公开(公告)号：CN1960006A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610118770.1

申请日：2006-11-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吕衍秋 ,  韩冰 ,  唐恒敬 ,  任仁 ,  吴小利 ,  乔辉 ,  张可锋 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种微台面结构的铟镓砷线列探测器，结构为：在半绝缘InP衬底上有n型InP层，在n型InP层上置有通过刻蚀形成的由InGaAs吸收层和P型InP层构成的线列微台面，在微台面上的p型电极引出区生长有一层p－InGaAs电极过渡层；微台面的所有露裸区有一层通过硫化处理生成的In2S3层，在该In2S3层上有依次通过热蒸发生成的In2S3钝化层和SiNx钝化层。本发明的优点是由于硫化处理生成的In2S3层和其表面生成的In2S3钝化层正好晶格匹配，可以减小接触表面态，有效的增加探测器的量子效率和减小暗电流，SiNx钝化层起到钝化加固作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。在电极引出区P型InP层上增加一层p－InGaAs电极过渡层，使电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极在不退火的情况下实现欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能。

公开(公告)号：CN1928525A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610116259.8

申请日：2006-09-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吴礼刚 ,  任仁 ,  龚海梅 ,  朱三根 ,  李向阳 ,  方家熊

IPC: G01M19/00 ,  G05B19/042 ,  F25D3/10

Abstract: 一种单片机和多路模拟开关控制的宽温范围高低温循环设备，使用单片机实现步进电机和自动输液氮控制，在数据采集卡的外围加设多路模拟开关来增加采集卡的模拟通道数目，同时实现了设备控制模块和信号监测模块的分离。从而达到提高设备稳定性、增强可操作性，和监测数十路以上模拟信号的目的。其中自动输液氮控制模块体积小、成本低、方便灵活、可移植性强，可以用在其它需要自动输液氮的场合。

公开(公告)号：CN100424895C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610118770.1

申请日：2006-11-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吕衍秋 ,  韩冰 ,  唐恒敬 ,  任仁 ,  吴小利 ,  乔辉 ,  张可锋 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种微台面结构的铟镓砷线列探测器，结构为：在半绝缘InP衬底上有n型InP层，在n型InP层上置有通过刻蚀形成的由InGaAs吸收层和P型InP层构成的线列微台面，在微台面上的p型电极引出区生长有一层p-InGaAs电极过渡层；微台面的所有露裸区有一层通过硫化处理生成的In2S3层，在该In2S3层上有依次通过热蒸发生成的In2S3钝化层和SiNx钝化层。本发明的优点是由于硫化处理生成的In2S3层和其表面生成的In2S3钝化层正好晶格匹配，可以减小接触表面态，有效的增加探测器的量子效率和减小暗电流，SiNx钝化层起到钝化加固作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。在电极引出区P型InP层上增加一层p-InGaAs电极过渡层，使电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极在不退火的情况下实现欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能。