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公开(公告)号：CN116072617A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211174771.3
申请日：2022-09-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , 陈昊博 , O·卡尔哈德 , M·桑卡拉苏布拉玛尼安 , 徐定颖 , 段刚 , 聂白 , X·郭 , K·达尔马韦卡尔塔 , 冯红霞 , S·皮耶塔姆巴拉姆 , J·D·埃克顿
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本文公开了一种非重熔焊接头，该非重熔焊接头可以消除下游回流工艺中的管芯或基板移动。在一个示例中，在两个基板之间的一个或多个焊接头可以形成为全IMC(金属间化合物)焊接头。在一个示例中，全IMC焊接头包括金属间化合物的连续层(例如，从顶部焊盘到底部焊盘)。在一个示例中，可以通过在将被接合在一起的一个或两个基板的焊盘中的一些焊盘上分配非重熔焊膏来形成全IMC接头。
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公开(公告)号：CN119742292A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411206609.4
申请日：2024-08-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 康征 , T·恩杜库姆 , Y·金冈 , J·埃克顿 , 段刚 , J·卡普兰 , Y·Y·李 , 刘铭禄 , B·C·马林 , 聂白 , S·皮耶塔姆巴拉姆 , S·塞沙德里 , 单博涵 , D·图兰 , V·B·扎德
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 一种电子封装，包括：衬底芯；一个或多个电介质材料层，在所述衬底芯之上，并具有下电介质材料层以及包括最上金属化层的多个金属化层；集成电路(IC)管芯，嵌入所述电介质材料层内且在所述最上金属化层下方；以及至少一个导电特征，在所述IC管芯下方并耦合到所述IC管芯。所述导电特征的面朝下的表面位于所述下电介质材料层上，并在所述导电特征与所述下电介质材料层之间的结处限定水平平面。所述下电介质材料层具有面向上的表面，所述面向上的表面面向与所述导电特征相邻的所述IC管芯的方向，所述面向上的表面从所述水平平面垂直偏移。
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公开(公告)号：CN118645488A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311806060.8
申请日：2023-12-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 公开了用以提高集成电路封装的玻璃基板中的过孔的可靠性的方法、系统、设备和制品。一种示例性集成电路(IC)封装基板包括：玻璃基板；在该玻璃基板的第一表面和第二表面之间延伸的过孔；以及在过孔中提供的导电材料，该导电材料包括镓和银。
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公开(公告)号：CN119786448A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411921085.7
申请日：2022-11-21
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·埃克顿 , J·M·甘巴 , B·C·马林 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , 孙小轩 , O·G·卡尔哈德 , X·F·布龙 , Y·李 , S·纳德 , 单博涵 , 陈昊博 , 段刚
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L23/485
Abstract: 本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可以包括：位于第一层中的具有第一表面和相反的第二表面的第一管芯；位于第一层上的重新分布层(RDL)，其中，该RDL包括导电过孔，所述导电过孔具有朝向该RDL的第一表面的较大宽度和朝向该RDL的相反的第二表面的较小宽度；其中，该RDL的第一表面通过具有第一焊料的第一焊料互连电耦合至第一管芯的第二表面；以及位于该RDL上的第二层中的第二管芯，其中，第二管芯通过具有第二焊料的第二焊料互连电耦合至该RDL，其中，第二焊料不同于第一焊料。
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公开(公告)号：CN119725338A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411176255.3
申请日：2024-08-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/538 , H01L23/485 , H10B80/00
Abstract: 本文中公开了采用顶部管芯最后方法的包括贯穿硅过孔桥接的高性能微电子组件、相关的装置和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括：第一层，其包括位于第一绝缘材料中的第一管芯；第二层，其位于第一层上，第二层包括位于第二绝缘材料中的第二管芯和第三管芯，第二管芯具有第一厚度，第三管芯具有不同于第一厚度的第二厚度，并且第二管芯和第三管芯具有表面，其中，第二管芯和第三管芯的表面具有介于3000平方毫米(mm2)与9000mm2之间的总共表面积；以及重分布层(RDL)，其位于第一层与第二层之间，RDL包括穿过RDL的导电通路，其中，第一管芯通过穿过RDL的导电通路并且通过互连电耦合到第二管芯和第三管芯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119695023A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411165356.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·埃克顿 , B·C·马林 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , 单博涵 , 段刚
IPC: H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 本文公开了微电子组件以及相关的装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可以包括：具有表面的玻璃层，该玻璃层包括导电贯穿玻璃过孔(TGV)；位于玻璃层的表面处的电介质层，该电介质层包括导电通路；以及位于玻璃层的表面与电介质层之间的互连，其中，个体的互连将个体的TGV电耦合到个体的导电通路。在一些实施例中，互连包括焊料或液态金属墨水。在一些实施例中，互连包括金属‑金属接合以及电介质‑电介质接合。
