公开(公告)号：CN107107560A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580071980.7

申请日：2015-10-29

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： S·C·查帕拉拉

IPC: B32B17/00

CPC classification number: B32B17/06 ,  B24C1/04 ,  B32B3/02 ,  B32B2250/03 ,  B32B2307/558 ,  B32B2419/00 ,  B32B2457/12 ,  B32B2457/208 ,  B32B2509/00 ,  B32B2605/00 ,  C03B17/02 ,  C03B17/064 ,  C03B23/203 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C13/00 ,  C03C15/00 ,  C03C19/00 ,  C03C23/0025 ,  C03C23/005 ,  C03C2207/00 ,  C03C2213/00

Abstract: 一种玻璃层压件边缘的强化方法，所述玻璃层压件包含位于第一玻璃包层和第二玻璃包层之间的玻璃芯体层，所述方法可包括在玻璃层压件边缘中形成通道。可由第一玻璃包层和第二玻璃包层形成通道的侧壁。可将具有大于芯体热膨胀系数的填料热膨胀系数的玻璃填料材料置于通道内。可将玻璃填料材料和通道的侧壁熔合至第二玻璃包层，从而在通道上形成边缘封盖。玻璃层压件的边缘在玻璃填料材料被封闭在通道内之后处于压缩应力之下。

公开(公告)号：CN107077913A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056194.X

申请日：2015-10-07

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 次本伸一

IPC: H01B1/22 ,  B60S1/02 ,  C03C8/18 ,  C03C17/06 ,  H01B5/14 ,  H05K3/12 ,  B60R11/02

CPC classification number: B60J1/002 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0014 ,  B22F2001/0066 ,  B22F2999/00 ,  C03C4/14 ,  C03C8/16 ,  C03C8/18 ,  C03C14/004 ,  C03C17/04 ,  C03C17/06 ,  C03C2207/00 ,  C03C2214/08 ,  C03C2217/29 ,  C03C2217/452 ,  C03C2217/479 ,  C09D5/24 ,  C09D7/61 ,  C09D7/69 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  H05K2203/1126 ,  B22F9/082 ,  B22F9/24

Abstract: 导电性膏至少含有导电性粉末、玻璃料和有机载体。导电性粉末是通过雾化法制作出的雾化粉和通过湿式还原法制作出的湿式还原粉的混合粉，以5～40wt％的范围含有雾化粉。雾化粉的平均粒径为5.2～9μm，混入所述导电性粉末中的氯成分的含量为42ppm以下。将该导电性膏在玻璃基板(1)上涂敷成线状并进行烧成，得到导电膜(2)。由此实现可以抑制玻璃基板产生变色或导电膜的基底层产生皲裂等构造缺陷的导电性膏、及使用了导电性膏的防雾玻璃等的玻璃物品。

公开(公告)号：CN105555726A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480048004.5

申请日：2014-08-22

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： M·A·德拉克 ,  R·M·莫伦纳

IPC: C03C3/21 ,  C03C8/08 ,  C03C8/24 ,  C03B23/20

CPC classification number: C03C3/21 ,  B32B17/06 ,  B32B2315/08 ,  B32B2457/206 ,  C03C3/16 ,  C03C8/08 ,  C03C8/14 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L51/5246

Abstract: 描述了适合用于玻璃料中的不含锑的玻璃，用来产生气密性密封玻璃封装件。气密密封的玻璃封装件(例如OLED显示器装置)的制造包括提供第一玻璃基板和第二玻璃基板并将不含锑的玻璃料沉积到第一玻璃基板上。OLED可沉积到第二玻璃基板上。然后，利用辐射源(例如，激光、红外线)来加热玻璃料，使其熔化并形成连接第一玻璃基板和第二玻璃基板的气密密封，同时保护OLED。不含锑的玻璃具有优异的水耐久性、优良的流动性、低玻璃化转变温度且低热膨胀系数。

公开(公告)号：CN105143128A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480010327.5

申请日：2014-02-24

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： M·J·M·孔德 ,  P·勒于得

IPC: C03C3/16 ,  C03C3/17 ,  C03C3/21 ,  C03C8/08 ,  C03C8/14 ,  C03C17/00 ,  C03C21/00

CPC classification number: C03C21/002 ,  C03C3/04 ,  C03C3/16 ,  C03C3/17 ,  C03C3/21 ,  C03C4/18 ,  C03C8/08 ,  C03C8/14 ,  C03C17/007 ,  C03C17/04 ,  C03C2204/00 ,  C03C2207/00 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/72

Abstract: 用于形成强化玻璃制品的方法的实施方式，该方法包括：提供可交换的玻璃基材，该可交换玻璃基材的热膨胀系数(CTE)约为60x10-7/℃至约为110x10-7/℃；将至少一层装饰性多孔无机层沉积到玻璃基材的至少一部分表面上，其中所述装饰性多孔无机层包括≥450℃的玻璃转化温度(Tg)，≤650℃的玻璃软化温度(Ts)，其中玻璃基材与装饰性多孔无机层之间的CTE值差异在10x10-7/℃之内；以及在高于装饰性多孔无机层的Ts的温度使得玻璃基材和沉积的装饰性多孔无机层固化，以及在低于装饰性多孔无机层的Tg的温度下，通过离子交换对固化的玻璃基材和其上的装饰性多孔无机层进行化学强化。

公开(公告)号：CN104025267A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280050751.3

申请日：2012-05-08

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  伊东浩二 ,  伊藤一彦 ,  六鎗広野

IPC: H01L21/316 ,  C03C3/064 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L23/564 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/73 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明中的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模而形成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。

公开(公告)号：CN103890935A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201380003558.9

