公开(公告)号：CN1960006A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610118770.1

申请日：2006-11-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吕衍秋 ,  韩冰 ,  唐恒敬 ,  任仁 ,  吴小利 ,  乔辉 ,  张可锋 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种微台面结构的铟镓砷线列探测器，结构为：在半绝缘InP衬底上有n型InP层，在n型InP层上置有通过刻蚀形成的由InGaAs吸收层和P型InP层构成的线列微台面，在微台面上的p型电极引出区生长有一层p－InGaAs电极过渡层；微台面的所有露裸区有一层通过硫化处理生成的In2S3层，在该In2S3层上有依次通过热蒸发生成的In2S3钝化层和SiNx钝化层。本发明的优点是由于硫化处理生成的In2S3层和其表面生成的In2S3钝化层正好晶格匹配，可以减小接触表面态，有效的增加探测器的量子效率和减小暗电流，SiNx钝化层起到钝化加固作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。在电极引出区P型InP层上增加一层p－InGaAs电极过渡层，使电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极在不退火的情况下实现欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能。

公开(公告)号：CN100424895C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610118770.1

申请日：2006-11-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吕衍秋 ,  韩冰 ,  唐恒敬 ,  任仁 ,  吴小利 ,  乔辉 ,  张可锋 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种微台面结构的铟镓砷线列探测器，结构为：在半绝缘InP衬底上有n型InP层，在n型InP层上置有通过刻蚀形成的由InGaAs吸收层和P型InP层构成的线列微台面，在微台面上的p型电极引出区生长有一层p-InGaAs电极过渡层；微台面的所有露裸区有一层通过硫化处理生成的In2S3层，在该In2S3层上有依次通过热蒸发生成的In2S3钝化层和SiNx钝化层。本发明的优点是由于硫化处理生成的In2S3层和其表面生成的In2S3钝化层正好晶格匹配，可以减小接触表面态，有效的增加探测器的量子效率和减小暗电流，SiNx钝化层起到钝化加固作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。在电极引出区P型InP层上增加一层p-InGaAs电极过渡层，使电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极在不退火的情况下实现欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能。

公开(公告)号：CN1851939A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610025741.0

申请日：2006-04-14

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吕衍秋 ,  韩冰 ,  李萍 ,  庄春泉 ,  吴小利 ,  陈江峰 ,  龚海梅

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar+离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层侧面损伤。并通过硫化处理，去掉表面氧化层，覆盖新的ZnS/聚酰亚胺双层钝化膜。ZnS层有效地起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用，可以增加探测器的量子效率和减小暗电流，较厚聚酰亚胺层起到钝化加固和抗辐射作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。该工艺适用于均匀性要求高的大线列或面阵台面InGaAs焦平面探测器的研制。

公开(公告)号：CN100392871C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200610025741.0

申请日：2006-04-14

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吕衍秋 ,  韩冰 ,  李萍 ,  庄春泉 ,  吴小利 ,  陈江峰 ,  龚海梅

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar+离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层侧面损伤。并通过硫化处理，去掉表面氧化层，覆盖新的ZnS/聚酰亚胺双层钝化膜。ZnS层有效地起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用，可以增加探测器的量子效率和减小暗电流，较厚聚酰亚胺层起到钝化加固和抗辐射作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。该工艺适用于均匀性要求高的大线列或面阵台面InGaAs焦平面探测器的研制。

公开(公告)号：CN201004463Y

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200620048154.9

申请日：2006-11-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吴小利 ,  吕衍秋 ,  韩冰 ,  唐恒敬 ,  王妮丽 ,  储开慧 ,  龚海梅

IPC: H01L27/144

Abstract: 本实用新型涉及铟镓砷线列红外焦平面探测器，该器件包括半绝缘InP衬底，在半绝缘InP衬底上依次排列生长有N型InP层、InxGa1－xAs吸收层和P型InP层。其特征在于：在P型InP层上有线列光敏元，光敏元的侧面周围为H离子辐照形成的隔离区。本实用新型的优点是：相对于传统的平面结构探测器，光电流的收集结是外延生长的，缺陷较少；相对于台面器件，它基本上保留了InP层晶格的完整性，并且在器件的侧面引入隔离，降低了光生载流子在侧面的产生复合。离子辐照可以精确的定义光敏元的面积。离子注入还具有工艺简单、重复性好以及可控性高等特点。