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公开(公告)号：CN120072800A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411533447.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , M·默罕默迪加勒尼 , J·斯泰西 , E·扎马尼 , A·坎达代 , J·韦霍恩斯基 , D·万德拉 , M·帕赫 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , J·埃克顿 , B·C·马林 , O·厄兹坎 , V·贝朱加姆 , D·帕塔达尔 , A·哈西卜 , N·黑恩 , M·沃森 , S·塔马拉贾赫 , J·M·甘巴 , 李语沁 , A·特里帕蒂 , M·M·拉赫曼 , H·哈里里 , S·卡维亚尼 , L·迈尔斯 , D·杜鲁伊契奇 , E·塔瓦科利 , W·布雷克斯 , D·塞纳维拉特纳 , B·安古阿 , P·A·库拉加马 , 冯红霞 , K·J·阿林顿 , 聂白 , J·韦敏 , R·卡拉左尼 , 陈昊博 , 徐定颖 , 林子寅 , Y·白 , 郭晓莹 , 穆斌 , T·S·希顿 , R·N·马内帕利
IPC: H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 本文公开了具有玻璃芯中的贯穿玻璃过孔应力减轻的微电子组件。公开了用于减轻(例如，缓解或减少)玻璃芯材料与沉积在贯穿玻璃过孔(TGV)中的导电材料之间的应力的各种技术以及相关装置和方法。在一个方面中，微电子组件包括玻璃芯，玻璃芯具有第一面和与第一面相对的第二面，以及在第一面与第二面之间延伸穿过玻璃芯的TGV，其中，TGV包括导电材料和位于导电材料与玻璃芯之间的缓冲层，其中，缓冲层的CTE小于导电材料的CTE。
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公开(公告)号：CN119742282A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411181145.6
申请日：2024-08-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , J·琼斯 , 谢之昕 , 聂白 , S·陈 , J·斯泰西 , M·帕赫 , B·C·马林 , J·D·埃克顿 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , 李语沁 , E·卡特根 , J·M·甘巴 , J·韦霍恩斯基 , 莫建勇 , M·沃森 , S·戈卡莱 , M·卡亚 , K·斯里尼瓦桑 , 陈昊博 , 林子寅 , K·阿林顿 , J·韦敏 , R·卡拉左尼 , 冯红霞 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , D·D·徐 , 田中宏树 , A·达尼 , P·斯里拉马吉里 , 李羿 , I·艾尔哈提卜 , A·加勒利克 , R·麦克雷 , H·阿贾米 , 王叶侃 , A·杰门尼兹 , 韩程圭 , 宋涵彧 , Y·Y·李 , M·默罕默迪加勒尼 , W·布雷克斯 , 赖舒琦 , 孔㛃莹 , T·希顿 , D·塞纳维拉特纳 , Y·白 , 穆斌 , M·古普塔 , 郭晓莹
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本文公开的实施例包括具有玻璃芯封装衬底的装置。在实施例中，一种装置包括具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面的衬底。侧壁在第一表面与第二表面之间，并且衬底包括玻璃层。在实施例中，在第一表面与第二表面之间设置穿过衬底的过孔，并且过孔是导电的。在实施例中，与衬底的侧壁接触的层围绕衬底的周边。
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公开(公告)号：CN119725339A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411176260.4
申请日：2024-08-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/538 , H01L23/485 , H10B80/00
Abstract: 本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可以包括：具有位于第一绝缘材料中的第一管芯的第一层；位于第一层上的第二层，第二层包括具有第一厚度的第二管芯和具有不同于第一厚度的第二厚度的第三管芯，第二管芯和第三管芯位于第二绝缘材料中，其中，第二管芯和第三管芯具有第一表面和相反的第二表面，并且其中，第二管芯和第三管芯的第一表面具有处于3000平方毫米(mm2)和9000mm2之间的合并表面积；以及位于第一层和第二层之间的重新分布层(RDL)，该RDL包括导电通路，其中，第一管芯通过导电通路并且通过互连而电耦合至第二管芯和第三管芯。
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公开(公告)号：CN116314090A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211545075.9
申请日：2022-11-21
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·埃克顿 , J·M·甘巴 , B·C·马林 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , 孙小轩 , O·G·卡尔哈德 , X·F·布龙 , Y·李 , S·纳德 , 单博涵 , 陈昊博 , 段刚
IPC: H01L23/482 , H01L23/532 , H01L23/538
Abstract: 本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可以包括：位于第一层中的具有第一表面和相反的第二表面的第一管芯；位于第一层上的重新分布层(RDL)，其中，该RDL包括导电过孔，所述导电过孔具有朝向该RDL的第一表面的较大宽度和朝向该RDL的相反的第二表面的较小宽度；其中，该RDL的第一表面通过具有第一焊料的第一焊料互连电耦合至第一管芯的第二表面；以及位于该RDL上的第二层中的第二管芯，其中，第二管芯通过具有第二焊料的第二焊料互连电耦合至该RDL，其中，第二焊料不同于第一焊料。
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