公开(公告)号：CN120072800A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411533447.5

申请日：2024-10-30

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 单博涵 ,  M·默罕默迪加勒尼 ,  J·斯泰西 ,  E·扎马尼 ,  A·坎达代 ,  J·韦霍恩斯基 ,  D·万德拉 ,  M·帕赫 ,  S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 ,  段刚 ,  J·埃克顿 ,  B·C·马林 ,  O·厄兹坎 ,  V·贝朱加姆 ,  D·帕塔达尔 ,  A·哈西卜 ,  N·黑恩 ,  M·沃森 ,  S·塔马拉贾赫 ,  J·M·甘巴 ,  李语沁 ,  A·特里帕蒂 ,  M·M·拉赫曼 ,  H·哈里里 ,  S·卡维亚尼 ,  L·迈尔斯 ,  D·杜鲁伊契奇 ,  E·塔瓦科利 ,  W·布雷克斯 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  B·安古阿 ,  P·A·库拉加马 ,  冯红霞 ,  K·J·阿林顿 ,  聂白 ,  J·韦敏 ,  R·卡拉左尼 ,  陈昊博 ,  徐定颖 ,  林子寅 ,  Y·白 ,  郭晓莹 ,  穆斌 ,  T·S·希顿 ,  R·N·马内帕利

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498

Abstract: 本文公开了具有玻璃芯中的贯穿玻璃过孔应力减轻的微电子组件。公开了用于减轻(例如，缓解或减少)玻璃芯材料与沉积在贯穿玻璃过孔(TGV)中的导电材料之间的应力的各种技术以及相关装置和方法。在一个方面中，微电子组件包括玻璃芯，玻璃芯具有第一面和与第一面相对的第二面，以及在第一面与第二面之间延伸穿过玻璃芯的TGV，其中，TGV包括导电材料和位于导电材料与玻璃芯之间的缓冲层，其中，缓冲层的CTE小于导电材料的CTE。

公开(公告)号：CN119742282A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411181145.6

申请日：2024-08-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 单博涵 ,  J·琼斯 ,  谢之昕 ,  聂白 ,  S·陈 ,  J·斯泰西 ,  M·帕赫 ,  B·C·马林 ,  J·D·埃克顿 ,  N·S·黑恩 ,  A·特里帕蒂 ,  李语沁 ,  E·卡特根 ,  J·M·甘巴 ,  J·韦霍恩斯基 ,  莫建勇 ,  M·沃森 ,  S·戈卡莱 ,  M·卡亚 ,  K·斯里尼瓦桑 ,  陈昊博 ,  林子寅 ,  K·阿林顿 ,  J·韦敏 ,  R·卡拉左尼 ,  冯红霞 ,  S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 ,  段刚 ,  D·D·徐 ,  田中宏树 ,  A·达尼 ,  P·斯里拉马吉里 ,  李羿 ,  I·艾尔哈提卜 ,  A·加勒利克 ,  R·麦克雷 ,  H·阿贾米 ,  王叶侃 ,  A·杰门尼兹 ,  韩程圭 ,  宋涵彧 ,  Y·Y·李 ,  M·默罕默迪加勒尼 ,  W·布雷克斯 ,  赖舒琦 ,  孔㛃莹 ,  T·希顿 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  Y·白 ,  穆斌 ,  M·古普塔 ,  郭晓莹

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本文公开的实施例包括具有玻璃芯封装衬底的装置。在实施例中，一种装置包括具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面的衬底。侧壁在第一表面与第二表面之间，并且衬底包括玻璃层。在实施例中，在第一表面与第二表面之间设置穿过衬底的过孔，并且过孔是导电的。在实施例中，与衬底的侧壁接触的层围绕衬底的周边。