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公开(公告)号：CN108519161B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810315002.8
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面非均匀性校正方法。该方法将红外相机以一定速度分别沿着红外焦平面的行方向和列方向扫描，并采集图像数据。将行方向扫描的多帧图像，以像元为单位构建数据向量集，计算各像元向量集的各阶统计参数，并根据同一行像元扫描成像场景的一致性，精确计算同一行像元非均匀性校正参数的相关性。同样根据列扫描方向的多帧图像，可得同列像元非均匀性校正参数的相关性。联立各像元的非均匀性校正参数的行间相关性和列间相关性方程，计算得红外焦平面的非均匀性校正参数。本发明可在无需参考源的情况下，快速精确地完成红外焦平面的非均匀性校正。
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公开(公告)号：CN108519161A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810315002.8
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面非均匀性校正方法。该方法将红外相机以一定速度分别沿着红外焦平面的行方向和列方向扫描，并采集图像数据。将行方向扫描的多帧图像，以像元为单位构建数据向量集，计算各像元向量集的各阶统计参数，并根据同一行像元扫描成像场景的一致性，精确计算同一行像元非均匀性校正参数的相关性。同样根据列扫描方向的多帧图像，可得同列像元非均匀性校正参数的相关性。联立各像元的非均匀性校正参数的行间相关性和列间相关性方程，计算得红外焦平面的非均匀性校正参数。本发明可在无需参考源的情况下，快速精确地完成红外焦平面的非均匀性校正。
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公开(公告)号：CN106441163A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610893948.3
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明公开了一种非接触式柱状物垂直度检测方法及装置。本发明利用双目高清摄像头和激光线实现对柱状物体实时的垂直度检测，激光线作为垂直基准，双目高清摄像头对柱状成像，通过边沿检测和直线检测方法，实现对柱状物体边沿位置标定，通过对比一定范围内与基准线的距离测量柱状的垂直度，通过本方案可以实现对柱状的高精度非接触式测量，测量精度在0.05°；采用两台相机视场范围θ＝62°、分辨率为5K×5K相机、相机水平夹角Φ＝60°、激光器一台架设在两台相机中间，可以发射一条或者多条水平和垂直激光线，长度根据被测柱状物的高度决定，激光线长度小于等于柱状物的高度、一台小型工控机实现对圆柱铁芯的垂直度测量，该装置制作简单、操作方便、测量准确。
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公开(公告)号：CN1960006A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610118770.1
申请日：2006-11-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种微台面结构的铟镓砷线列探测器，结构为：在半绝缘InP衬底上有n型InP层，在n型InP层上置有通过刻蚀形成的由InGaAs吸收层和P型InP层构成的线列微台面，在微台面上的p型电极引出区生长有一层p－InGaAs电极过渡层；微台面的所有露裸区有一层通过硫化处理生成的In2S3层，在该In2S3层上有依次通过热蒸发生成的In2S3钝化层和SiNx钝化层。本发明的优点是由于硫化处理生成的In2S3层和其表面生成的In2S3钝化层正好晶格匹配，可以减小接触表面态，有效的增加探测器的量子效率和减小暗电流，SiNx钝化层起到钝化加固作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。在电极引出区P型InP层上增加一层p－InGaAs电极过渡层，使电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极在不退火的情况下实现欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能。
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公开(公告)号：CN106441162A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610893741.6
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种柱状物体垂直度的非接触式检测装置及方法。该装置利用相机和激光线实现对柱状物体实时的垂直度检测，激光线作为水平基准，相机对柱状物体成像，通过边缘检测的方法，以激光线为基准、实现对柱状物体顶部边沿位置的标定，通过对比物体顶部不同位置到基准线的距离来检测柱状物体的垂直度。通过本方案可以实现对柱状的高精度非接触式垂直度检测。测量精度在0.05°，相机视场范围θ＝60°、分辨率为5K×5K相机、激光器两台架设在被测物体的两侧，发射一条水平激光线，激光线长度大于柱状物的直径、一台小型工控机实现对圆柱物体的垂直度测量，系统的制造成本低、测量装置简单、易操作、测量准确度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100424895C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610118770.1
申请日：2006-11-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种微台面结构的铟镓砷线列探测器，结构为：在半绝缘InP衬底上有n型InP层，在n型InP层上置有通过刻蚀形成的由InGaAs吸收层和P型InP层构成的线列微台面，在微台面上的p型电极引出区生长有一层p-InGaAs电极过渡层；微台面的所有露裸区有一层通过硫化处理生成的In2S3层，在该In2S3层上有依次通过热蒸发生成的In2S3钝化层和SiNx钝化层。本发明的优点是由于硫化处理生成的In2S3层和其表面生成的In2S3钝化层正好晶格匹配，可以减小接触表面态，有效的增加探测器的量子效率和减小暗电流，SiNx钝化层起到钝化加固作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。在电极引出区P型InP层上增加一层p-InGaAs电极过渡层，使电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极在不退火的情况下实现欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能。
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公开(公告)号：CN1851939A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610025741.0
申请日：2006-04-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar+离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层侧面损伤。并通过硫化处理，去掉表面氧化层，覆盖新的ZnS/聚酰亚胺双层钝化膜。ZnS层有效地起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用，可以增加探测器的量子效率和减小暗电流，较厚聚酰亚胺层起到钝化加固和抗辐射作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。该工艺适用于均匀性要求高的大线列或面阵台面InGaAs焦平面探测器的研制。
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公开(公告)号：CN106441163B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201610893948.3
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明公开了一种非接触式柱状物垂直度检测方法及装置。本发明利用双目高清摄像头和激光线实现对柱状物体实时的垂直度检测，激光线作为垂直基准，双目高清摄像头对柱状成像，通过边沿检测和直线检测方法，实现对柱状物体边沿位置标定，通过对比一定范围内与基准线的距离测量柱状的垂直度，通过本方案可以实现对柱状的高精度非接触式测量，测量精度在0.05°；采用两台相机视场范围θ＝62°、分辨率为5K×5K相机、相机水平夹角Φ＝60°、激光器一台架设在两台相机中间，可以发射一条或者多条水平和垂直激光线，长度根据被测柱状物的高度决定，激光线长度小于等于柱状物的高度、一台小型工控机实现对圆柱铁芯的垂直度测量，该装置制作简单、操作方便、测量准确。
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公开(公告)号：CN105516622A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510866146.9
申请日：2015-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: H04N5/33 , H04N5/2355
Abstract: 本发明公开了一种红外信号的自适应调理方法。该方法首先对可配置调理电路的调理参数进行初始化，并对红外信号参考概率密度函数的模型与统计特征进行设置，然后对可配置调理电路的输出信号进行采集。对采集到的数据进行周期性统计，获取信号的短时概率密度函数。计算短时概率密度函数与参考概率密度函数统计特征之间的差异，并据此计算更新调理参数。重新采集数据，重复处理步骤，逐次优化直至调整到匹配当前信号的最优调理参数。本发明可以快速、动态的调整红外信号的调理参数，达到大动态范围成像的要求。
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公开(公告)号：CN100392871C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610025741.0
申请日：2006-04-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar+离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层侧面损伤。并通过硫化处理，去掉表面氧化层，覆盖新的ZnS/聚酰亚胺双层钝化膜。ZnS层有效地起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用，可以增加探测器的量子效率和减小暗电流，较厚聚酰亚胺层起到钝化加固和抗辐射作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。该工艺适用于均匀性要求高的大线列或面阵台面InGaAs焦平面探测器的研制。
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