Patent search cpc:"H01L2224/17106" Page 1

1.

发明公开
包括堆叠的半导体芯片的半导体器件有权

公开(公告)号：CN107017271A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611051121.4

申请日：2016-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东贤 , 权杜原

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L25/0657 , B60H1/00764 , B60H1/00828 , B60H1/321 , B60H2001/3248 , B60H2001/3258 , B60K11/06 , F01P7/048 , F01P11/20 , F01P2050/24 , H01L24/02 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L2224/02331 , H01L2224/16014 , H01L2224/16145 , H01L2224/17106 , H01L2224/32012 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73203 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体器件包括芯片层叠结构，该芯片层叠结构包括第一半导体芯片和堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基板、在第一基板的前表面上的第一电路层、和设置在第一电路层上并包括电连接到第一电路层的第一金属垫的第一连接层。第二半导体芯片包括第二基板、在第二基板的前表面上的第二电路层、和设置在第二电路层上并包括电连接到第二电路层的第二金属垫的第二连接层。第一连接层面对第二连接层。第一金属垫和第二金属垫彼此接触以将第一和第二半导体芯片彼此联接。

2.

发明授权
芯片堆叠结构有权

公开(公告)号：CN103904053B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310089368.5

申请日：2013-03-20

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 刘昌炽 , 余迅 , 陈鹏书 , 吴仕先

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L25/00 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/64 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13024 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/1703 , H01L2224/17106 , H01L2224/17515 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2224/49177 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/3011 , H01L2924/01079 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599

Abstract: 一种芯片堆叠结构，包括多个微凸块结构、多个第一衬底、至少一第一间隙层、多个第二衬底以及至少一第二间隙层。所述第一衬底利用所述微凸块结构的一部分彼此堆叠，并且各第一衬底包括至少一第一重布线层。第一间隙层位于所堆叠的第一衬底之间。所述第二衬底利用所述微凸块结构的另一部分与所述第一衬底至少其中之一堆叠，并且各第二衬底包括至少一第二重布线层。第二间隙层位于所堆叠的第一衬底与第二衬底之间。所述第一重布线层、所述第二重布线层以及所述微凸块结构形成多个阻抗元件，并且所述阻抗元件提供一特定的振荡频率。

3.

发明公开
芯片堆叠结构有权

公开(公告)号：CN103904053A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310089368.5

申请日：2013-03-20

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 刘昌炽 , 余迅 , 陈鹏书 , 吴仕先

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L25/00 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/64 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13024 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/1703 , H01L2224/17106 , H01L2224/17515 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2224/49177 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/3011 , H01L2924/01079 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599

Abstract: 一种芯片堆叠结构，包括多个微凸块结构、多个第一衬底、至少一第一间隙层、多个第二衬底以及至少一第二间隙层。所述第一衬底利用所述微凸块结构的一部分彼此堆叠，并且各第一衬底包括至少一第一重布线层。第一间隙层位于所堆叠的第一衬底之间。所述第二衬底利用所述微凸块结构的另一部分与所述第一衬底至少其中之一堆叠，并且各第二衬底包括至少一第二重布线层。第二间隙层位于所堆叠的第一衬底与第二衬底之间。所述第一重布线层、所述第二重布线层以及所述微凸块结构形成多个阻抗元件，并且所述阻抗元件提供一特定的振荡频率。

4.

发明公开
包括结合使用双镶嵌型方案制造的微细间距背侧金属再分布线的穿硅过孔的3D互连结构有权

公开(公告)号：CN103890940A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201180074420.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·J·李 , M·T·博尔 , A·W·杨 , C·M·佩尔托 , H·科塔里 , S·V·萨蒂拉朱 , H-S·马

IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L23/14

CPC classification number: H01L23/5384 , H01L21/6835 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/5286 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L2221/6835 , H01L2224/0235 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05664 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17106 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/186 , H01L2924/381 , H01L2924/01015 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明说明了一种3D互连结构和制造方法，其中，使用双镶嵌型工艺流程形成穿硅过孔(TSV)和金属再分布层(RDL)。可以在减薄的器件晶片背侧和RDL之间提供氮化硅或碳化硅钝化层，以在工艺流程过程中提供密封屏障和蚀刻停止层。

5.

发明公开
具有熔融温度大于260 摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层的半导体封装件及相应制造方法有权

公开(公告)号：CN107210237A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074691.2

申请日：2015-12-08

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： M·J·塞登 , F·J·卡尼

IPC: H01L21/60 , H01L21/683 , H01L23/482

CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/4825 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/482 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/28 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/31 , H01L24/33 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/03416 , H01L2224/03418 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05075 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13171 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/17106 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29171 , H01L2224/29565 , H01L2224/29582 , H01L2224/29655 , H01L2224/29666 , H01L2224/3003 , H01L2224/30505 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/81439 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/81825 , H01L2224/83439 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/83825 , H01L2224/8481 , H01L2224/8581 , H01L2224/8681 , H01L2224/94 , H01L2924/00015 , H01L2924/01327 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074 , H01L2924/01024 , H01L2924/20642 , H01L2224/48

Abstract: 提供了形成半导体封装件的方法。具体实施方式包括在管芯背面(16)形成具有多个子层(40‑46)的中间金属层(26)，每个子层包含金属，所述金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的组合。将锡层(48)沉积到所述中间金属层(26)上，然后与衬底(50)的银层(52)一起进行回流焊以形成熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物和/或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层(56)。形成半导体封装件的另一种方法包括在管芯(14)的顶侧(18)上的多个裸露焊盘(20)中的每个裸露焊盘上形成凸块(22)，每个裸露焊盘(20)由钝化层(24)所包围，每个凸块(22)包括如上所述的中间金属层(36)和耦接到所述中间金属层(36)的锡层(48)，锡层(48)然后被以衬底(50)的银层(52)回流焊以形成如上所述的金属间化合物层(64)。

6.

