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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101821842B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200880110374.1
申请日：2008-10-09
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 小胜俊亘
CPC classification number: H01L21/563 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/03416 , H01L2224/03418 , H01L2224/03422 , H01L2224/035 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05555 , H01L2224/05688 , H01L2224/131 , H01L2224/14135 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83009 , H01L2224/83102 , H01L2224/83385 , H01L2224/83487 , H01L2224/92125 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/05341 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，当在大型且扁平化的半导体装置的基板和半导体部件之间填充底部填充树脂时，能够均匀地渗透填充。半导体装置在基板(10)上安装有半导体部件(20)，并且在基板和半导体部件之间填充有底部填充树脂(40)，在基板上与底部填充树脂接触的区域的一部分具有亲液化处理部(30)，亲液化处理部被处理为与亲液化处理部的周围的区域部分相比至少对液状的底部填充树脂具有亲液性。亲液化处理部被处理为接触角小于亲液化处理部的周围的区域部分的接触角。亲液化处理部的周围的区域部分被覆有阻焊剂。在亲液化处理部，在阻焊剂上形成有通过紫外光曝光被实施了亲液化处理的氧化钛膜。
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公开(公告)号：CN102856219B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210220306.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: C23C24/04 , H01L23/49513 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L2224/03416 , H01L2224/03505 , H01L2224/04026 , H01L2224/05551 , H01L2224/27332 , H01L2224/27505 , H01L2224/29198 , H01L2224/3201 , H01L2224/32225 , H01L2224/32503 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83205 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2924/01327 , H01L2924/351 , Y10T29/49886 , Y10T428/249994 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及用于把金属表面附着到载体的方法以及包装模块。提供了一种用于把金属表面附着到载体的方法，所述方法包括：将多孔层沉积在金属表面和载体侧面的至少一项之上；以及通过将一种材料引入到所述多孔层的各个孔中而将金属表面和载体侧面的所述至少一项附着到所述多孔层，从而使得所述材料形成金属表面与载体之间的互连。
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公开(公告)号：CN107210237A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580074691.2
申请日：2015-12-08
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/683 , H01L23/482
CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/4825 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/482 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/28 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/31 , H01L24/33 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/03416 , H01L2224/03418 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05075 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13171 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/17106 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29171 , H01L2224/29565 , H01L2224/29582 , H01L2224/29655 , H01L2224/29666 , H01L2224/3003 , H01L2224/30505 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/81439 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/81825 , H01L2224/83439 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/83825 , H01L2224/8481 , H01L2224/8581 , H01L2224/8681 , H01L2224/94 , H01L2924/00015 , H01L2924/01327 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074 , H01L2924/01024 , H01L2924/20642 , H01L2224/48
Abstract: 提供了形成半导体封装件的方法。具体实施方式包括在管芯背面(16)形成具有多个子层(40‑46)的中间金属层(26)，每个子层包含金属，所述金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的组合。将锡层(48)沉积到所述中间金属层(26)上，然后与衬底(50)的银层(52)一起进行回流焊以形成熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物和/或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层(56)。形成半导体封装件的另一种方法包括在管芯(14)的顶侧(18)上的多个裸露焊盘(20)中的每个裸露焊盘上形成凸块(22)，每个裸露焊盘(20)由钝化层(24)所包围，每个凸块(22)包括如上所述的中间金属层(36)和耦接到所述中间金属层(36)的锡层(48)，锡层(48)然后被以衬底(50)的银层(52)回流焊以形成如上所述的金属间化合物层(64)。
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公开(公告)号：CN102856219A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210220306.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: C23C24/04 , H01L23/49513 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L2224/03416 , H01L2224/03505 , H01L2224/04026 , H01L2224/05551 , H01L2224/27332 , H01L2224/27505 , H01L2224/29198 , H01L2224/3201 , H01L2224/32225 , H01L2224/32503 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83205 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2924/01327 , H01L2924/351 , Y10T29/49886 , Y10T428/249994 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及用于把金属表面附着到载体的方法以及包装模块。提供了一种用于把金属表面附着到载体的方法，所述方法包括：将多孔层沉积在金属表面和载体侧面的至少一项之上；以及通过将一种材料引入到所述多孔层的各个孔中而将金属表面和载体侧面的所述至少一项附着到所述多孔层，从而使得所述材料形成金属表面与载体之间的互连。
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公开(公告)号：CN101821842A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110374.1
申请日：2008-10-09
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 小胜俊亘
CPC classification number: H01L21/563 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/03416 , H01L2224/03418 , H01L2224/03422 , H01L2224/035 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05555 , H01L2224/05688 , H01L2224/131 , H01L2224/14135 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83009 , H01L2224/83102 , H01L2224/83385 , H01L2224/83487 , H01L2224/92125 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/05341 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，当在大型且扁平化的半导体装置的基板和半导体部件之间填充底部填充树脂时，能够均匀地渗透填充。半导体装置在基板(10)上安装有半导体部件(20)，并且在基板和半导体部件之间填充有底部填充树脂(40)，在基板上与底部填充树脂接触的区域的一部分具有亲液化处理部(30)，亲液化处理部被处理为与亲液化处理部的周围的区域部分相比至少对液状的底部填充树脂具有亲液性。亲液化处理部被处理为接触角小于亲液化处理部的周围的区域部分的接触角。亲液化处理部的周围的区域部分被覆有阻焊剂。在亲液化处理部，在阻焊剂上形成有通过紫外光曝光被实施了亲液化处理的氧化钛膜。
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