公开(公告)号：CN118550106A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410508692.4

申请日：2024-04-26

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  李浩杰 ,  胡祥建 ,  后林军 ,  欧阳杰 ,  郭少凯 ,  王迪 ,  陈梦林 ,  刘勇 ,  冯露露

IPC: G02F1/015 ,  G02F1/025 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了中红外双异质结PIN电光调制器，包括最底部的N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底上部设置有SiO2埋氧层，SiO2埋氧层上部设置有本征P型锗硅调制区，本征P型锗硅调制区一侧由内向外设置有p+过渡区和P++阱区、另一侧由内向外设置有n+过渡区和N++阱区，P++阱区的上部设置有第一电极，N++阱的上部设置有第二电极，P++阱区、p+过渡区、N++阱区、n+过渡区及本征P型锗硅调制区的上部覆盖有Si3N4覆盖层，本发明还公开了上述电光调制器的制造工艺，本发明的电光调制器及其制造工艺，通过增大锗硅材料与硅材料的异质结接触面积，提高了调制器中调制区的载流子浓度，有效降低调制器的调制功耗。

公开(公告)号：CN114911081A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210734456.5

申请日：2022-06-27

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  王迪 ,  胡翔建 ,  刘勇 ,  陈梦林 ,  冯露露

IPC: G02F1/01 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了顶注入电光调制结构，顶注入电光调制结构，包括SiO2埋氧层，SiO2埋氧层，SiO2埋氧层上覆盖两个N++阱区、Si平板层，两个N++阱区分居Si平板层两侧，Si平板层上中部覆盖波导区，波导区上部覆盖P++阱区，每个N++阱区上均连接阴极电极，N++阱区上覆盖阴极电极以外的区域、阴极电极、P++阱区、Si平板层上覆盖波导区以外的区域上均覆盖SiO2覆盖层；通过在脊形顶部P型重掺杂，平板层N型重掺杂，从而形成顶注入新型p‑i‑n电光调制结构，提高载流子注入，增强等离子色散效应。

公开(公告)号：CN114911081B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202210734456.5

申请日：2022-06-27

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  王迪 ,  胡翔建 ,  刘勇 ,  陈梦林 ,  冯露露

IPC: G02F1/01 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了顶注入电光调制结构，顶注入电光调制结构，包括SiO2埋氧层，SiO2埋氧层，SiO2埋氧层上覆盖两个N++阱区、Si平板层，两个N++阱区分居Si平板层两侧，Si平板层上中部覆盖波导区，波导区上部覆盖P++阱区，每个N++阱区上均连接阴极电极，N++阱区上覆盖阴极电极以外的区域、阴极电极、P++阱区、Si平板层上覆盖波导区以外的区域上均覆盖SiO2覆盖层；通过在脊形顶部P型重掺杂，平板层N型重掺杂，从而形成顶注入新型p‑i‑n电光调制结构，提高载流子注入，增强等离子色散效应。

公开(公告)号：CN118226585A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410506389.0

申请日：2024-04-25

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  刘勇 ,  王迪 ,  陈梦林 ,  胡祥建 ,  后林军 ,  李浩杰 ,  欧阳杰 ,  郭少凯 ,  冯露露

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/124 ,  G02B6/122 ,  G02B6/14

Abstract: 本发明公开了具有双层光栅结构的光栅耦合器，包括自下而上层叠设置的衬底层、底部反射层、氧化物埋氧层、第一光栅器件层、第二光栅器件层、氧化物上包层；第一光栅器件层的前端为单模波导区，单模波导区的后端紧密连接的是模场转换区，模场转换区的后端紧密连接的是亚波长光栅区，所述亚波长光栅区的后端紧密连接的是均匀光栅区，本发明的具有双层光栅结构的光栅耦合器，提高了耦合的方向性与模式匹配度，降低了损耗，同时具有较大的工作带宽，可实现光信号在硅光子子芯片与光纤之间的高效耦合。