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发明公开
三维（3D）存储器阵列中的集成字线触点结构审中-实审转让

公开(公告)号：CN112864161A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011012817.2

申请日：2020-09-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： N·K·查克拉瓦蒂 , K·N·伊森 , A·特里帕蒂 , E·L·梅斯 , J·S·卡治安 , R·宾根内尔

IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/115

Abstract: 公开了一种包括集成字线(WL)触点结构的存储器阵列。存储器阵列包括多个WL，多个WL至少包括第一WL和第二WL。集成WL触点结构包括分别用于第一WL和第二WL的第一WL触点和第二WL触点。第二WL触点延伸穿过第一WL触点。例如，第二WL触点嵌套在第一WL触点内。中间隔离材料将第二WL触点与第一WL触点隔离。在示例中，第二WL触点延伸穿过第一WL中的孔以到达第二WL。隔离材料将第二WL触点与第一WL中的孔的侧壁隔离。

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