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公开(公告)号：CN106575642B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201480080405.9
申请日：2014-07-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/38 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2924/1815 , H05K7/20 , H05K7/2039 , H01L2924/00014
Abstract: 电子装置具备主体部和散热片。主体部由第一材料形成，散热片由热传导率比第一材料高的第二材料形成。散热片覆盖主体部，并具有散热板、和在与散热板的顶部不同的位置与该散热板热连接并且与电子部件热连接的被连接部。
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公开(公告)号：CN106575642A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480080405.9
申请日：2014-07-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/38 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2924/1815 , H05K7/20 , H05K7/2039 , H01L2924/00014
Abstract: 电子装置具备主体部和散热片。主体部由第一材料形成，散热片由热传导率比第一材料高的第二材料形成。散热片覆盖主体部，并具有散热板、和在与散热板的顶部不同的位置与该散热板热连接并且与电子部件热连接的被连接部。
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公开(公告)号：CN101246875B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810008930.6
申请日：2008-01-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/2885 , H01L21/76877 , H01L21/76886 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件中铜布线的抗电迁移性提高。铜布线形成为使得在它的中心部分铜颗粒较大，在它的上部和下部铜颗粒较小。通过镶嵌方法形成具有这种结构的铜布线。可通过控制电镀时的电流密度来形成这种结构。对于具有这种结构的铜布线，电流通过其中心部分比通过其上部更容易。因此，能够抑制上部的铜原子扩散，从而能够抑制铜原子从铜布线与覆盖膜之间的界面扩散。
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公开(公告)号：CN1495892A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN02152826.8
申请日：2002-11-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/314 , C23C16/325 , H01L21/76811 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 借助通过金属镶嵌方法形成的基膜，用Cu填充通路孔和配线沟，形成配线。然后，形成SiC:H膜，覆盖配线的上表面。此刻，在形成SiC:H膜的时候，通过加入含氮气体，控制其中的氮原子含量为为8(原子％)－20(原子％)，从而使SiC:H膜的膜密度为2.1(g/cm3)或更高。
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公开(公告)号：CN109564965A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201680088138.9
申请日：2016-07-22
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 将热电转换模块(5)作成具备如下部件的结构：热电转换元件(1)、容器(2)、设置于容器内的储热材料(3)、以及与热电转换元件的一侧热连接并且与储热材料热连接的第一导热部件(4)，并使第一导热部件包含由热传导率高于储热材料，并且，具有与储热材料不同的转移温度的固相－固相相转移系统储热材料构成的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104467626A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410557641.7
申请日：2010-07-05
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 铃木贵志
IPC: H02S10/10
CPC classification number: H01L31/05 , H01L31/02021 , H01L31/042 , H01L35/28 , H02S10/10 , H02S40/44 , Y02E10/50 , Y02E10/60 , H02S40/00
Abstract: 本发明的发电系统具有发电装置和控制所述发电装置的控制部，所述发电装置具有：多个pn层叠体，这些pn层叠体是通过层叠p型半导体层和n型半导体层而形成的；模式切换部，其用于对多个所述pn层叠体彼此的连接关系进行变更，使该发电装置在光发电模式和热发电模式之间进行切换。
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公开(公告)号：CN101238570A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200580051286.5
申请日：2005-08-17
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种具有多层布线结构的半导体器件及其制造方法，其目的在于，提供一种可靠性及制造成品率高、且在设计上的限制少的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括：布线20、40、60、80，其形成在衬底10上；低介电常数膜12、32、52、72、92，其形成在布线20、40、60、80的周围；加强用绝缘膜42a、62a、82a、102a，其由弹性模量比低介电常数膜12、32、52、72、92形成材料的弹性模量大的电介质材料形成，且在沿着垂直衬底面的方向观察时重叠配置于布线20、40、60、80上；加强用绝缘膜22b、42b、62b、82b、102b，其交叉配置于布线20、40、60、80上。
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公开(公告)号：CN102484436A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080036838.6
申请日：2010-07-05
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 铃木贵志
IPC: H02N6/00 , H01L31/042 , H01L35/28 , H02N11/00
CPC classification number: H01L31/05 , H01L31/02021 , H01L31/042 , H01L35/28 , H02S10/10 , H02S40/44 , Y02E10/50 , Y02E10/60
Abstract: 本发明的发电装置的一个方式具有：多个pn层叠体，这些pn层叠体是通过层叠p型半导体层和n型半导体层而形成的；模式切换部，其与多个所述pn层叠体相连接，用于切换至光发电模式或热发电模式。模式切换部16，针对多个pn层叠体11，通过使p型半导体层11a之间并联且使n型半导体层11b之间并联，来切换至光发电模式。另外，模式切换部16，针对不同的pn层叠体11，通过使p型半导体层11a和n型半导体层11b串联，来切换至热发电模式。
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公开(公告)号：CN101246875A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810008930.6
申请日：2008-01-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/2885 , H01L21/76877 , H01L21/76886 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件中铜布线的抗电迁移性提高。铜布线形成为使得在它的中心部分铜颗粒较大，在它的上部和下部铜颗粒较小。通过镶嵌方法形成具有这种结构的铜布线。可通过控制电镀时的电流密度来形成这种结构。对于具有这种结构的铜布线，电流通过其中心部分比通过其上部更容易。因此，能够抑制上部的铜原子扩散，从而能够抑制铜原子从铜布线与覆盖膜之间的界面扩散。
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公开(公告)号：CN1310321C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02152826.8
申请日：2002-11-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/314 , C23C16/325 , H01L21/76811 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 借助通过金属镶嵌方法形成的基膜，用Cu填充通路孔和配线沟，形成配线。然后，形成SiC∶H膜，覆盖配线的上表面。此刻，在形成SiC∶H膜的时候，通过加入含氮气体，控制其中的氮原子含量为8(原子%)-20(原子%)，从而使SiC∶H膜的膜密度为2.1(g/cm3)或更高。
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