公开(公告)号：CN108368603A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680074362.2

申请日：2016-11-28

Applicant: 沙特基础工业全球技术公司

Inventor： A·塔科尔 ,  H·姚 ,  H·赖 ,  C·刘 ,  Y·牛 ,  S·姜

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  C23C14/02 ,  C23C14/46 ,  G02B1/00 ,  H01J37/317 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/56 ,  C23C14/02 ,  C23C14/022 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/46 ,  G02B1/118 ,  G02B1/14 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429

Abstract: 用于在真空中施加多个等离子体涂覆层的装置和方法，以及由该方法产生的产品。该方法包括在真空室中安置基底和给基底施加多个等离子体涂覆层，而不中断真空。

公开(公告)号：CN105917021B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580004783.3

申请日：2015-02-20

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小井土由将

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C22C32/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F9/08

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/15 ,  B22F9/04 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/044 ,  B22F2009/0848 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种Sb‑Te基合金烧结体溅射靶，其为Sb含量为10～60原子％、Te含量为20～60原子％、剩余部分包含选自Ag、In、Ge中的一种以上元素和不可避免的杂质的溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为0.5μm以下。本发明的目的在于，实现Sb‑Te基合金烧结体溅射靶组织的改善，防止溅射时电弧放电的发生，并且使溅射膜的热稳定性提高。

公开(公告)号：CN104603323B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201380045405.0

申请日：2013-10-16

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  但马望

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，包含以In2O3(ZnO)n(n为2～20)表示的同系结构化合物及以Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物。

公开(公告)号：CN107419227A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710291819.1

申请日：2011-10-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤善胜 ,  大野哲宏 ,  大空弘树 ,  佐藤重光

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3435

Abstract: 本发明涉及一种成膜装置，包括支撑台和靶，该靶(C)包括：背板(104、214)，具有第一主面(104a、214a)和位于所述第一主面(104a、214a)相反侧的第二主面(104b、214b)；第一母材(105)，被配置在所述第一主面(104a、214a)；和第二母材(106)，被配置在所述第二主面(104b、214b)。

公开(公告)号：CN105026610B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201480011927.3

申请日：2014-01-31

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 后藤康之 ,  山本孝充 ,  西浦正纮 ,  栉引了辅

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/00 ,  B22F3/14 ,  C22C1/10 ,  C22C5/04 ,  C22C32/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/14 ,  C22C5/04 ,  C22C26/00 ,  C22C32/0084 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/653 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明提供一种不使用多个靶、可单独形成能作为磁记录介质使用的含有FePt系合金的薄膜、且溅射时产生的颗粒少的FePt‑C系溅射靶。一种含有Fe、Pt及C的FePt‑C系溅射靶，其具有下述结构：在含有33原子％以上且60原子％以下的Pt且余量由Fe及不可避免的杂质构成的FePt系合金相中，使含有不可避免的杂质的一次粒子的C彼此以不相互接触的方式分散。

公开(公告)号：CN105555997B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580001927.X

申请日：2015-03-04

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 小田国博

IPC: C23C14/34 ,  B21B3/00 ,  B22D21/06 ,  B22D27/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22D21/06 ,  C21D8/0221 ,  C21D8/0273 ,  C21D9/0062 ,  C22C27/02 ,  C22F1/18 ,  C23C8/24 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/14 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种钽溅射靶，其特征在于，钽溅射靶的溅射面的(100)面的取向率为30％～90％且(111)面的取向率为50％以下。一种钽溅射靶的制造方法，其特征在于，对经熔炼铸造的钽锭进行锻造和再结晶退火，然后进行轧制和热处理，从而形成钽溅射靶的(100)面的取向率为30％～90％且(111)面的取向率为50％以下的晶体组织。通过控制靶的晶体取向，具有以下效果：使钽靶的预烧累计电量减少，容易产生等离子体，使成膜速度稳定，并且使膜的电阻变动减小。

