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公开(公告)号:CN119725296A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411189064.0
申请日:2024-08-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及包括具有基于电介质的衬垫材料的玻璃衬底的微电子结构。微电子集成电路封装结构包括一种装置,该装置具有包括玻璃层的衬底,该衬底包括延伸穿过玻璃层的一个或多个穿玻璃过孔(TGV)。个体TGV包括TGV侧壁、在TGV侧壁上的有机电介质层和在有机电介质层上的导电层。
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公开(公告)号:CN119742282A
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202411181145.6
申请日:2024-08-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor: 单博涵 , J·琼斯 , 谢之昕 , 聂白 , S·陈 , J·斯泰西 , M·帕赫 , B·C·马林 , J·D·埃克顿 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , 李语沁 , E·卡特根 , J·M·甘巴 , J·韦霍恩斯基 , 莫建勇 , M·沃森 , S·戈卡莱 , M·卡亚 , K·斯里尼瓦桑 , 陈昊博 , 林子寅 , K·阿林顿 , J·韦敏 , R·卡拉左尼 , 冯红霞 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , D·D·徐 , 田中宏树 , A·达尼 , P·斯里拉马吉里 , 李羿 , I·艾尔哈提卜 , A·加勒利克 , R·麦克雷 , H·阿贾米 , 王叶侃 , A·杰门尼兹 , 韩程圭 , 宋涵彧 , Y·Y·李 , M·默罕默迪加勒尼 , W·布雷克斯 , 赖舒琦 , 孔㛃莹 , T·希顿 , D·塞纳维拉特纳 , Y·白 , 穆斌 , M·古普塔 , 郭晓莹
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本文公开的实施例包括具有玻璃芯封装衬底的装置。在实施例中,一种装置包括具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面的衬底。侧壁在第一表面与第二表面之间,并且衬底包括玻璃层。在实施例中,在第一表面与第二表面之间设置穿过衬底的过孔,并且过孔是导电的。在实施例中,与衬底的侧壁接触的层围绕衬底的周边。
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