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公开(公告)号：CN101383391A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810201544.9
申请日：2008-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种环氧胶阵列的制作方法，它适用于制作红外焦平面探测器组件的封装结构试验模拟件。本发明的制作方法包括：光刻胶柱阵列图形，匀环氧胶，环氧胶固化，浮光刻胶，去除多余环氧胶和点液态环氧胶工艺步骤。本发明的环氧胶柱阵列制作工艺所需的温度低，工艺简单且成本低廉，能更好的满足了组件结构设计的需求。
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公开(公告)号：CN101373153A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810201542.X
申请日：2008-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明专利公开了一种测量制冷型红外焦平面探测器件各光敏元间的温度差的装置和方法。温度分布不均匀会导致材料的禁带宽度有差异从而影响器件的响应波长，不利于焦平面的均匀性指标的提高，因此不同位置的光敏元温度分布是非常值得关注的。但目前还没有哪个方法能简单方便的测量几何尺寸在微米量级的光敏元的温度。本专利通过静电计测量微小面积光敏元的电势差，可以方便的得到他们间的温度差。该方法简便易行，测量准确，值得推广使用。
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公开(公告)号：CN100460885C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610027355.5
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种基于多样品霍尔效应自动测试设备，系为多片样片霍尔效应自动测试设备，主要应用于批量半导体材料电学输运性能的测试。该设备主要由一个主系统和一个从系统及一只PC机组成。主系统主要负责测试信号的产生和接收，测试过程中被测样品的自动切换；从系统主要负责提供测试平台和测试磁场。设备电学参数的测量，并将测试结果显示在测试面板上。本设备的最大的优点是可以实现多片样品的连续测量，以及对于磁场的精确控制，从而提高了测试效率和测试精度。另外可以实现半导体材料测试电极的I-V曲线测试，变磁场霍尔效应测试，以及电子数据的存储，从而自动完成批量被测样品的测试及测试结果记录的整个过程。
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公开(公告)号：CN101349593A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810042428.7
申请日：2008-09-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
Abstract: 本发明公开了一种航天用红外探测器杜瓦组件高真空保持的结构及实现方法，它适用于红外探测器杜瓦组件的空间应用技术。航天用红外探测器杜瓦组件高真空保持的结构由高气密真空自锁阀、连接管、高气密真空对接接头、排气管和红外探测器杜瓦组件。本发明在高气密真空自锁阀和高气密真空对接接头的密封结构和连接上引入特定的处理方法，来获得了航天用红外探测器杜瓦组件高真空保持的结构。本发明可使得航天用红外探测器杜瓦组件获得无限长的真空寿命，同时本发明对红外探测器制备和封装工艺中降低出气率的工艺环节没有严格要求，这大大降低红外探测器杜瓦组件的制备和封装成本。
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公开(公告)号：CN101335250A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810038826.1
申请日：2008-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/85099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01025 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种低温冷平台与室温外壳之间的引线结构及方法，它适用于对红外探测器芯片的杜瓦封装。本发明的引线结构包括红外探测器的安装衬底1、引线电路2、冷平台3、引线环4、杜瓦外壳5和低热导率的金属引线6。通过在安装衬底、引线电路、引线环、金属引线制备和连接上引入特定的处理方法，来实现了低温冷平台与室温外壳之间的引线结构，本发明实现了低温冷平台与室温外壳之间高通用、高气密的电学和真空连接，有利于微型红外探测器杜瓦组件的寄生热负载降低和长真空寿命的获得，同时引线连接点可承受高速率变化的高低温冲击，具有较高的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101226926A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810033431.2
申请日：2008-02-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/49
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种大面阵红外焦平面探测器在冷平台上的组装结构及其组装方法，它适用于对大面阵红外焦平面探测器芯片的杜瓦封装。大面阵红外焦平面探测器在微型杜瓦的冷平台上的组装结构包括大面阵红外探测器芯片、基板衬底、微型杜瓦的冷平台、引线电路、滤光片支架、滤光片、由两类共用圆筒组成的冷屏、硅铝丝。本发明通过在基板衬底、滤光片支架和冷屏制备和连接上引入特定的处理方法，来实现了大面阵红外焦平面探测器在微型杜瓦的冷平台上的组装结构，本发明降低了微型杜瓦的冷平台的热容量，缩短了降温时间，同时也有效的抑制了杂散光和降低了微型杜瓦组件的寄生热负载。
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公开(公告)号：CN101195181A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710172695.1
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B23D27/00
Abstract: 本发明公开了一种环形金属密封圈加工工具，其主要由内切刀、外切刀、脱杆、脱柱、脱环和销钉等组成。内切刀和外切刀为同轴两圆柱体。内切刀刀口的外径尺寸决定金属环的内径。外切刀刀口的内径决定金属环的外径。脱环装置由脱杆、脱柱、脱环和销钉等组成。先将要求厚度的金属片平放的一平台上，将切刀结构的刀口朝下放在金属片上，对内切刀上端面作用力，让切刀切穿金属片。然后让切刀离开平台，用力按下脱杆，脱杆推动脱柱，脱柱上的销钉带动脱环，从而把成型的金属环从切刀结构上取下。本发明结构简单，使用方便，针对其他形状的金属密封环，只需要改变刀口形状，加工的密封环能够与各种结构尺寸的填充槽匹配。
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公开(公告)号：CN1960006A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610118770.1
申请日：2006-11-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种微台面结构的铟镓砷线列探测器，结构为：在半绝缘InP衬底上有n型InP层，在n型InP层上置有通过刻蚀形成的由InGaAs吸收层和P型InP层构成的线列微台面，在微台面上的p型电极引出区生长有一层p－InGaAs电极过渡层；微台面的所有露裸区有一层通过硫化处理生成的In2S3层，在该In2S3层上有依次通过热蒸发生成的In2S3钝化层和SiNx钝化层。本发明的优点是由于硫化处理生成的In2S3层和其表面生成的In2S3钝化层正好晶格匹配，可以减小接触表面态，有效的增加探测器的量子效率和减小暗电流，SiNx钝化层起到钝化加固作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。在电极引出区P型InP层上增加一层p－InGaAs电极过渡层，使电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极在不退火的情况下实现欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能。
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公开(公告)号：CN1928525A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610116259.8
申请日：2006-09-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01M19/00 , G05B19/042 , F25D3/10
Abstract: 一种单片机和多路模拟开关控制的宽温范围高低温循环设备，使用单片机实现步进电机和自动输液氮控制，在数据采集卡的外围加设多路模拟开关来增加采集卡的模拟通道数目，同时实现了设备控制模块和信号监测模块的分离。从而达到提高设备稳定性、增强可操作性，和监测数十路以上模拟信号的目的。其中自动输液氮控制模块体积小、成本低、方便灵活、可移植性强，可以用在其它需要自动输液氮的场合。
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公开(公告)号：CN1603778A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410067891.9
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种宽温度范围的高低温循环设备，系为从低温≤－173℃到室温的温度循环设备，主要用于人造卫星上的红外探测器的环境应力筛选。该设备主要由一个主系统和一个从系统以及一个PC机组成。主系统主要负责实现温度循环功能及控制，从系统为主系统的冷环境自动补充消耗掉的液氮。设备可以记录热环境温度，和温度循环次数并显示在控制面板上。另外设备能有效地避免意外情况带来的损失。本设备的最大优点是可以自动完成半导体器件的温度循环试验，工作人员只需隔几天给母缸倒入液氮即可。另外本设备的温度循环还可具有从低于－173℃到300℃极广的温度试验范围，可以用来完成此温度范围内要求的半导体器件的环境应力筛选和器件可靠性测试。
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