公开(公告)号：CN101221942A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810002672.0

申请日：2008-01-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐藤元伸

IPC: H01L23/522

Abstract: 一种半导体器件及其设计方法，所述半导体器件包括第一布线和第二布线以及多个通孔，所述设计方法包括：确定与通孔列数目的变化相对应的所述半导体器件的第一寿命变化率；确定与通孔行数目的变化相对应的所述半导体器件的第二寿命变化率；根据基于所述第一寿命变化率和所述第二寿命变化率的比率，减小所述通孔列数目；以及将所述通孔行数目至少增加1。

公开(公告)号：CN100378988C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410054930.1

申请日：2004-07-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐藤元伸 ,  泽田丰治 ,  大冢敏志

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括一层间绝缘膜(18)，其形成在衬底(10)上；一熔丝(26)，其埋置在层间绝缘膜(18)中以及一覆盖膜(30)，其形成在层间绝缘膜(18)上并且其中形成有向下至熔丝(26)的开口。形成的层间绝缘膜(18)与开口中的熔丝(26)的侧壁接触，由此熔丝(26)由层间绝缘膜(18)支撑，从而防止图形倒塌和图形散开。可以防止熔丝的大范围散开，并且可以小间距设置熔丝。

公开(公告)号：CN1929125A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610008517.0

申请日：2006-02-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大冢敏志 ,  泽田丰治 ,  须贺真人 ,  长山准 ,  佐藤元伸 ,  铃木贵志

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

Abstract: 一种保险丝包括：包含硅层的互连部分(14)；连接至该互连部分(14)的一端的接触部分(20b)；以及连接至该互连部分(14)的另一端并包含金属材料的接触部分(20a)。电流从接触部分(20b)流向接触部分(20a)，以使接触部分(20a)的金属材料迁移至该硅层，从而改变互连部分(14)与接触部分(20a)之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN1645607A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410054930.1

申请日：2004-07-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐藤元伸 ,  泽田丰治 ,  大冢敏志

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括一层间绝缘膜18，其形成在衬底10上；一熔丝26，其埋置在层间绝缘膜18中以及一覆盖膜30，其形成在层间绝缘膜18上并且其中形成有向下至熔丝26的开口。形成的层间绝缘膜18与开口中的熔丝26的侧壁接触，由此熔丝26由层间绝缘膜18支撑，从而防止图形倒塌和图形散开。可以防止熔丝的大范围散开，并且可以小间距设置熔丝。