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公开(公告)号：CN120072800A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411533447.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , M·默罕默迪加勒尼 , J·斯泰西 , E·扎马尼 , A·坎达代 , J·韦霍恩斯基 , D·万德拉 , M·帕赫 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , J·埃克顿 , B·C·马林 , O·厄兹坎 , V·贝朱加姆 , D·帕塔达尔 , A·哈西卜 , N·黑恩 , M·沃森 , S·塔马拉贾赫 , J·M·甘巴 , 李语沁 , A·特里帕蒂 , M·M·拉赫曼 , H·哈里里 , S·卡维亚尼 , L·迈尔斯 , D·杜鲁伊契奇 , E·塔瓦科利 , W·布雷克斯 , D·塞纳维拉特纳 , B·安古阿 , P·A·库拉加马 , 冯红霞 , K·J·阿林顿 , 聂白 , J·韦敏 , R·卡拉左尼 , 陈昊博 , 徐定颖 , 林子寅 , Y·白 , 郭晓莹 , 穆斌 , T·S·希顿 , R·N·马内帕利
IPC: H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 本文公开了具有玻璃芯中的贯穿玻璃过孔应力减轻的微电子组件。公开了用于减轻(例如，缓解或减少)玻璃芯材料与沉积在贯穿玻璃过孔(TGV)中的导电材料之间的应力的各种技术以及相关装置和方法。在一个方面中，微电子组件包括玻璃芯，玻璃芯具有第一面和与第一面相对的第二面，以及在第一面与第二面之间延伸穿过玻璃芯的TGV，其中，TGV包括导电材料和位于导电材料与玻璃芯之间的缓冲层，其中，缓冲层的CTE小于导电材料的CTE。
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公开(公告)号：CN119742282A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411181145.6
申请日：2024-08-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , J·琼斯 , 谢之昕 , 聂白 , S·陈 , J·斯泰西 , M·帕赫 , B·C·马林 , J·D·埃克顿 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , 李语沁 , E·卡特根 , J·M·甘巴 , J·韦霍恩斯基 , 莫建勇 , M·沃森 , S·戈卡莱 , M·卡亚 , K·斯里尼瓦桑 , 陈昊博 , 林子寅 , K·阿林顿 , J·韦敏 , R·卡拉左尼 , 冯红霞 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , D·D·徐 , 田中宏树 , A·达尼 , P·斯里拉马吉里 , 李羿 , I·艾尔哈提卜 , A·加勒利克 , R·麦克雷 , H·阿贾米 , 王叶侃 , A·杰门尼兹 , 韩程圭 , 宋涵彧 , Y·Y·李 , M·默罕默迪加勒尼 , W·布雷克斯 , 赖舒琦 , 孔㛃莹 , T·希顿 , D·塞纳维拉特纳 , Y·白 , 穆斌 , M·古普塔 , 郭晓莹
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本文公开的实施例包括具有玻璃芯封装衬底的装置。在实施例中，一种装置包括具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面的衬底。侧壁在第一表面与第二表面之间，并且衬底包括玻璃层。在实施例中，在第一表面与第二表面之间设置穿过衬底的过孔，并且过孔是导电的。在实施例中，与衬底的侧壁接触的层围绕衬底的周边。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117747585A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311687248.5
申请日：2021-11-18
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/492 , H01L23/528 , H01L25/04
Abstract: 本文公开了包括桥接器的微电子结构以及相关组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括衬底和桥接器。
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公开(公告)号：CN112864161A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011012817.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/115
Abstract: 公开了一种包括集成字线(WL)触点结构的存储器阵列。存储器阵列包括多个WL，多个WL至少包括第一WL和第二WL。集成WL触点结构包括分别用于第一WL和第二WL的第一WL触点和第二WL触点。第二WL触点延伸穿过第一WL触点。例如，第二WL触点嵌套在第一WL触点内。中间隔离材料将第二WL触点与第一WL触点隔离。在示例中，第二WL触点延伸穿过第一WL中的孔以到达第二WL。隔离材料将第二WL触点与第一WL中的孔的侧壁隔离。
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公开(公告)号：CN114725051A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111366785.0
申请日：2021-11-18
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/492 , H01L23/528 , H01L25/04
Abstract: 本文公开了包括桥接器的微电子结构以及相关组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括衬底和桥接器。
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公开(公告)号：CN119725234A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411176264.2
申请日：2024-08-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R·布尔 , M·帕赫 , J·皮普尔斯 , 孔㛃莹 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , B·F·安古奥 , Y·科恩布鲁特 , D·罗萨莱斯-约曼斯 , J·斯泰西 , A·A·坎达戴 , Y·Y·李 , T·恩杜库姆 , S·科特尼 , 段刚 , J·琼斯 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , D·塞纳维拉特纳 , M·安德森
Abstract: 本公开内容涉及用于玻璃芯衬底的应力减轻架构。本文公开的实施例包括具有玻璃芯的封装衬底。在实施例中，一种装置包括具有第一宽度的芯，并且芯包括玻璃层。在实施例中，穿过芯的厚度设置过孔，其中，过孔是导电的。在实施例中，在芯上方设置第一层，其中，第一层包括小于第一宽度的第二宽度。在实施例中，在芯下方设置第二层，其中，第二层包括小于第一宽度的第三宽度。
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公开(公告)号：CN1918871A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004841.9
申请日：2005-03-04
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H04L25/03343 , H04L27/01 , H04L2025/03477 , H04L2025/03764 , H04L2025/03802
Abstract: 一种对于在发送机和接收机之间数据链路上的通信信号校准均衡器的方法包括测量所述链路中的损耗并且基于所述被测损耗自动确定多抽头均衡设置。可以使用存储了分别与多个链路损耗值之一相对应的多个抽头系数设置的查找表来确定所述多抽头均衡设置。一旦在所述表中找出了与被测链路损耗相匹配的所述均衡设置，所述均衡器就能被优化设置以减少或排除码间串扰以及其他类型的干扰。
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