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公开(公告)号：CN1917158B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200610115024.7
申请日：2006-08-17
Applicant: 通用电气公司
Inventor： R·A·费利昂 , R·A·博普雷 , A·埃拉塞尔 , R·J·沃纳洛夫斯基 , C·S·科尔曼
CPC classification number: H01L23/4822 , H01L23/4821 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/072 , H01L2224/2402 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/92135 , H01L2224/92144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/19042 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体芯片封装结构，包括电介质膜(10)，该电介质膜(10)具有与至少一个功率半导体芯片(21)的一个或多个接触垫(22)和(23)对准的一个或多个通孔(11)。邻近电介质膜(10)的图案化的导电层(40)具有一个或多个导电柱(41)，其延伸通过与接触垫(22)和(23)对准的该一个或多个通孔(11)，以将导电层(40)电耦接至接触垫(22)和(23)。在特定实施例中，可在电介质膜(10)和该至少一个功率半导体芯片(21)的有源表面(24)之间形成一个或多个空气隙(91)。还公开了用于制备该半导体芯片封装结构的方法。
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公开(公告)号：CN100507181C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510097721.X
申请日：2005-08-24
Applicant: 通用电气公司
IPC: E04D13/18 , H01L31/048
CPC classification number: H02S20/23 , E04D3/38 , F24S25/632 , H01L31/048 , Y02B10/12 , Y02B10/20 , Y02E10/47 , Y02E10/50
Abstract: 一种用于住宅或轻型商业建筑的建筑结构构件，包括：一个PV层板和一个塑料框架(60、160、260)，它至少包围该PV层板设置。该塑料框(60、160、260)包含一个第一电连接件(50、150、250)，用来与PV层板连通并接受相邻PV层板的电连接。该第一电连接件(50、150、250)的形状做成便于与相邻PV层板作电气和机械连接，同时框架(60、160、260)有一个便于固定到建筑结构上的装置。
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公开(公告)号：CN102110680A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010538460.1
申请日：2010-10-29
Applicant: 通用电气公司
Inventor： R·A·博普雷 , E·C·德尔加多 , L·D·斯特瓦诺维克
Abstract: 本发明涉及一种具有降低电感的功率模块组件。其中，提供一种装置，其包括第一导电基板(102)与第二导电基板(104)。具有第一厚度的第一功率半导体元件(118a)可电连结至第一导电基板。具有第二厚度的第二功率半导体元件(118b)可电连结至第二导电基板。正极端子(142)也可电连结至第一导电基板，而负极端子(144)可电连结至第二功率半导体元件，且输出端子(146)可电连结至第一功率半导体元件与第二导电基板。这些端子、功率半导体元件和导电基板由此可合并到共同的电路环路中，且可一起被配置成使得电路环路在至少一个方向上的宽度由第一厚度或第二厚度中的至少一个限定。
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公开(公告)号：CN101840914A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010146956.4
申请日：2010-03-12
Applicant: 通用电气公司
Inventor： R·A·博普雷 , A·V·高达 , L·D·J·斯特瓦诺维克 , S·A·索洛维奇
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/051 , H01L23/42 , H01L23/473 , H01L24/24 , H01L25/072 , H01L2224/24137 , H01L2224/92144 , H01L2924/01029 , H01L2924/14
Abstract: 本发明涉及具有功率覆盖层的双侧冷却的功率模块。一种功率模块(20)包括一个或多个半导体功率器件(22)，该一个或多个半导体功率器件(22)具有结合到该器件上的功率覆盖层(POL)(24)。第一散热器组件(30)在与POL(24)相对的一侧上结合到半导体功率器件(22)上。第二散热器组件(28)与POL(24)的结合到半导体功率器件(22)上的一侧相对而结合到该POL(24)上。半导体功率器件(22)、POL(24)、第一通道散热器组件(30)和第二通道散热器组件(28)一起形成双侧冷却的功率覆盖模块。第二通道散热器组件(28)单独地经由柔顺热界面材料(26)结合到POL(24)上而无需平面化、铜焊或冶金结合。
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公开(公告)号：CN100524737C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510127249.X
申请日：2005-11-24
Applicant: 通用电气公司
Inventor： L·D·斯特瓦诺维克 , E·C·德尔加多 , M·J·舒滕 , R·A·博普雷 , M·A·德鲁伊
IPC: H01L25/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/3735 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48472 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/2076 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/0306 , H05K1/147 , H05K3/0061 , H05K3/361 , H05K2201/044 , H05K2201/0715 , H05K2201/10189 , H05K2201/10287 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及功率模块、相脚和三相变换器。一种功率模块(10)，包括衬底(12)，该衬底(12)包括上层(16)、电绝缘体(26)和热耦合层(28)。上层包括导电图案(17)并且被构成为接收功率器件(14)。电绝缘体设置在上层和热耦合层之间。热耦合层被构成为与散热片热耦合。该功率模块还包括至少一个薄层互连(18)，该薄层互连包括第一和第二导电层(20、24)以及设置在第一和第二导电层之间的绝缘层(22)。薄层互连的该第一导电层电连接到衬底的上层。电连接(42)将功率器件的顶面(19)连接到薄层互连的第二导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102110680B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201010538460.1