发明授权
芯片装置、芯片卡装置和用于制造芯片装置的方法有权

公开(公告)号：CN104134634B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201410185095.9

申请日：2014-05-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F·皮施纳 , J·赫格尔 , T·施博特尔

IPC: H01L23/14 , H01L23/50 , H01L25/16 , H01L21/58 , G06K19/077

CPC classification number: H05K1/028 , G06K19/07728 , G06K19/07749 , H01L23/4985 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/95 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13309 , H01L2224/13311 , H01L2224/13316 , H01L2224/13318 , H01L2224/13324 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13393 , H01L2224/16238 , H01L2224/17106 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81424 , H01L2224/81447 , H01L2924/12044 , H05K1/02 , H05K2201/2009 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/00 , H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及芯片装置、芯片卡装置和用于制造芯片装置的方法。依据不同的实施形式提供了一种芯片装置(100)，其具有：弹性的载体；用于增强该载体的一个区域的第一支持结构和第二支持结构，其中，第一支持结构被设置在载体的第一侧上并且第二支持结构与所述第一支持结构相反地被设置在载体的第二侧上；和设置在载体的所述第一侧上的芯片(104)，其中，所述芯片(104)借助于所述支持结构(106、108)并且借助于所述载体(102)来承载和支持，其中，所述第二支持结构(108)沿着与所述载体(102)的表面平行的方向(101)比芯片(104)更远地延伸和/或至少沿着与所述载体(102)的表面平行的方向(101)比所述第一支持结构(106)更远地延伸。

7.

发明公开
具有紧密布置的接触端子的半导体芯片有权

公开(公告)号：CN106373937A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610584881.5

申请日：2016-07-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 , J·赫格尔 , A·蒙丁 , P·奥西米茨

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/5386 , H01L22/32 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/0401 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/14132 , H01L2224/14133 , H01L2224/14142 , H01L2224/14143 , H01L2224/16057 , H01L2224/16105 , H01L2224/16106 , H01L2224/17051 , H01L2224/171 , H01L2224/17106 , H01L2225/06513 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L23/49811 , H01L23/49838

Abstract: 一种半导体芯片包括具有有源器件区的半导体本体、一个或更多个金属化层以及多个接触端子，所述一个或更多个金属化层与所述半导体本体绝缘开并且被配置成将接地、电源以及信号中的一个或更多个载送至所述有源器件区，所述多个接触端子形成在所述金属化层中的最外一层内或设置在所述金属化层中的最外一层上并且被配置成提供至所述半导体芯片的外部电路径。为所述半导体芯片限定相邻接触端子之间的最小距离。一组或更多组相邻接触端子具有电通用性或功能通用性以及小于所限定的最小距离的间距。单个共享焊点能够将所述半导体芯片的两个或更多个接触端子连接至诸如电路板、内插器或另一个半导体芯片的衬底的一个或更多个接触端子。

8.

发明公开
将半导体封装连接到板的方法失效

公开(公告)号：CN104952746A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510233832.2

申请日：2015-02-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·马尔贝拉

IPC: H01L21/58 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/17 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/10126 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13171 , H01L2224/14131 , H01L2224/14135 , H01L2224/14136 , H01L2224/14179 , H01L2224/14517 , H01L2224/16106 , H01L2224/1705 , H01L2224/17051 , H01L2224/17106 , H01L2224/81815 , H01L2924/01008 , H01L2924/01032 , H01L2924/014 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H05K1/111 , H05K3/3436 , H05K2201/10734 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , H01L24/10

Abstract: 本发明涉及将半导体封装连接到板的方法。将半导体封装连接到板的方法包括：提供具有多个接触区域的板，提供具有多个接触区域的半导体封装，从多个接触区域中选择特定接触区域，施加焊料球到该接触区域并且其中施加两个或更多个特定焊料球到该特定接触区域，并且以这样的方式将该半导体封装连接到板，使得两个或更多个特定焊料球彼此连接或与板的多个接触区域中的接触区域连接。

9.

发明授权
半导体装置及其制法有权

公开(公告)号：CN104282648B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310317211.3

申请日：2013-07-25

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 林长甫 , 姚进财 , 庄旻锦 , 黄富堂

IPC: H01L23/488 , H01L21/603

CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/4846 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/1601 , H01L2224/16057 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/17106 , H01L2224/73204 , H01L2224/81385 , H01L2224/81815 , H01L2924/01029 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及其制法，该半导体装置包括：基板，其具有基板本体与形成于该基板本体上的至少一金属垫，该金属垫具有第一表面与形成于该第一表面的至少一开孔；半导体组件，其具有至少一焊垫；导电组件，其形成于该金属垫与该焊垫之间及该金属垫的开孔内；以及胶体，其形成于该基板与该半导体组件之间，以包覆该导电组件。藉此，本发明能强化该导电组件与该金属垫间的接合力，以提升该半导体装置的良率。