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公开(公告)号：CN119836691A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380063046.5
申请日：2023-08-03
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/66 , H01L23/15 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 微电子组件的实施例包括：玻璃的中介层结构；包括有机电介质材料的衬底，所述衬底耦合到所述中介层结构的第一侧；以及多个IC管芯。所述多个IC管芯中的第一IC管芯通过第一互连件耦合到所述衬底，所述多个IC管芯中的第二IC管芯嵌入所述衬底的有机电介质材料中，所述第二IC管芯通过第二互连件耦合到所述第一IC管芯，所述第二IC管芯通过第三互连件耦合到所述中介层结构的第一侧，并且所述多个IC管芯中的第三IC管芯通过第四互连件耦合到所述中介层结构的第二侧，所述中介层结构的第二侧与所述中介层结构的第一侧相对。
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公开(公告)号：CN118259513A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311268959.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: G02F1/35
Abstract: 公开了一种集成电路(IC)模块，其包括光子IC、电学IC和可开关波导器件，该可开关波导器件使用来自电学IC的信号控制通往和来自光子IC的光学信号。通过将金属化结构耦合在非线性光学材料的两侧上并使其位于与该非线性光学材料相同的层级或位于该非线性光学材料下方而形成可开关波导器件。所述金属化结构可以位于光子IC或电学IC中。所述非线性光学材料可以位于电学IC上方，处于光子IC中或玻璃基板上。光子IC和电学IC可以受到混合接合或者可以被焊接到一起。所述IC模块可以耦合到系统基板。
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公开(公告)号：CN117174686A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310871841.9
申请日：2019-03-22
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S.V.皮塔姆巴拉姆 , 段刚 , D.库尔卡尼
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/14 , H01L25/16 , H01L25/18
Abstract: 本发明的主题是“用于管芯平铺的技术”。提供了用于精细节点异构芯片封装的技术。在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧。
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公开(公告)号：CN116072617A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211174771.3
申请日：2022-09-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , 陈昊博 , O·卡尔哈德 , M·桑卡拉苏布拉玛尼安 , 徐定颖 , 段刚 , 聂白 , X·郭 , K·达尔马韦卡尔塔 , 冯红霞 , S·皮耶塔姆巴拉姆 , J·D·埃克顿
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本文公开了一种非重熔焊接头，该非重熔焊接头可以消除下游回流工艺中的管芯或基板移动。在一个示例中，在两个基板之间的一个或多个焊接头可以形成为全IMC(金属间化合物)焊接头。在一个示例中，全IMC焊接头包括金属间化合物的连续层(例如，从顶部焊盘到底部焊盘)。在一个示例中，可以通过在将被接合在一起的一个或两个基板的焊盘中的一些焊盘上分配非重熔焊膏来形成全IMC接头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115863300A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211012308.9
申请日：2022-08-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本文中公开的实施例包括电子封装以及形成此类电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括多个堆叠层。在实施例中，第一迹线在第一层上，其中，第一迹线具有第一厚度。在实施例中，第二迹线在第一层上，其中，第二迹线具有大于第一厚度的第二厚度。在实施例中，第二层在第一迹线和第二迹线之上。
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公开(公告)号：CN115842006A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211002771.5
申请日：2022-08-19
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/544 , H01L23/498 , H01L21/68
Abstract: 一种用于电子设备的衬底可以包括一层或多层。所述衬底可以包括限定在衬底中的空腔。所述空腔可以适于容纳半导体管芯。所述衬底可以包括定位成靠近空腔的基准标记。所述基准标记可以暴露在所述衬底的第一表面上。所述基准标记可以包括第一区域，其包括电介质填充材料。所述基准标记可以包括第二区域，其包括导电填充材料。在示例中，第二区域围绕第一区域。在另一示例中，电介质填充材料具有与导电填充材料相比更低的反射率，以提供第一区域和第二区域之间的对比度。
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公开(公告)号：CN115831907A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210986612.7
申请日：2022-08-17
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本文描述的实施例可以涉及与封装中的衬底之内的玻璃芯相关的设备、工艺和技术，所述玻璃芯具有填充有导电材料的一个或多个玻璃通孔(TGV)，以将玻璃芯的第一侧与玻璃层的与第一侧相对的第二侧电耦接。也是导电材料的焊盘与TGV的导电材料的第一和/或第二端电和物理耦接。电介质材料层在制造、处置和/或操作期间位于焊盘的至少一部分和玻璃芯的位于焊盘和玻璃芯之间的表面之间，以有助于减小玻璃芯中的应力裂缝。可以描述和/或主张其他实施例。
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公开(公告)号：CN112310032A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010230082.4
申请日：2020-03-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L21/98
Abstract: 本发明涉及使能管芯平铺应用的具有原位制造的扇出层的玻璃芯贴片。本文公开的实施例包括电子封装和形成这样的电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括：玻璃基板，其具有在玻璃基板的第一表面上的多个第一焊盘、在玻璃基板的与第一表面相对的第二表面上的多个第二焊盘、多个穿玻璃通孔（TGV），其中每个TGV将第一焊盘电联接到第二焊盘，其中多个第一焊盘具有第一节距，并且其中多个第二焊盘具有大于第一节距的第二节距；在玻璃基板之上的桥接基板；电联接到第一焊盘和桥接基板的第一管芯；以及电联接到第一焊盘和桥接基板的第二管芯，其中桥接基板将第一管芯电联接到第二管芯。
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公开(公告)号：CN111557045A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201980006856.0
申请日：2019-03-22
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S.V.皮塔姆巴拉姆 , 段刚 , D.库尔卡尼
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/14 , H01L25/065
Abstract: 提供了用于精细节点异构芯片封装的技术。在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧。
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