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公开(公告)号：CN119742282A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411181145.6
申请日：2024-08-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , J·琼斯 , 谢之昕 , 聂白 , S·陈 , J·斯泰西 , M·帕赫 , B·C·马林 , J·D·埃克顿 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , 李语沁 , E·卡特根 , J·M·甘巴 , J·韦霍恩斯基 , 莫建勇 , M·沃森 , S·戈卡莱 , M·卡亚 , K·斯里尼瓦桑 , 陈昊博 , 林子寅 , K·阿林顿 , J·韦敏 , R·卡拉左尼 , 冯红霞 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , D·D·徐 , 田中宏树 , A·达尼 , P·斯里拉马吉里 , 李羿 , I·艾尔哈提卜 , A·加勒利克 , R·麦克雷 , H·阿贾米 , 王叶侃 , A·杰门尼兹 , 韩程圭 , 宋涵彧 , Y·Y·李 , M·默罕默迪加勒尼 , W·布雷克斯 , 赖舒琦 , 孔㛃莹 , T·希顿 , D·塞纳维拉特纳 , Y·白 , 穆斌 , M·古普塔 , 郭晓莹
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本文公开的实施例包括具有玻璃芯封装衬底的装置。在实施例中，一种装置包括具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面的衬底。侧壁在第一表面与第二表面之间，并且衬底包括玻璃层。在实施例中，在第一表面与第二表面之间设置穿过衬底的过孔，并且过孔是导电的。在实施例中，与衬底的侧壁接触的层围绕衬底的周边。
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公开(公告)号：CN117637692A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310956946.4
申请日：2023-07-31
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·D·埃克顿 , 田中宏树 , B·C·马林 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , S·纳德
IPC: H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 公开了玻璃芯上的无空腔互连部件。一种用于复杂的多管芯封装的具有无空腔局部互连部件架构的玻璃芯，该设备具有直接附接到平面玻璃层并且被模制物围绕的局部互连部件。一个或多个重分布层可以位于设备上方和下方。
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公开(公告)号：CN114637083A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111261811.3
申请日：2021-10-28
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 田中宏树 , B·C·马林 , K·达尔马卡尔塔 , R·A·梅 , S·R·S·博雅帕提 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆
Abstract: 本文公开的实施例包括具有法拉第旋转器以提高效率的光子封装。在实施例中，光子封装包括封装衬底和在封装衬底上方的计算管芯。在实施例中，光子封装还包括在封装衬底上方的光子管芯。在实施例中，计算管芯通过封装衬底中的桥接器通信地耦合到光子管芯。在实施例中，光子封装还包括在封装衬底上方的集成散热器(IHS)，以及穿过IHS并且光耦合到光子管芯的法拉第旋转器。
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公开(公告)号：CN109867258A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811306777.5
申请日：2018-11-05
Applicant: 英特尔公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 提供了一种封装衬底，其包括：处于第一表面上的一个或多个第一导电接触部；处于与第一表面相对的第二表面上的一个或多个第二导电接触部；处于所述第一和第二表面之间的电介质层；以及处于所述电介质层上的与所述第一导电接触部之一导电耦合的嵌入式感测或致动元件，其中，所述嵌入式感测或致动元件包括处于所述电介质层中的固定金属层以及通过所述电介质层上的一个或多个金属支撑部悬置于所述固定金属层之上的柔性金属层。还公开并主张了其它实施例。
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公开(公告)号：CN115831907A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210986612.7
申请日：2022-08-17
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本文描述的实施例可以涉及与封装中的衬底之内的玻璃芯相关的设备、工艺和技术，所述玻璃芯具有填充有导电材料的一个或多个玻璃通孔(TGV)，以将玻璃芯的第一侧与玻璃层的与第一侧相对的第二侧电耦接。也是导电材料的焊盘与TGV的导电材料的第一和/或第二端电和物理耦接。电介质材料层在制造、处置和/或操作期间位于焊盘的至少一部分和玻璃芯的位于焊盘和玻璃芯之间的表面之间，以有助于减小玻璃芯中的应力裂缝。可以描述和/或主张其他实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114624813A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111325750.2
申请日：2021-11-10
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本文公开的实施例包括具有双偏振模块的光子系统。在实施例中，光子贴片包括：贴片衬底和在贴片衬底的第一表面之上的光子管芯。在实施例中，多路复用器在贴片衬底的第二表面之上。在实施例中，设置从光子管芯到多路复用器的第一光路以用于传播第一光信号，并且设置从光子管芯到多路复用器的第二光路以用于传播第二光信号。在实施例中，沿着第二光路设置法拉第旋转器，以在第二光信号到达多路复用器之前将第二光信号从第一模式转换为第二模式。
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公开(公告)号：CN116344517A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211464943.0
申请日：2022-11-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本文中的实施例涉及针对衬底内的电耦合沟槽电容器的系统、装置或过程。所述衬底可以是诸如玻璃中介层之类的中介层的一部分，其中所述沟槽电容器在附接到所述衬底的表面的一个或多个管芯附近递送高电容密度。所述沟槽电容器的部分可以是所述衬底的表面处的薄膜电容器。所述沟槽从所述衬底的第一侧朝向所述衬底的与第一侧相对的第二侧延伸。可以描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN115497923A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210528291.6
申请日：2022-05-16
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本文所述的实施例可以涉及与在玻璃基底的界面处产生电容器有关的装置、工艺和技术。这些电容器可以是使用激光辅助蚀刻技术使用基底的玻璃芯内的沟槽形成的三维(3D)电容器。可以在玻璃上，包括在玻璃中蚀刻的沟槽或其他特征的表面上，形成第一电极，然后沉积电介质材料或电容材料。然后可以在电介质材料的顶部上形成第二电极。可以描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN114660724A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111376377.3
申请日：2021-11-19
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本文描述的实施例可以涉及与双偏振小芯片相关的装置、过程和技术，所述双偏振小芯片可以由光接收器使用以将在单条光纤上传播并承载两个或更多个光信号的多偏振光划分到两条或更多条光纤中，每条光纤承载特定光信号。双偏振小芯片还可以由光发射器使用以组合要被传送到单条光纤上的多个光信号，其中多个光信号中的每一个由单条光纤上的波长的不同偏振表示。还可以描述和/或要求保护了其他实施例。
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