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公开(公告)号：CN119742282A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411181145.6
申请日：2024-08-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , J·琼斯 , 谢之昕 , 聂白 , S·陈 , J·斯泰西 , M·帕赫 , B·C·马林 , J·D·埃克顿 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , 李语沁 , E·卡特根 , J·M·甘巴 , J·韦霍恩斯基 , 莫建勇 , M·沃森 , S·戈卡莱 , M·卡亚 , K·斯里尼瓦桑 , 陈昊博 , 林子寅 , K·阿林顿 , J·韦敏 , R·卡拉左尼 , 冯红霞 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , D·D·徐 , 田中宏树 , A·达尼 , P·斯里拉马吉里 , 李羿 , I·艾尔哈提卜 , A·加勒利克 , R·麦克雷 , H·阿贾米 , 王叶侃 , A·杰门尼兹 , 韩程圭 , 宋涵彧 , Y·Y·李 , M·默罕默迪加勒尼 , W·布雷克斯 , 赖舒琦 , 孔㛃莹 , T·希顿 , D·塞纳维拉特纳 , Y·白 , 穆斌 , M·古普塔 , 郭晓莹
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本文公开的实施例包括具有玻璃芯封装衬底的装置。在实施例中，一种装置包括具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面的衬底。侧壁在第一表面与第二表面之间，并且衬底包括玻璃层。在实施例中，在第一表面与第二表面之间设置穿过衬底的过孔，并且过孔是导电的。在实施例中，与衬底的侧壁接触的层围绕衬底的周边。
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公开(公告)号：CN119725234A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411176264.2
申请日：2024-08-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R·布尔 , M·帕赫 , J·皮普尔斯 , 孔㛃莹 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , B·F·安古奥 , Y·科恩布鲁特 , D·罗萨莱斯-约曼斯 , J·斯泰西 , A·A·坎达戴 , Y·Y·李 , T·恩杜库姆 , S·科特尼 , 段刚 , J·琼斯 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , D·塞纳维拉特纳 , M·安德森
Abstract: 本公开内容涉及用于玻璃芯衬底的应力减轻架构。本文公开的实施例包括具有玻璃芯的封装衬底。在实施例中，一种装置包括具有第一宽度的芯，并且芯包括玻璃层。在实施例中，穿过芯的厚度设置过孔，其中，过孔是导电的。在实施例中，在芯上方设置第一层，其中，第一层包括小于第一宽度的第二宽度。在实施例中，在芯下方设置第二层，其中，第二层包括小于第一宽度的第三宽度。
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公开(公告)号：CN111755419A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010197404.X
申请日：2020-03-19
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 聂白 , 段刚 , S·皮耶塔姆巴拉姆 , J·琼斯 , Y·金冈 , 冯红霞 , 徐定颖 , R·马内帕利 , S·派塔尔 , K·达尔马韦卡尔塔 , Y·李 , M·焦 , C·张 , M·廷吉 , 韩程圭 , 陈昊博
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种管芯组件。该管芯组件包括管芯、管芯的第一表面上的一个或多个管芯焊盘以及管芯上的管芯附接膜，其中管芯附接膜包括暴露一个或多个管芯焊盘并且延伸到管芯的一个或多个边缘的一个或多个开口。
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公开(公告)号：CN118503177A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410623212.9
申请日：2017-12-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: G06F13/40 , G06F13/42 , G06F13/38 , H03K19/173 , H01L23/488 , H01L25/065 , H10B80/00 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及集成电路管芯之间的接口桥。公开了一种使得能够实现第一集成电路管芯与第二集成电路管芯之间的通信的接口桥。这两个集成电路管芯可以经由芯片到芯片互连来连接。第一集成电路管芯可以包括可编程逻辑结构。第二集成电路管芯可以支持第一集成电路管芯。第一集成电路管芯和次级集成电路管芯可以使用接口桥经由芯片到芯片互连与彼此通信。第一和第二组件集成电路可以包括实现接口桥的电路，所述接口桥可以使用数据接收时钟提供从第二集成电路管芯到第一集成电路管芯的源同步通信。
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