申请日：2013-04-16

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  伊东浩二 ,  伊藤一彦 ,  六鎗広野

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/316 ,  H01L23/31 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L23/564 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/73 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100，玻璃层是在形成了覆盖外围锥形区域的由实质上不含有铅的预定的半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过对由该半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样也具有将台面型半导体元件用树脂铸模而成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。

公开(公告)号：CN1207441C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN02109842.5

申请日：2002-06-14

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 王福会 ,  谢冬柏 ,  熊玉明

IPC: C23D3/00 ,  C03C8/00

CPC classification number: C03C8/04 ,  C03C2207/00

Abstract: 一种高温合金抗高温氧化及热腐蚀的方法，其特征在于：首先在高温合金基体的表面制造一厚度为1～100μm的MCrAlY涂层，M选自Ni、Co或NiCo；再在MCrAlY涂层的表面烧制一厚度为20～100μm的搪瓷涂层，搪瓷涂层成分的重量百分比为：SiO255-63，Al2O33.4-9.7，ZrO23-6，ZnO 8-12，B2O33-10，CaO 3-6，Na2O 3-4，稀土RuO、CeO、Y2O31-2，MgO、NiO、CoO余量。本发明搪瓷涂层不但可以抑制氧、氯等离子进入MCrAlY涂层，另一方面由于搪瓷低的导热系数，还可提高基体合金的使用温度，从而具有热障涂层的作用。另外，本发明过程中粘结层表面可不经处理就进行下一步的搪瓷涂敷，烧成在空气中进行，具有制造过程简单，成本低廉的特点。

公开(公告)号：CN1252107A

公开(公告)日：2000-05-03

申请号：CN98804041.7

申请日：1998-04-09

Applicant: 新材料公共服务公司研究所

Inventor： 马丁·门宁 ,  格哈特·乔施克 ,  赫尔穆特·施米特

IPC: C23C18/12 ,  C03C1/00

CPC classification number: C03C1/008 ,  C03C2207/00 ,  C03C2207/04 ,  C03C2207/08 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/127 ,  C23C18/1295 ,  Y02T50/67

Abstract: 本发明公开了一种向金属表面提供玻璃质层的方法,具有美观;抗刮痕和抗腐蚀。该方法的特征在于向金属表面上施加一种涂覆组合物,将所形成的涂层热密实化而形成玻璃质层,所述组合物是在有a)毫微级SiO2颗粒和/或b)至少一种选自碱金属和碱土金属的氧化物和氢氧化物的存在下;通过包括水解和缩聚一种或多种通式(Ⅰ)的硅烷的方法而获得的,RnSiX4－n(Ⅰ),其中基团X彼此相同或不同,是可水解的基团或羟基,基团R彼此相同或不同,是氢、至多有12个碳原子的烷基、链烯基和炔基和具有6—10个碳原子的芳基、芳烷基和烷芳基,n是0、1或2,条件是至少使用一种n=1或2的硅烷,或者由此衍生的低聚物。

公开(公告)号：CN105143128B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201480010327.5

申请日：2014-02-24

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： M·J·M·孔德 ,  P·勒于得

IPC: C03C3/16 ,  C03C3/17 ,  C03C3/21 ,  C03C8/08 ,  C03C8/14 ,  C03C17/00 ,  C03C21/00

CPC classification number: C03C21/002 ,  C03C3/04 ,  C03C3/16 ,  C03C3/17 ,  C03C3/21 ,  C03C4/18 ,  C03C8/08 ,  C03C8/14 ,  C03C17/007 ,  C03C17/04 ,  C03C2204/00 ,  C03C2207/00 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/72

Abstract: 用于形成强化玻璃制品的方法的实施方式，该方法包括：提供可交换的玻璃基材，该可交换玻璃基材的热膨胀系数(CTE)约为60x10‑7/℃至约为110x10‑7/℃；将至少一层装饰性多孔无机层沉积到玻璃基材的至少一部分表面上，其中所述装饰性多孔无机层包括≥450℃的玻璃转化温度(Tg)，≤650℃的玻璃软化温度(Ts)，其中玻璃基材与装饰性多孔无机层之间的CTE值差异在10x10‑7/℃之内；以及在高于装饰性多孔无机层的Ts的温度使得玻璃基材和沉积的装饰性多孔无机层固化，以及在低于装饰性多孔无机层的Tg的温度下，通过离子交换对固化的玻璃基材和其上的装饰性多孔无机层进行化学强化。

公开(公告)号：CN108602711A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680074891.2

申请日：2016-12-20

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： M·A·德拉米勒 ,  J·C·莫罗 ,  C·M·史密斯 ,  张丽英

IPC: C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  B32B17/10

CPC classification number: C03C8/02 ,  B32B17/06 ,  B32B2457/20 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C2207/00 ,  H05K5/0017 ,  H05K5/03

Abstract: 根据一个实施方式，玻璃可包含约50摩尔％至约70摩尔％的SiO2；约12摩尔％至约35摩尔％的B2O3；约4摩尔％至约12摩尔％的Al2O3；大于0摩尔％且小于或等于1摩尔％的碱金属氧化物，其中Li2O大于或等于约20％的碱金属氧化物；约0.3摩尔％至约0.7摩尔％的Na2O或Li2O；和大于0摩尔％且小于12摩尔％的总的二价氧化物，其中所述总的二价氧化物包括CaO、MgO和SrO中至少一种，其中Li2O(摩尔％)与(Li2O(摩尔％)+(Na2O(摩尔％))的比率大于或等于0.4且小于或等于0.6。玻璃可以具有相对低的高温电阻率和相对高的低温电阻率。