配置成存储完成信息，其中，完成信息包括与自身设备的处理的完成有关的信息以及与位于树结构中的下级信息处理设备的处理的完成有关的信息；以及控制电路，其被配置成：响应于指示当前状态达到给定条件的确定结果，指示所指定的信息处理设备强制中止处理，所指定的信息处理设备是在多个信息处理设备中的所有信息处理设备均已经完成处理之前尚未完成处理的设备。