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公开(公告)号：CN104748893A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510130240.8
申请日：2015-03-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01K17/00
CPC classification number: F25D19/006
Abstract: 本发明公开了一种在线测量杜瓦全温度区间冷损的方法，该方法利用了杜瓦冷头温度变化与辐射漏热、传导漏热之间的函数关系，通过对冷头的变温曲线进行数值拟合，从而逆向导出冷损的表达式。本发明克服了通常的液氮称重发或标准制冷机标定法均不能给出辐射漏热及热传导漏热分别是多少，仅能得到一个总冷损值，也不能在耦合有制冷机的状态下测量等等缺点，实现了在不破坏原有耦合状态的情况下同时测出杜瓦的辐射漏热及热传导漏热，并且同时给出了杜瓦冷头在各温度点下的漏热，为杜瓦的热学设计及热学失效分析提供了有效的测量手段。
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公开(公告)号：CN103134988A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310039535.5
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种多路阻值自动化测量系统。其包括老化电源、多路电子开关阵列、数据采集器、限流电阻、电路保护单元及计算机。其中多路电子开关阵列是一个多路单刀双闸开关阵列，其可根据多路红外器件中的任意一路元器件的测试要求，断开该路元器件与老化电源连接，将其接通至数据采集器，以完成元器件的试验状态与测试状态的自动切换；同时使用数据采集器对切换过来的元器件进行阻值测量，实现阻值自动测试的目的。通过计算机发送向数据采集器的RS232接口方式命令的方式，将测量数据转移至计算机进行存储；此系统实现了对多路元器件自动阻值测试和自动数据存储，提高了元器件老化数据采集的速率、准确度、数据量。
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公开(公告)号：CN101373153B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810201542.X
申请日：2008-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明公开了一种测量制冷型红外焦平面探测器件各光敏元间的温度差的装置和方法。温度分布不均匀会导致材料的禁带宽度有差异从而影响器件的响应波长，不利于焦平面的均匀性指标的提高，因此不同位置的光敏元温度分布是非常值得关注的。但目前还没有哪个方法能简单方便的测量几何尺寸在微米量级的光敏元的温度。本技术通过静电计测量微小面积光敏元的电势差，可以方便的得到他们间的温度差。该方法简便易行，测量准确，值得推广使用。
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公开(公告)号：CN101383391B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810201544.9
申请日：2008-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种环氧胶阵列的制作方法，它适用于制作红外焦平面探测器组件的封装结构试验模拟件。本发明的制作方法包括：光刻胶柱阵列图形，匀环氧胶，环氧胶固化，浮光刻胶，去除多余环氧胶和点液态环氧胶工艺步骤。本发明的环氧胶柱阵列制作工艺所需的温度低，工艺简单且成本低廉，能更好的满足了组件结构设计的需求。
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公开(公告)号：CN1206720C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03115644.4
申请日：2003-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料p-n结结深的测量方法，该方法包括样品的腐蚀，导电类型的测量和台阶高度的测量。其步骤是：利用腐蚀液对碲镉汞样品逐次腐蚀，逐层剥离，每腐蚀一次便进行一次导电类型的测量，导电类型的测量采用温差电动势法。它是根据p型半导体的温差电动势的方向与n型的相反的原理来判断腐蚀是否到p-n结的位置，然后利用台阶仪测量p-n结的结深。本发明的优点是：无需多次制备电极，测量方法简单，测试结果准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103089592B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310040102.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: F04B41/00
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器用多工位真空排气装置，其包括主腔体、主腔体密封阀、分子泵、插板阀、旁抽阀、机械泵及前级阀。主腔体为整个真空排气装置的公共真空室，其圆周上分布多个外接接头，将公共室分为多个排气支路。主腔体公共真空室与泵组间有两个排气通道。所有阀门均为超高真空气动阀。装置的密封形式均为金属密封。该红外探测器用真空排气装置结构简单、易于拆装、工位数目多、真空度能达到较高水平、主腔体与工位的压强差小、选用的所有阀门和泵组均可自动化控制。
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公开(公告)号：CN1434500A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03115644.4
申请日：2003-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料p－n结结深的测量方法，该方法包括样品的腐蚀，导电类型的测量和台阶高度的测量。其步骤是：利用腐蚀液对碲镉汞样品逐次腐蚀，逐层剥离，每腐蚀一次便进行一次导电类型的测量，导电类型的测量采用温差电动势法。它是根据p型半导体的温差电动势的方向与n型的相反的原理来判断腐蚀是否到p－n结的位置，然后利用台阶仪测量p－n结的结深。本发明的优点是：无需多次制备电极，测量方法简单，测试结果准确。
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公开(公告)号：CN103089592A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310040102.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: F04B41/00
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器用多工位真空排气装置，其包括主腔体、主腔体密封阀、分子泵、插板阀、旁抽阀、机械泵及前级阀。主腔体为整个真空排气装置的公共真空室，其圆周上分布多个外接接头，将公共室分为多个排气支路。主腔体公共真空室与泵组间有两个排气通道。所有阀门均为超高真空气动阀。装置的密封形式均为金属密封。该红外探测器用真空排气装置结构简单、易于拆装、工位数目多、真空度能达到较高水平、主腔体与工位的压强差小、选用的所有阀门和泵组均可自动化控制。
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公开(公告)号：CN101383391A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810201544.9
申请日：2008-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种环氧胶阵列的制作方法，它适用于制作红外焦平面探测器组件的封装结构试验模拟件。本发明的制作方法包括：光刻胶柱阵列图形，匀环氧胶，环氧胶固化，浮光刻胶，去除多余环氧胶和点液态环氧胶工艺步骤。本发明的环氧胶柱阵列制作工艺所需的温度低，工艺简单且成本低廉，能更好的满足了组件结构设计的需求。
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公开(公告)号：CN101373153A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810201542.X
申请日：2008-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明专利公开了一种测量制冷型红外焦平面探测器件各光敏元间的温度差的装置和方法。温度分布不均匀会导致材料的禁带宽度有差异从而影响器件的响应波长，不利于焦平面的均匀性指标的提高，因此不同位置的光敏元温度分布是非常值得关注的。但目前还没有哪个方法能简单方便的测量几何尺寸在微米量级的光敏元的温度。本专利通过静电计测量微小面积光敏元的电势差，可以方便的得到他们间的温度差。该方法简便易行，测量准确，值得推广使用。
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