-
公开(公告)号：CN112103253A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010220557.1
申请日：2020-03-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/24 , H01L23/498
Abstract: 可以形成一种包括衬底的集成电路封装，所述衬底包括模制材料层和信号路由层，其中，模制材料层包括嵌入在模制材料内的至少一个电桥和至少一个泡沫结构。在一个实施例中，衬底可以包括模制材料层的模制材料，所示模制材料填充泡沫结构内的至少部分泡孔。在另一实施例中，可以将至少两个集成电路器件附接至所述衬底，使得电桥在这至少两个集成电路器件之间提供器件到器件互连。在另一实施例中，可以将该集成电路封装电附接至电子板。
-
公开(公告)号：CN115910962A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211011160.7
申请日：2022-08-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60 , C25D5/02 , C25D7/12
Abstract: 描述了一种设备。该设备包括具有用以与半导体芯片耦接的焊盘和焊料球的I/O结构，其中，所述焊盘和焊料球中的在将该半导体芯片耦接至所述I/O结构期间接近该半导体芯片的第一子集的焊盘和/或焊料球比所述焊盘和焊料球中的在将该半导体芯片耦接至所述I/O结构期间从该半导体芯片移开的第二子集的焊盘和/或焊料球薄。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115841998A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210998101.7
申请日：2022-08-19
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/603
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括第一板状元件，所述第一板状元件具有带有第一连接焊盘的第一基本上平面的连接表面；以及第二板状元件，所述第二板状元件具有带有对应于所述第一连接焊盘的第二连接焊盘的第二基本上平面的连接表面。该装置还可以包括电和物理耦接所述第一和第二板状元件并且布置于所述第一和第二连接焊盘之间的连接件。该连接件可以包括布置于第一连接焊盘上并且朝向第二连接焊盘延伸的变形细长元件，以及与第二连接焊盘和细长元件接触的焊料。
-
公开(公告)号：CN114725051A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111366785.0
申请日：2021-11-18
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/492 , H01L23/528 , H01L25/04
Abstract: 本文公开了包括桥接器的微电子结构以及相关组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括衬底和桥接器。
-
公开(公告)号：CN119742282A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411181145.6
申请日：2024-08-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , J·琼斯 , 谢之昕 , 聂白 , S·陈 , J·斯泰西 , M·帕赫 , B·C·马林 , J·D·埃克顿 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , 李语沁 , E·卡特根 , J·M·甘巴 , J·韦霍恩斯基 , 莫建勇 , M·沃森 , S·戈卡莱 , M·卡亚 , K·斯里尼瓦桑 , 陈昊博 , 林子寅 , K·阿林顿 , J·韦敏 , R·卡拉左尼 , 冯红霞 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , D·D·徐 , 田中宏树 , A·达尼 , P·斯里拉马吉里 , 李羿 , I·艾尔哈提卜 , A·加勒利克 , R·麦克雷 , H·阿贾米 , 王叶侃 , A·杰门尼兹 , 韩程圭 , 宋涵彧 , Y·Y·李 , M·默罕默迪加勒尼 , W·布雷克斯 , 赖舒琦 , 孔㛃莹 , T·希顿 , D·塞纳维拉特纳 , Y·白 , 穆斌 , M·古普塔 , 郭晓莹
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本文公开的实施例包括具有玻璃芯封装衬底的装置。在实施例中，一种装置包括具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面的衬底。侧壁在第一表面与第二表面之间，并且衬底包括玻璃层。在实施例中，在第一表面与第二表面之间设置穿过衬底的过孔，并且过孔是导电的。在实施例中，与衬底的侧壁接触的层围绕衬底的周边。
-
公开(公告)号：CN117747585A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311687248.5
申请日：2021-11-18
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/492 , H01L23/528 , H01L25/04
Abstract: 本文公开了包括桥接器的微电子结构以及相关组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括衬底和桥接器。
-
公开(公告)号：CN113451255A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202011543791.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本文公开的实施例包括具有开放空腔桥接器的多管芯封装。在示例中，电子装置包括具有交替的金属化层和电介质层的封装衬底。封装衬底包括第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘。封装衬底还包括位于第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘之间的开放空腔，开放空腔具有底部和侧面。电子装置还包括位于开放空腔中的桥接管芯，桥接管芯包括第一多个桥接焊盘、第二多个桥接焊盘和导电迹线。间隙横向地位于桥接管芯与开放空腔的侧面之间，间隙围绕桥接管芯。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.017 seconds)