公开(公告)号：CN104411862B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201380035320.4

申请日：2013-08-21

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 佐藤敦

IPC: C23C14/34 ,  G11B5/851

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C22C33/0228 ,  C23C14/14 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/332

Abstract: 一种烧结体溅射靶，该烧结体溅射靶包含：组成包含以分子数比计35～55％的Pt、余量为Fe的合金，和分散在该合金中的非磁性物质，其特征在于，至少含有SiO2作为非磁性物质，SiO2为非晶质，并且从靶中含有的氧量扣除非磁性物质的构成成分的氧而得到的残留氧量为0.07重量％以下。本发明的课题在于提供抑制SiO2向方英石的结晶化、溅射时产生的粉粒量少、并且具有包含SiO2的非磁性物质分散在Fe‑Pt基合金中的组织的烧结体溅射靶。

公开(公告)号：CN104520466B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201380024344.X

申请日：2013-03-12

Applicant: H·C·施塔克公司

Inventor： G·A·罗扎克 ,  M·E·盖多斯 ,  C·迈卡卢克

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/15 ,  C22C1/04

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  B22F7/064 ,  B22F2003/153 ,  B22F2003/247 ,  B22F2301/20 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C24/04

Abstract: 本发明公开了一种溅射靶，包括至少两个固结块，每个块包括一合金，该合金包含第一金属(如难熔金属，如钼，其存在的量按重量计大于约30％)和至少一种另外的合金元素；以及至少两个固结块之间的一接合部分，处理该接合部分不存在因熔融结合一添加的松散粉末粘接剂产生的微结构。一种用于制造靶的方法，包括热等静压压制(温度在1080℃以下)，固结预制块，在压制之前，在固结粉末金属块之间放置至少一个连续的固体界面部分。该至少一个连续的固体界面部分可包括一冷喷射体，一块、一烧结预制件、一压实粉末体(如拼贴)或其任意组合，其中冷喷射体可以是将粉末冷喷射沉积到表面上的块。

公开(公告)号：CN104245623B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380019399.1

申请日：2013-04-10

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 武富雄一 ,  田尾幸树 ,  金丸守贺

IPC: C04B35/447 ,  C04B35/645 ,  C23C14/34 ,  H01M10/0562

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C01D15/00 ,  C04B35/447 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/332 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562

Abstract: 本发明提供一种不会发生靶的裂纹和异常放电，能够稳定地并以高的成膜速度成膜为作为二次电池等的固体电解质有用的含Li磷酸化合物薄膜，兼备高相对密度和微细的晶粒直径，并且抑制了气孔等缺陷(空隙)的含Li磷酸化合物烧结体。本发明的含Li磷酸化合物烧结体具有以下要旨：在烧结体内部的截面1mm2的区域中不存在50μm以上的缺陷，平均晶粒直径在15μm以下，相对密度在85％以上。

公开(公告)号：CN106574359A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580034459.6

申请日：2015-06-25

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 小泽诚 ,  安东勋雄

IPC: C23C14/34 ,  C04B41/80 ,  C04B35/01 ,  C04B37/02

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C04B35/457 ,  C04B37/021 ,  C04B37/023 ,  C04B41/80 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明提供电弧、结节的产生极少的溅射靶及其制造方法。加工由氧化物烧结体构成的材料而得到平板状或圆筒形靶材(3、13)。此时，使用规定粒度的磨石，并根据该磨石的粒度对所述材料中成为溅射面(5、15)的面，实施一次以上的粗磨，然后，实施一次以上的清磨，从而将溅射面(5、15)的表面粗糙度控制在以算数平均粗糙度Ra计为0.9μm以上、以最大高度Rz计为10.0μm以下、并且以十点平均粗糙度RzJIS计为7.0μm以下。介由接合层(4、14)将所得到的靶材(3、13)与支撑本体(2、12)接合而制成溅射靶(1、11)。