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公开(公告)号:CN118550106A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202410508692.4
申请日:2024-04-26
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了中红外双异质结PIN电光调制器,包括最底部的N‑Sub型衬底,N‑Sub型衬底上部设置有SiO2埋氧层,SiO2埋氧层上部设置有本征P型锗硅调制区,本征P型锗硅调制区一侧由内向外设置有p+过渡区和P++阱区、另一侧由内向外设置有n+过渡区和N++阱区,P++阱区的上部设置有第一电极,N++阱的上部设置有第二电极,P++阱区、p+过渡区、N++阱区、n+过渡区及本征P型锗硅调制区的上部覆盖有Si3N4覆盖层,本发明还公开了上述电光调制器的制造工艺,本发明的电光调制器及其制造工艺,通过增大锗硅材料与硅材料的异质结接触面积,提高了调制器中调制区的载流子浓度,有效降低调制器的调制功耗。
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公开(公告)号:CN118226585A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410506389.0
申请日:2024-04-25
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了具有双层光栅结构的光栅耦合器,包括自下而上层叠设置的衬底层、底部反射层、氧化物埋氧层、第一光栅器件层、第二光栅器件层、氧化物上包层;第一光栅器件层的前端为单模波导区,单模波导区的后端紧密连接的是模场转换区,模场转换区的后端紧密连接的是亚波长光栅区,所述亚波长光栅区的后端紧密连接的是均匀光栅区,本发明的具有双层光栅结构的光栅耦合器,提高了耦合的方向性与模式匹配度,降低了损耗,同时具有较大的工作带宽,可实现光信号在硅光子子芯片与光纤之间的高效耦合。
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