申请日：2010-10-29
Applicant: 通用电气公司
Inventor： R·A·博普雷 , E·C·德尔加多 , L·D·斯特瓦诺维克
Abstract: 本发明涉及一种具有降低电感的功率模块组件。其中，提供一种装置，其包括第一导电基板(102)与第二导电基板(104)。具有第一厚度的第一功率半导体元件(118a)可电连结至第一导电基板。具有第二厚度的第二功率半导体元件(118b)可电连结至第二导电基板。正极端子(142)也可电连结至第一导电基板，而负极端子(144)可电连结至第二功率半导体元件，且输出端子(146)可电连结至第一功率半导体元件与第二导电基板。这些端子、功率半导体元件和导电基板由此可合并到共同的电路环路中，且可一起被配置成使得电路环路在至少一个方向上的宽度由第一厚度或第二厚度中的至少一个限定。
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公开(公告)号：CN102869236A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210323662.3
申请日：2012-06-25
Applicant: 通用电气公司
IPC: H05K7/20 , H01L23/473 , H01L23/467
CPC classification number: H01L23/473 , H01L2924/0002 , Y10T29/49817 , H01L2924/00
Abstract: 公开用于功率模块的冷却装置及其相关方法，该功率模块具有经由基片布置在基板上的电子模块。冷却装置包括具有至少一个冷却区段的散热板。冷却区段包括用于冷却介质的进入的入口室、多个入口歧管通道、多个出口歧管通道和出口室。多个入口歧管通道正交地联接于入口室，用于从入口室接收冷却介质。多个出口歧管通道布置成平行于入口歧管通道。出口室正交地联接于多个出口歧管通道，用于冷却介质的排出。多个毫通道在基板中布置成正交于入口歧管通道和出口歧管通道。多个毫通道将冷却介质从多个入口歧管通道引导到多个出口歧管通道。
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公开(公告)号：CN1956192A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610160598.6
申请日：2006-10-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/057 , H01L23/24 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/24 , H01L25/072 , H01L25/162 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/3011 , H05K1/141 , H05K1/145 , H05K1/147 , H01L2924/00
Abstract: 一种功率电路组件(10)包括基底(12)，该基底(12)包括衬底(14)，在衬底之上的多个互连电路层(16)，每个互连电路层(16)包括形成有衬底电互连线(20)图案的衬底绝缘层(18)，和从衬底的顶部表面延伸到至少一个衬底电互连线(20)的通路接线(22，24)；以及包括功率半导体器件(28)的功率半导体模块(26)，每个功率半导体器件(28)包括在各自功率半导体器件的顶部表面上的器件焊盘(30)和在各自功率半导体器件的底部表面上的背面触点(31)，功率半导体器件与薄膜结构(32)耦合，该薄膜结构包括薄膜绝缘层(34)和在薄膜绝缘层之上并选择性地延伸到器件焊盘的薄膜电互连线(36)，其中背面触点(31)与选择的衬底电互连线或者通路接线耦合。
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公开(公告)号：CN102543946B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201110427046.8
申请日：2011-12-08
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/522 , H01L29/423
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L21/56 , H01L23/3164 , H01L23/3192 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L29/0657 , H01L2224/24 , H01L2224/24011 , H01L2224/2402 , H01L2224/24227 , H01L2224/76155 , H01L2224/82 , H01L2224/82102 , H01L2224/82105 , H01L2224/92144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10155 , H01L2924/12036 , H01L2924/1204 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
Abstract: 本发明名称为“半导体器件封装及其制造方法”。一种半导体器件封装，包括具有其上形成的连接垫片的半导体器件，其中连接垫片在半导体器件的第一表面和第二表面上形成，半导体器件边缘在第一表面和第二表面之间延伸。在半导体器件上施加第一钝化层，并且半导体器件的第一表面附有基极介电层压材料，其厚度大于第一钝化层的厚度。在第一钝化层和半导体器件上方施加厚度大于第一钝化层厚度的第二钝化层，以覆盖半导体器件的第二表面和边缘，并且金属互连耦合到连接垫片，其中金属互连贯穿穿过第一钝化层和第二钝化层及基极介电层压片形成的通孔，以形成与连接垫片的连接。
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公开(公告)号：CN101840914B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201010146956.4
申请日：2010-03-12
Applicant: 通用电气公司
Inventor： R·A·博普雷 , A·V·高达 , L·D·J·斯特瓦诺维克 , S·A·索洛维奇
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/051 , H01L23/42 , H01L23/473 , H01L24/24 , H01L25/072 , H01L2224/24137 , H01L2224/92144 , H01L2924/01029 , H01L2924/14
Abstract: 本发明涉及具有功率覆盖层的双侧冷却的功率模块。一种功率模块(20)包括一个或多个半导体功率器件(22)，该一个或多个半导体功率器件(22)具有结合到该器件上的功率覆盖层(POL)(24)。第一散热器组件(30)在与POL(24)相对的一侧上结合到半导体功率器件(22)上。第二散热器组件(28)与POL(24)的结合到半导体功率器件(22)上的一侧相对而结合到该POL(24)上。半导体功率器件(22)、POL(24)、第一通道散热器组件(30)和第二通道散热器组件(28)一起形成双侧冷却的功率覆盖模块。第二通道散热器组件(28)单独地经由柔顺热界面材料(26)结合到POL(24)上而无需平面化、铜焊或冶金结合。
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